GB T 17473.7-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法.可焊性、耐焊性测定.pdf
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1、ICS 7712099H 68 a亘中华人民共和国国家标准GBT 1 747372008代替GBT 174737 1998微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定Test methods of precious metals pastes used for microelectronics-Determination of solderability and solderelaching resistance2008-033 1发布 20080901实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局学者中国国家标准化管理委员会厘111刖 罱GBT 1747372008本标准是对GBT 1747
2、3 1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法(所有部分)的整合修订,分为7个部分:GBT 174731 2008微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定;GBT 174732 2008微电子技术用贵金属浆料测试方法细度测定;GBT 174733 2008微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定;GBT 174734 2008微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测试;GBT 174735-2008微电子技术用贵金属浆料测试方法粘度测定;GBT 174736 2008微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定;GBT 174737 2008微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定。本
3、部分为GBT 174732008的第7部分。本部分代替GBT 174737 1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性试验。本部分与GBT 1747371998相比,主要有如下变动:范围去除“非贵金属浆料可焊浆料亦可参照使用”内容;将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定;将原标准厚膜隧道烧结炉,温度范围为室温1 000。改为:厚膜隧道烧结炉,最高使用温度为l 000,控制精度在5;将原标准控制焊料熔融温度为2355改为:根据不同的焊料确定温度;将原标准“浸入和取出速度为(255)mms”删除;一将原标准“导体浸入焊料界面深度为2 mm”改为“导体浸人
4、焊料界面深度为2 mm以下”;一将原标准“浸人时间为5 sl s。浸入时间为10 s士I s”改为“浸入时间根据不同浆料”确定;将原标准811中“在放大镜下观察,若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于95,则为可焊性好,小于95为可焊性差”修改为“在放大镜下观察,若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于图案面积的910,则为可焊性好,小于910为可焊性差”;将原标准812中“基片印刷图案若有5未焊的面积集中在某一角,则可焊性差”修改为“基片印刷图案若有i5未焊面积,则可焊性差”。本部分由中国有色金属工业协会提出。本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草。
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