(通用版)2019版高考化学二轮复习5个解答题之5物质结构与性质(选考)(含解析).doc
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1、1物质结构与性质历年真题集中研究明考情 1(2018全国卷)Li 是最轻的固体金属,采用 Li作为负极材料的电池具有小而轻、能量密度大等优良性能,得到广泛应用。回答下列问题:(1)下列 Li原子电子排布图表示的状态中,能量最低和最高的分别为_、_(填标号)。(2)Li 与 H 具有相同的电子构型, r(Li )小于 r(H ),原因是_。(3)LiAlH4是有机合成中常用的还原剂,LiAlH 4中的阴离子空间构型是_、中心原子的杂化形式为_。LiAlH 4中,存在_(填标号)。A离子键 B 键C 键 D氢键(4)Li2O是离子晶体,其晶格能可通过图(a)的 BornHaber循环计算得到。可知
2、,Li 原子的第一电离能为_kJmol 1 ,O= =O键键能为_kJmol1 ,Li 2O晶格能为_kJmol 1 。(5)Li2O具有反萤石结构,晶胞如图(b)所示。已知晶胞参数为0.466 5 nm,阿伏加德罗常数的值为 NA,则 Li2O的密度为_gcm3 (列出计算式)。把脉考点第(1)问 考查核外电子排布规则第(2)问 考查离子半径大小比较2第(3)问 考查离子空间构型、中心原子杂化方式、化学键类型判断第(4)问 考查电离能、键能、晶格能的求算第(5)问 考查晶胞的相关计算解析:(1)D 选项表示基态,为能量最低状态;A、B、C 选项均表示激发态,但 C选项被激发的电子处于高能级的
3、电子数多,为能量最高状态。(2)Li 与 H 具有相同的电子构型,Li 的核电荷数大于 H的核电荷数,因此 Li的原子核对电子的吸引能力强,即 Li 半径小于 H 半径。(3)LiAlH4的阴离子为 AlH ,AlH 中 Al的杂化轨道数为 4,Al 采取 sp3杂4 44 3 12化,为正四面体构型。LiAlH 4是离子化合物,存在离子键,H 和 Al间形成的是共价单键,为 键。(4)由题给信息可知,2 mol Li(g)变为 2 mol Li (g)吸收 1 040 kJ热量,因此 Li原子的第一电离能为 520 kJmol1 ;0.5 mol氧气生成 1 mol氧原子吸收 249 kJ热
4、量,因此 O=O键的键能为 498 kJmol1 ;Li 2O的晶格能为 2 908 kJmol1 。(5)由题给图示可知,Li 位于晶胞内部,O 位于顶点和面心,因此一个晶胞有 8个Li,O 原子个数6 8 4。因此一个 Li2O晶胞的质量 g,一个12 18 87 416NA晶胞的体积为(0.466 5107 )3 cm3,即该晶体密度 87 416NA 0.466 510 7 3gcm3 。答案:(1)D C(2)Li 核电荷数较大(3)正四面体 sp 3 AB(4)520 498 2 908(5)87 416NA 0.466 510 7 32(2017全国卷)我国科学家最近成功合成了世
5、界上首个五氮阴离子盐(N 5)6(H3O)3(NH4)4Cl(用 R代表)。回答下列问题:(1)氮原子价层电子的轨道表达式(电子排布图)为_。(2)元素的基态气态原子得到一个电子形成气态负一价离子时所放出的能量称作第一电子亲和能( E1)。第二周期部分元素的 E1变化趋势如图(a)所示,其中除氮元素外,其他元素的 E1自左而右依次增大的原因是_;氮元素的 E1呈现异常的原因是_3_。(3)经 X射线衍射测得化合物 R的晶体结构,其局部结构如图(b)所示。从结构角度分析,R 中两种阳离子的相同之处为_,不同之处为_。(填标号)A中心原子的杂化轨道类型B中心原子的价层电子对数C立体结构D共价键类型
6、R 中阴离子 N 中的 键总数为_个。分子中的大 键可用符号 表示,5 nm其中 m代表参与形成大 键的原子数, n代表参与形成大 键的电子数(如苯分子中的大 键可表示为 ),则 N 中的大 键应表示为_。6 5图(b)中虚线代表氢键,其表示式为(NH )NHCl、_、_。4(4)R的晶体密度为 d gcm3 ,其立方晶胞参数为 a nm,晶胞中含有 y个(N 5)6(H3O)3(NH4)4Cl单元,该单元的相对质量为 M,则 y的计算表达式为_。把脉考点第(1)问 考查核外电子排布第(2)问 考查同周期元素变化规律第(3)问 考查分子结构与性质第(4)问 考查晶胞中粒子数目的计算解析:(1)
7、根据构造原理可知氮原子价电子排布式为 2s22p3,根据洪特规则和泡利原理可写出其价电子的轨道表达式 。(2)从图 (a)可以看出:除 N外,同周期元素随核电荷数依次增大, E1逐渐增大,这是因为随原子半径逐渐减小,结合一个电子需要释放出更多的能量;N 原子的 2p轨道处于半充满状态,不易再结合一个电子,故 E1呈现异常。(3)结合图(b)可知:晶体 R中两种阳离子为 NH 和 H3O ,其中心原子均采取 sp34杂化;NH 中成键电子对数为 4,H 3O 中含 1个孤电子对和 3个成键电子对,即中心原子4的价层电子对数均为 4;两种阳离子中均存在极性键,不存在非极性键。NH 和 H3O 分别
8、4为正四面体结构和三角锥形结构,即立体结构不同。从图(b)可以看出:阴离子 N 呈五54元环状结构,其含有的 键总数为 5个;N 中参与形成大 键的电子数为 6,故可将其5中的大 键表示为 。根据题给表示式可知,除表示出形成氢键的原子外,还要表示65出形成氢键的原子所在的原子团和该原子在原子团中的成键情况,因此氢键的表示式还有(H3O )OHN(N )、(NH )NHN(N )。(4)该晶胞的体积为( a107 cm)3,根据5 4 5M( a107 )3d,可求出 y 或 1021 。yNA 602a3dM a3dNAM答案:(1) (2)同周期元素随核电荷数依次增大,原子半径逐渐变小,故结
9、合一个电子释放出的能量依次增大 N 原子的 2p轨道为半充满状态,较稳定,故不易结合一个电子 (3)ABD C 5 65(H 3O )OHN(N ) (NH )NHN(N )5 4 5(4)602a3dM (或 a3dNAM 10 21)3.(2016全国卷)砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:(1)写出基态 As原子的核外电子排布式_。(2)根据元素周期律,原子半径 Ga_As,第一电离能 Ga_As。(填“大于”或“小于”)(3)AsCl3分子的立体构型为_,其中 As的杂化轨道类型为_。(4)GaF3的熔点高于 1 000 ,Ga
10、Cl 3的熔点为 77.9 ,其原因是_。(5)GaAs的熔点为 1 238 ,密度为 gcm3 ,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_,Ga 与 As以_键键合。Ga 和 As的摩尔质量分别为MGa gmol1 和 MAs gmol1 ,原子半径分别为 rGa pm和 rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则 GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_。把脉考点第(1)问 考查核外电子排布式的书写第(2)问 考查原子半径和第一电离能大小的比较第(3)问 考查分子构型的判断、中心原子杂化类型的判断5第(4)问 考查晶体类型对物质熔沸点的影响第(5)问 考查晶体、化学键类型的判断;原子空间利
11、用率的计算解析:(1)As 元素在周期表中处于第A 族,位于 P元素的下一周期,则基态 As原子核外有 33个电子,根据核外电子排布规律写出其核外电子排布式:1s22s22p63s23p63d104s24p3或Ar3d 104s24p3。(2)同周期主族元素的原子半径随原子序数的递增而逐渐减小,Ga 与 As在周期表中同位于第四周期,Ga 位于第A 族,则原子半径:GaAs。Ga、As 原子的价电子排布式分别为 4s24p1、4s 24p3,其中 As原子的 4p轨道处于半充满的稳定状态,其第一电离能较大,则第一电离能:GaAs。(3)As 原子的价电子排布式为 4s24p3,最外层有 5个电
12、子,则 AsCl3分子中 As原子形成 3个 AsCl键,且含有1对未成键的孤对电子,则 As的杂化轨道类型为 sp3杂化,AsCl 3分子的立体构型为三角锥形。(4)GaF 3的熔点高于 1 000 ,GaCl 3的熔点为 77.9 ,其原因是 GaF3是离子晶体,GaCl3是分子晶体,而离子晶体的熔点高于分子晶体。(5)GaAs 的熔点为 1 238 ,其熔点较高,据此推知 GaAs为原子晶体,Ga 与 As原子之间以共价键键合。分析 GaAs的晶胞结构,4 个 Ga原子处于晶胞体内,8 个 As原子处于晶胞的顶点、6 个 As原子处于晶胞的面心,结合“均摊法”计算可知,每个晶胞中含有 4
13、个 Ga原子,含有 As原子个数为8 6 4(个),Ga 和 As的原子半径分别为 rGapm rGa1010 cm, rAspm rAs1010 18 12cm,则原子的总体积为 V 原子 4 ( rGa1010 cm)3( rAs1010 cm)343 1030 (r r )cm3。又知 Ga和 As的摩尔质量分别为 MGa gmol1 和 MAs 163 3Ga 3Asgmol1 ,晶胞的密度为 gcm3 ,则晶胞的体积为 V 晶胞 cm3,故4 MGa MAs NAGaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 100%V原 子V晶 胞100%163 10 30 r3Ga r3As cm
14、34 MGa MAs NA cm3100%。4 10 30NA r3Ga r3As3 MGa MAs答案:(1)1s 22s22p63s23p63d104s24p3(或Ar3d 104s24p3)(2)大于 小于 (3)三角锥形 sp 3 (4)GaF 3为离子晶体,GaCl 3为分子晶体 (5)原子晶体 共价100%4 10 30NA r3Ga r3As3 MGa MAs6物质结构与性质为选做题,做为“拼盘”命制的题型,各小题之间相对独立,主要考查原子结构与性质、分子结构与性质、晶体结构与性质。(1)在原子结构部分主要命题点有核外电子排布式或排布图的书写,电离能、电负性大小的比较与判断,电子
15、亲和能的变化规律。(2)在分子结构部分主要命题点有化学键类型的判断,分子构型的判断,中心原子杂化方式的判断。(3)在晶体结构部分主要命题点有晶体类型的判断,晶体熔沸点的判断,晶体结构的计算等。 高考题点逐一研究清盲点 该选考大题由题头(介绍题目背景或物质结构知识,元素推断信息)和设问(拼盘式设问物质结构相关主干知识)两部分组成;解题的关键是先确定考查元素在周期表中的相对位置,再联想变化规律和特殊性质,根据题设要求规范回答即可。命题点一 原子结构与性质1能层与能级(1)能层、能级和最多容纳电子数之间的关系能层(n)一 二 三 四 五 六 七符号 K L M N O P Q能级 1s 2s 2p
16、3s3p 3d 4s 4p 4d4f5s 2 2 6 2 6 10 2 6 10142 最多容纳的电子数 2 8 18 32 2n2电子离核远近近远电子能量高低低高7(2)常见原子轨道电子云轮廓原子轨道 电子云轮廓形状 轨道个数s 球形 1p 哑铃形 3(px,p y,p z)2核外电子排布(1)牢记基态原子核外电子排布的三规律能量最低原理原子核外电子总是先占有能量最低的原子轨道,即1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s泡利原理 每个原子轨道上最多只容纳 2个自旋状态相反的电子洪特规则当电子排布在同一能级的不同轨道时,基态原子中的电子总是优先单独占据一个轨道,而且自旋状态相同(2)明
17、确表示基态原子核外电子排布的四方法表示方法 举例电子排布式 Cr:1s 22s22p63s23p63d54s1简化表示式 Cu:Ar3d 104s1价电子排布式 Fe:3d 64s2电子排布图(或轨道表示式)(3)防范核外电子排布常见错误电子排布式a3d、4s 书写顺序混乱。如Error!b违背洪特规则特例。如Error!Error!电子排布图错误类型 错因剖析 改正违背能量最低原理违背泡利原理违背洪特规则8违背洪特规则(4)巧判未成对电子数的两方法根据电子排布式判断设电子排布式中未充满电子的能级的电子数为 n,该能级的原子轨道数为 m,则 n m时,未成对电子数为 n; n m时,未成对电子
18、数为 2m n。如氯原子的电子排布式为1s22s22p63s23p5,未充满电子的能级为 3p能级,有 3个原子轨道,填充的电子数为 5,所以未成对电子数为 2351;Cr 原子的电子排布式为 1s22s22p63s23p63d54s1,未充满电子的能级为 3d能级和 4s能级,分别有 5、1 个原子轨道,填充的电子数分别为 5、1,所以未成对电子数为 6。根据电子排布图判断电子排布图能够直观地表示未成对电子数,即单独占据一个方框的箭头的个数。3电离能、电负性(1)元素第一电离能的周期性变化规律一般规律同一周期,随着原子序数的增加,元素的第一电离能呈现增大的趋势,稀有气体元素的第一电离能最大,
19、碱金属元素的第一电离能最小;同一主族,随着电子层数的增加,元素的第一电离能逐渐减小特殊情况第一电离能的变化与元素原子的核外电子排布有关。通常情况下,当原子核外电子排布在能量相等的轨道上形成全空(p 0、d 0、f 0)、半满(p 3、d 5、f 7)和全满(p6、d 10、f 14)结构时,原子的能量较低,该元素具有较大的第一电离能(2)电离能、电负性大小判断规律 在周期表中,电离能、电负性从左到右逐渐增大,从上往下逐渐减小特性同周期主族元素,第A 族( ns2)全充满、A 族( np3)半充满,比较稳定,所以其第一电离能大于同周期相邻的第A 和A 族元素方法常常应用化合价及物质类别判断电负性
20、的大小,如 O与 Cl的电负性比较:HClO 中 Cl为1 价、O 为2 价,可知 O的电负性大于 Cl;Al 2O3是离子化合物、AlCl 3是共价化合物,可知 O的电负性大于 Cl(3)电离能、电负性的应用电离能的应用判断元素金属性的强弱电离能越小,金属越容易失去电子,金属性越强;反之越弱判断元素的化合价如果某元素的 In1 In,则该元素的常见化合价为 n,如钠元素 I2I1,所以钠元素的化合价为19电负性的应用对点训练1(1)(2018全国卷节选)硫及其化合物有许多用途,相关物质的物理常数如下表所示:H2S S8 FeS2 SO2 SO3 H2SO4熔点/ 85.5 115.2 600
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