GB T 17473.3-1998 厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定.pdf

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1、ICS 77. 040. 01 H 21 华1998-08-19发布共G/T 17473.3 1998 Test methods of precious metal pastes used for thick film microelectronics -Determination of sheet resistance 1999-03啕01实施国家质量技术监督局发布a 华人民共和国家标准厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定GB/T 17473.3-1998 国中 中国标准出版社出版北京复兴门外三里河北街16号邮政编码，100045电话，68522112无锡宫瓷快速印务有限公司印刷新华书

2、店北京发行所发行各地新华书店经售版权专有不得翻印A陡开本880X1230 1/16 印张1/2字数7干字1999年3月第-版1999年3月第一次印刷印数1-800定价6.00元骨书号，155066. 1-15491 峰366-37 标目L GB/T 17473. 3 1998 前言方阻是贵金属浆料的一个重要参数，也是浆料在产品生产、科研和使用中质量控制的一个重要指标。目前我国尚未制定出浆料方阻的测试方法标准，也没有查阅到有关该测试方法的国际标准或国外先进标准.本标准主要参照有关的技术资料，结合对浆料的方阻测量实际情况而制定的.本标准的附录A是标准的附录。本标准由中国有色金属工业总公司提出。标准

3、由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。本标准由昆明贵金属研究所负责起草。本标准主要起草人s陈一、金勿毁。中华人民共和国家标准厚膜微电子技术用贵测试方法方阻GB/T 17473.3-1998 2 范围Test methods oC precious metal pastes used Cor thick film microelectronics -Determination of sheet resistance 本标准规定了贵金属浆料方阻的测试方法.本标准适用于贵金属烧结型浆料方阻的测定.非贵金属浆料亦可参照使用。引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本

4、标准出版时，所示版本均为有效.所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性.3 GB/T 2421-1989 电工电子产品基本环境试验规程总则GB/T 8170-1987 数值修约规则原理将浆料用丝网印刷在陶瓷基片上，经烧成后，膜层在-定温度及其厚度、宽度不变的情况下，其电阻与膜层带的长度成正比。通过测量规定膜层长度下的电阻，可计算出方阻.4 材料4. 1 试样基片为Al，O，含量不少于95%的陶瓷基片，其表面粗糙度范围为0.51.5m(在测量距离为10mm的条件下测量5 仪器与设备5. 1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 数字式电阻/电压多用表2范围为1圳。

5、1川。，分辨率为6位有效数字，可四线量测。超高值绝缘电阻测量仪2范围为1X10-lX1017!).精度为士2%。光切显微测厚仪z量程为0.5mm，精度为0.001mmo 厚膜印刷机.红外干燥箱z温度范围为室温-3000C.控温精度为士lC0 隧道烧结炉2温度范围为室温-1OOOC.控温精度为士2C。6 样品制备6. 1 试验大气条件按GB/T2421中4.3条规定进行.国家质量技术监督局1998-08-19批准1999- 03-01实施l GB/T 17473.3-1998 6.2 试样长度方数为100方，膜宽为1mm.1 mmX1 mm为1方，标准成膜厚度为15m.6.3 将待测浆料充分搅拌

6、均匀后取样，用丝径为53-41m不锈钢丝网将取样浆料印刷在陶瓷基片上，印制6片。电阻浆料需印烧电极，电极图形见图1.6.4 试样基片水平放置不少于10min，再将其放入干燥箱中于70-80C干燥。6.5 将干燥后的试样基片放入隧道炉中烧绪，烧结温度根据浆料型号确定。基片取出后在测试环境下放置4h后待测。印烧电极区电阻量测点导带量测点膜带气r/ 币干气, t自句:图1电极膜带及测试点示意图7 测试步骤7. 1 9!试环堤温度为20-25C。7.2 根据试样估计阻值范围，选择电阻测量仪量程档位，在此量程下调整零点。7.3 将电阻测量仪两电极分别放在测试样片膜层的两端点上，使之良好接触(接触点见图1

7、)。低电阻采用四线最测。每个试样分别在正反电流方向下各测量3次，取6次读数的算术平均值作为100方电阻的测量值.7.4 用光切显微濒o享仪在试样膜层上选择不同的位置，取不少于6点进行膜层厚度测量，取其算术平均值作为膜厚测量值。8 测试结果的计算与表述8. 1 方阻的测试结果按式(1)进行计算g式中;Rs一一方阻值.n;口gR一-100方电阻值.0. 只-R一-100 8.2 数值修约按GB/T8170规定进行，取两位有效数字。. ( 1 ) 8.3 当测定的试样的膜厚不是本标准所规定的厚度时，膜带标准厚度的方阻值可按附录A的式(Al)进行换算。8.4 若6个试样的测试数据中的可疑结果与其除外的

8、平均值的差值的绝对值大于该组(不包括可疑结果)标准偏差的4倍时，则可弃去该可疑结果。9 2 试验报告试验报告应包括下列内容za)试样名称sb)试样编号、牌号，c)试样批号gdJ试样膜厚se)试样测试结果及检测部门印章gf)本标准号gg)测试人及测试日期.G8/T 17473.3-1998 SE|凹的hEFG/T 17473.3-1998 一一一一附录(标准的附录)不同膜厚方阻的换算A H阁。根据材料电阻与电阻系数的关系可得gA1 .( Al ) R=pf . ( Az ) 式中:R一一电阻，0;p一电阻系数，0.mm; L一一膜带氏度，mm;S一一膜带横截面积，mm20由式(Al)，根据方阻定义，浆料膜带的方阻为.L L R, = P言ZPFI=jt 即P= R,h A2 . ( A3 ) 不得翻印版权专有式中:Rs一一方阻值，l/口;h一膜厚度，m，b一膜宽度，阳。同一试样浆料的电阻系数应是一定的，故由式(AZ)可得2R1h1 = R,h, 利用式(A3)可对不同厚度膜的方阻进行换算，对方阻进行比较。 书号，1550661-15491 定价，6.00元铸标目366-37