【考研类试卷】南开大学《电子综合基础》考研真题2011年及答案解析.doc
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1、南开大学电子综合基础考研真题 2011年及答案解析(总分:75.00,做题时间:90 分钟)一、B简答题/B(总题数:5,分数:20.00)1.简单叙述 N沟道增强型和耗尽型 MOS管的主要区别。(分数:4.00)_2.由双极晶体管组成的共射极放大电路,其上、下限截止频率主要取决于哪些元件?(分数:4.00)_3.在稳压电源电路中,为了稳定输出电压,一般采用什么负反馈?(分数:4.00)_4.提高电压放大电路的输入阻抗有什么好处?(分数:4.00)_5.开关电源中续流二极管的主要作用是什么?(分数:4.00)_二、B/B(总题数:1,分数:10.00)6.如下图所示电路,三极管的参数相同,=1
2、00,|U BE|=0.5V,|U A|=,试计算流过 R3的电流。(分数:10.00)_三、B/B(总题数:1,分数:15.00)7.如下图所示电路,设二极管的正向导通压降 UD=0.6V,试计算流过每个电阻上的电流。(分数:15.00)_四、B/B(总题数:1,分数:15.00)由理想运算放大器和二极管(正向导通压降为零)组成的电路如下图 1所示。(分数:15.00)(1).分析计算输出电压 uo,并画出输出电压 uo随输入电压 u(分数:7.50)_R_五、B/B(总题数:1,分数:15.00)8.由理想运算放大器组成的电路如下图所示,电容 C1、C 2和 C3足够大,三极管的 值很大,
3、UBE=0.5V,U A=,忽略基区电阻,计算电压增益 。(分数:15.00)_南开大学电子综合基础考研真题 2011年答案解析(总分:75.00,做题时间:90 分钟)一、B简答题/B(总题数:5,分数:20.00)1.简单叙述 N沟道增强型和耗尽型 MOS管的主要区别。(分数:4.00)_正确答案:(从结构上看,N 沟道耗尽型 MOS管与 N沟道增强型 MOS管基本相似,其区别仅在于当栅-源极间电压 Ugs=0时,耗尽型 MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型没有。)解析:2.由双极晶体管组成的共射极放大电路,其上、下限截止频率主要取决于哪些元件?(分数:4.00)_正确答案:(
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