电磁干扰及电磁相容导论.ppt

《电磁干扰及电磁相容导论.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电磁干扰及电磁相容导论.ppt（54页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、0,電磁干擾及電磁相容導論,陳金德 錢嘉宏,1,電磁波緒論,2,電磁波特性,電磁波傳播速度( c )= 頻率( f ) 波長 ( ) c =3 108 m/sec f : 1/sec : m (公尺) 振幅 : 能量強度 相位 02,3,輻射種類,輻 射 是 能 量 傳 播 的 一 種 方 式 ， 例 如 ： 太 陽 光 、 燈 光 、 熱 等 都 是 輻 射 。 廣 義 的 輻 射 依 能 量 的 不 同 ， 可 分 為 非 游 離 輻 射 與 游 離 輻 射 .非 游 離 輻 射 的能量較低，如太陽光、微波及無線電波 游 離 輻 射 的能量較高（ 約大於12.4 KeV ）可將物質游離產生

2、荷電的正負離子包括粒子輻射（ 如、中子等) 及電磁輻射(如X-射線、-射線 ）。其中粒子是氦核帶正電、電子帶負電；中子、X-射線及-射線則不帶電 。,4,電磁波頻譜,5,電場與磁場,6,輻射近場與遠場,7,輻射天線之空間輻射電磁場 強度估算公式,E = 30 GP / r H=E/377 B=0HP :為天線輸出功率， 單位為 Wr :為量測點與輻射天線間之距離，單位為 mG : 為輻射天線增益(Gain)；偶極性天線，其值約為 1.51.6 B : 為磁通密度，單位為 特斯拉(Tesla), 1 Tesla=10,000 高斯(Guass,G ) 0 :為空氣磁化係數，其值為4 * 10-7

3、 H/m,8,空間射頻輻射電磁場 功率密度估算公式,1.已知空間射頻輻射電場強度 E (V/m)者功率密度 Pd= E2/377 W/m2，與電場強度平方成正比 2.已知空間射頻輻射磁場強度 H (A/m)或 磁通密度 B (Tesla)者功率密度 Pd= 377*H2 =377*(B/0)2 W/m2，與磁場強度或磁通密度平方成正比,9,導線電流產生周圍磁通密度之估算公式(1),帶有電流之單一長導線I r距離導線 r 公尺之磁通密度(B)= 0I/(2r) Tesla，與距離成反比若導線電流為 1 安培則距離導線 10 公分之磁通密度為 20 毫高斯(mG) 距離導線 1 公尺之磁通密度為

4、2 毫高斯(mG) .,10,導線電流產生周圍磁通密度之估算公式(2),帶有電流之雙長導線，且各導線電流大小相同但方向相反，如一般設備之電源線Id Ir兩導線距離 d 公尺，若 r d，每一導線所產生之磁場方向相反而抵消，則距離導線 r 公尺之磁通密度(B)= 0Id/(2r2) Tesla，與距離平方成反比若導線電流為 1 安培，兩導線相距 2 公分 則距離導線 10 公分之磁通密度為 4.0 毫高斯(mG) 距離導線 1 公尺之磁通密度為 0.04 毫高斯(mG),11,電磁場屏蔽策略,靜磁場屏蔽 靜電場屏蔽-使用良好導體材料(即導電係數很大)，如銅、鋁等，即可達到幾乎完全屏蔽效果 低頻磁

5、場(或準靜磁場)屏蔽 低頻電場(或準靜電場)屏蔽 高頻遠場平面輻射電磁場(Plane EM Field)屏蔽,12,靜磁場屏蔽,13,.仍以磁性材料為主要屏蔽材料 .使用非磁性導體作為屏蔽材料，會在導體表面感應電流而形成反向磁場，抵消原先磁場一部份；此反向磁場大小會隨頻率增加而增加，增強屏蔽效果。同時若此屏蔽材料距離低頻磁場源愈遠，屏蔽效果愈大 .基本上，低頻率之低波阻抗(Low Wave Impedance)磁場很難使用屏蔽材料來達到屏蔽效果,低頻磁場(或準靜磁場)屏蔽,14,低頻電場(或準靜電場)屏蔽,15,高頻遠場平面輻射電磁場(Plane EM Field)屏蔽,16,電磁相容,17,

6、電磁相容工作環境,18,電磁相容相關名詞釋義,1. 電磁相容(ElectroMagnetic Compatibility, EMC)的定義某一設備或系統，或很多設備同時運作時，在電磁環境中滿足其操作性能而不致產生難以承受環境中電磁干擾的能力。2. 電磁干擾(ElectroMagnetic Interference, EMI)的定義某一設備或系統在操作過程中，出現不利於其他電子設備或系統運作功能的訊號，而此訊號是不想要的且是無意義的。3. 電磁感受性(ElectroMagnetic Susceptibility, EMS)的定義裝置、設備或系統不會因周圍電磁干擾而產生性能劣化的能力。4. 劣化的

7、定義設備或系統之操作性能因電磁干擾而產生不期望的改變。劣化不表示故障或完全之毀壞。,19,EMI 及 EMS 之定義,EMI,EMS,20,形成電磁干擾問題之三個要素,電磁干擾源,電磁傳遞途徑,電磁感受體,21,電磁波傳遞途徑或介質,電磁波傳遞的途徑有三種：1.空間輻射(Radiation) 電磁波經由空間(Space)傳遞。 輻射波極易從儀器外框之極小不完整細縫(Seam)、接續(Joint)、 通風孔、屏蔽不良的控制或顯示面板、輸入/輸出接頭、以及電纜接線等，洩漏至儀器外面或進入至儀器內部。2.導體直接傳導(Conduction) 電磁波經由電源線、輸入/輸出訊號線、接地線等電路導體傳遞。

8、3.耦合感應(Induction)電磁波經由近場(Near Field)之電容性(電場效應)耦合或電感性(磁場效應)耦合而傳遞。,22,電磁干擾型式,1.靜電放電 2.輻射電磁場 3.快速暫態波/叢訊 4.雷擊突波 5.傳導電磁場 6.電源頻率(50 Hz 或 60 Hz)電流所產生之磁場 7.雷突波流經金屬結構物所產生知脈衝磁場 8.高電壓系統或設備切換時之暫態電突波所產生之衰減振盪磁場 9.電源電壓瞬降、瞬斷及緩慢連續變動 10.電源電壓低頻傳導性干擾,23,容易產生電磁輻射干擾源之醫電設備,電刀裝置(500 KHz2.5 MHz) .電燒灼器 心臟電擊器 .短波治療機 (13.56MHz

9、、27.12MHz、40.7MHz) 微波治療機 (433MHz、915MHz、2,450MHz) 醫用遙傳或遙測(Telemetry)設備 X 光透視診斷攝影裝置 .電腦斷層攝影裝置 核磁共振診斷攝影裝置 .直線加速器 馬達驅動之幫浦或壓縮機 .牙科或骨科用高速鑽 電毯或電動床,24,容易受到電磁干擾之 醫電設備,心臟節律器 醫用遙傳或遙測(Telemetry)設備 生理信號感測或監視裝置，如ECG、EMG、 EEG、ERG、ENG、MEG、Holter、 窒息監視器等 核磁共振診斷攝影裝置 電子顯微鏡 裝有微處理器控制或數位線路的維持生命用裝置，如輸液 幫浦、血液透析機、呼吸輔助器、麻醉機

10、、嬰兒保溫箱等,25,非游離性電磁輻射之標幟符號,使用射頻能量(RF energy)作診斷或治療的設備系統 , 應標示非游離性電磁輻射之標幟符號(IEC 878 03-04 符號),26,IEC電磁相容相關標準,歐體(EN)規範 IEC規範 試驗內容 EN61000-3-2 IEC1000-3-2 電源諧波(Harmonic)試驗 EN61000-3-3 IEC1000-3-3 電源電壓浮動及閃爍(Power Flicker)試驗 EN61000-4-2 IEC1000-4-2 靜電放電試驗(Electrostatic Discharge,ESD) EN61000-4-3 IEC1000-4-

11、3 射頻輻射耐受試驗(Radiated RF) EN61000-4-4 IEC1000-4-4 電性快速脈衝試驗(Fast transient/burst , EFT) EN61000-4-5 IEC1000-4-5 雷擊突波耐受試驗(Lighting surge) EN61000-4-6 IEC1000-4-6 射頻傳導耐受試驗(Conducted RF) EN61000-4-8 IEC1000-4-8 電源頻率(50/60Hz)磁場耐受試驗 EN61000-4-9 IEC1000-4-9 突波(Surge) 磁場耐受試驗 EN61000-4-10 IEC1000-4-10 衰減振盪(Dam

12、ped oscillatory) 磁場耐受試驗 EN61000-4-11 IEC1000-4-11 電源電壓瞬降及瞬斷耐受試驗,27,IEC電磁相容相關標準,EN61000-4-12 IEC1000-4-12 衰減振盪波耐受試驗 EN61000-4-13 IEC1000-4-13 交流電源輸入的低頻傳導性干擾耐受試驗 EN61000-4-14 IEC1000-4-14 電源電壓變動試驗 EN61000-4-16 IEC1000-4-16 DC150KHz連續傳導性干擾耐受試驗 EN61000-4-17 IEC1000-4-17 直流電源漣波(Ripple)試驗 EN61000-4-27 IEC

13、1000-4-27 三相電源不平衡性耐受試驗 EN61000-4-28 IEC1000-4-28 電源頻率變動試驗,28,無線電通訊系統對醫療儀器之電磁干擾效應,29,醫院可能使用之攜帶式 無線電通訊手機演變流程,30,醫電設備受到無線電通訊手機 電磁干擾影響程度之因素,手機輸出功率(Power) 手機輸出頻率(Frequency) 手機調變模式(Modulation) 手機使用時間( Exposure Time) 手機輻射天線型式(Antenna Type) 傳輸距離(Distance) 置放空間位置 醫電設備本身電磁屏蔽能力,31,輻射電磁波干擾電子線路致使 處理錯誤之作用機轉方式,位元信

14、號錯亂(Bit Corruption),半導體接面整流(Junction Rectification),32,無線電通訊手機發射實際量測之 電場強度值,33,行動電話手機或區域無線電系統手機對醫電設備所可能造成之影響與效應,降低性能(Degradation of performance) 讀值不準確(Inaccurate reading) 不適當控制(Inappropriate control) 影響照護效能(Ineffective care) 很多電磁干擾狀況，只要將手機遠離或關機，即會可逆性地自動消失。,34,電磁干擾醫電設備功能效應之 臨床風險等級分類,1. 沒有任何問干擾題發生,2.

15、醫電設備發生可逆性之干擾問題，會引起錯誤診斷,3. 醫電設備發生可逆性之干擾問題，導致錯誤診斷或治療或發生不可逆性之問題，會引起錯誤診斷,4. 醫電設備發生不可逆性之干擾問題，導致錯誤診斷或治療需要緊急處理(Action),5. 醫電設備發生可逆性之干擾問題，若持續不改善，其會導致病人嚴重後果或死亡,6. 醫電設備發生不可逆性之干擾問題，除非緊急處理，其會導致病人嚴重後果或死亡,35,a.醫電設備發生可逆性之干擾問題，會引起錯誤診斷,ECG 監視器,基線漂移 波形雜訊,36,b.醫電設備發生可逆性之干擾問題，導致 錯誤診斷或治療；或發生不可逆性之問題，會引起錯誤診斷,麻醉機,控制面板-顯示錯誤

16、值,37,C.醫電設備發生不可逆性之干擾問題，導致錯誤診斷或治療，需要緊急處理,呼吸輔助器,發出alarm 訊號 需要reset動作,38,d.醫電設備發生可逆性干擾問題，若持 續不改善，會導致病人嚴重後果或死亡,心臟節律器,不能產生 刺激脈波,39,e.醫電設備發生不可逆性之干擾問題，除非 緊急處理，其會導致病人嚴重後果或死亡,注射幫浦,停止注射 劑量錯誤(治療性藥物) 發出alarm 訊號 需要reset動作,40,醫院地板與牆壁之電磁場衰減 分貝值估計,1. 玻璃：2 dB2. 牆壁：317 dB 3. 地板：1455 dB備註：6 dB衰減相當於只剩下原來1/2的電場強度，12 dB衰

17、減相當於只剩下原來1/4的電場強度，20 dB衰減相當於只剩下原來1/10的電場強度，以此類推,41,醫電設備電磁相容國際標準與規定,歐盟與美國等先進國家於1996 年 1 月1 日起，規定凡上市之醫療儀器必須符合IEC 601-1-2 國際標準 3 V/m 電場強度以上之耐受度(Immunity)，以減少被電磁干擾而影響儀器正常運作，未來將實施維持生命用設備須能耐受 10 V/m 以上之電場強度 對電動輪椅有標準規定須能耐受 20 V/m 以上之電場強度 心臟節律器與植入式心臟電擊器(ICD)則須能耐受 100 V/m 以上之電場強度,42,行動電話手機使用管理策略(1),A. 呼叫器若為單

18、向接受資訊，院內任何區域皆可使用，不須管制。若為雙向傳訊，須距離醫電設備至少 0.5 公尺以上。 B. 區域無線電通訊系統之使用，須距離醫電設備至少 0.5 公尺以上。 C. 行動電話之使用，須距離醫電設備至少 2 公尺以上。 D. 警衛巡邏通訊設備之使用，須距離醫電設備至少5 公尺以上。 E. 救護車緊急通訊設備之使用，僅能作為緊急通訊用，須距離檢查室或治療室或急診病房等區域至少 5 公尺以上。,43,行動電話手機使用管理策略(2),行動電話禁止在手術房、恢復室、加護病房、急診病房、具有電磁高敏感性或維持生命用醫療儀器之檢查室(如心臟電生理檢查室、超音波影像檢查室、腦波檢查室、生化室、緊急檢

19、查室等)或治療室(如洗腎室、放射治療室、急診暫留室等)或病房房間等之內部及其周圍 2 公尺區域範圍內使用，行動電話必須關機，即使待機(Stand-by)狀態亦不允許。,44,行動電話手機使用管制策略(3),禁止將無線電通訊設備置放在醫療儀器上面或旁邊。,醫院各單位禁止使用無線電通訊設備之管制區域，必須明確標示，以告知病患及其家屬、訪客、院內員工確實遵守。,醫院應將使用無線電通訊設備之管制策略敘述於 入院文件資料中，於住院室或護理站分發,45,行動電話使用應注意之相關資訊,建議使用行動電話手機時，天線應距離頭部至少 5 公分以上 建議使用行動電話手機時，應儘量遠離有大平面導電性牆壁或隔板 建議行

20、動電話不要置放於靠近心臟部位的衣服口袋上 建議行動電話不要置放於家裡窒息監視器(Apnea monitor)、維持生命用醫電設備之上面或旁邊 建議攜帶或使用行動電話時，應至少遠離體內植入式心臟節律器或電擊器 15 公分( 6 英吋 ) 以上的距離 助聽器或人工電子耳的功能會受行動電話所干擾，應遠離之,46,電磁場對人體暴露量限制基準,47,可提供人體生物效應因果關係之電磁場參數指標,.電磁場頻率 .功率密度(mW/cm2) .組織特定能量吸收比(W/Kg) .電場強度最大值(Emax, V/m) .電場強度時間微分之最大值(derEmax, V/m/sec) .一天暴露電場強度之總劑量平均值或

21、最大值(DexpED, Vh/m) .一生暴露電場強度之總劑量平均值或最大值(LexpED, Vh/m) .磁場強度最大值(Hmax, A/m) .磁場強度時間微分之最大值(derHmax, A/m/sec) .一天暴露磁場強度之總劑量平均值或最大值(DexpHD, Ah/m) 一生暴露磁場強度之總劑量平均值或最大值(LexpHD, Ah/m),48,電源頻率(50/60 Hz) 磁場之人體暴露量限制值基準,49,電源頻率(50/60 Hz) 電場之人體暴露量限制值基準,50,視訊顯示終端機(VDT)射頻電場與磁場之人體暴露量限制值基準,51,射頻電磁場(100 MHz3000 MHz)功率密度之人體暴露量限制值基準,52,射頻與微波電磁場特定能量吸收比(Specific Absorption Rate, SAR) 之人體暴露量限制值基準,53,Thanks for Your Attention,