SJ 20072-1992 半导体分立器件.GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器.详细规范.pdf

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1、，、FL 5961 、.，L田、-t:l SJ 20072 92 主Detail specification for semiconductor opto couplers for type GH24、GH2Sand GH26 1992-11-19发布1993-05-01实施中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件GH24、GH25和GH26型半导体光糯合器详细规范Detail speciflcation ror semiconductor opto couplers ror type GH24、GH25and GH26 1.1 主题内容本规范规定了陶瓷封装的GH24、

2、GH25和GH26GJB33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个中国电子工业总公司1992-11-19发布A 同SJ 20072 92 要求.该种器件(GP、GT和GCT级).1993-邸-01实-1一SJ 20072 .92 .2 外形尺寸见图10吃o.l 尺寸符号|最A 6 l b1 e Al 5 2 D 0.51 e 4 3 b1 c e 0.35 0.20 公称尺寸l2.54 最5.1 0.59 0.36 圄1.3 最大额定值除非另有规定.T，础-25C). .3. , 红外发射二极管最大额定VR 1F1) (V) (mA) 5 4() 注I1) T . b=65-100C

3、时，按0.67mA/C线性怦唰.2) 脉冲宽度为1.0间，每秒300个脉冲(300PPS).3.2 光敏晶体管最大额定值Vc回Vc:皿(V) (V) 35 35 注I1) T . b=25-100C时，按1.3mW /C -2一VE回(V) 4 c ej 6 5 4 4/ z i 2 3 mm el L D Z 3.5 7.62 5.0 I 10. 16 I 2.54 I恤Zl (A)(pk) l pn . Ic (mW) (mA) 100 25 8J 20072 92 .3.3 合器最大额定值T皿T啕1;., CC) CC) (V) 一55-+100一55-+1251000 .4 主要光电特

4、性(T.mb-2S.C),. 4. , 红外发射二极管输入特性IR VF A v VR = 5V IF = 10mA 最小最大 最小最大100 0.8 1. 3 .4.2 光敏晶体管输出特性Icro V(阻lCroV(回归回V(BRlE回hFE IF=O VCE=20V Ic=100A Ic=100A IE=100A VcE=5V.IF冒oIc=10mA nA V v V GH24 GH25 GH26 + 最小最大最小最大最小最大最小最大最小最大最小最大最小最大100 35 35 4 200 300 400 .4.3 传输特性极参数条件GH24 GH25 GH26 单位最小最大最大最小最大R;

5、., V=1000V(见4.5. 5) 1010 1010 1010 。C;., V=O.j=lMHz (见4.5. 5) 5 5 5 pF t, V=10V.IF=20mA. 5 5 5 s tf RL=50n 5 5 5 s VCE(匾。IF=2臼nA.lc=lmA0.3 0.3 0.3 V CTR1 VcE=10V.lc=1仇nA25 60 100 % CTRz VcE=10V.lc=2mA 7.5 10 20 % 一3一2 引用文件GB 4587 84 GJB 33 85 GJB 128 86 SJ 2215.10 SJ 20072一路双极型晶体管测试方法半导体分立器件总规范半导体分立

6、器件试验方法体光搞合器测试方法2215. 14 82 SJ/Z 9014.2 87 体器件分立器件和集成电路第5部分g光电子器件3 3.1 各条要求应按GJB33、SJ/Z9014.2和本规范的规定。3.2 缩写、符号和定义本规范使用的缩写、符号和定义应符合GJB33、SJ/Z9014.2和本规范的-一正向瞬态峰值电流.CTR一一直流电流传输比。Riao一一输入与输出问绝缘电阻.Ci曲一一输入与输出间电叮.Viao一一最大直流隔离电压。3.3 设计、结构和外形尺寸 件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB33和本规范图1的规定.3.3. 1 引线材料和涂层E 引线材料应为可伐合金或等效物.引线涂层

7、应为涂金、镀锡或漫锡.如果要求选择引层，应在合同中规定见6.2条) 3.4 标志制造厂有权将GJB33中规定的下列标志从管体省略a.制造厂的识别。4质4.1 抽样和检抽样和检验应按GJB33和本规范的规定.4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选仅对GT和GCT级选应按GJB33表2和本规施的规定。下列测试应按本规范表1和表2的规定进行，超过表1和表2极限值的器件不应接收。一4一8J 20072 92 筛选(见GJB33表2)测试3.热冲击见4.3.16. 见4.3.27.中间测试IR IcEo1 .hFE .CTR.Ic E01 =100%初始值或25nA(dc).取较大者

8、8.电老化见4.3.39. 试1中A2分组.ICEOl= 100%初始值或25nA(dc).取较大者，MFE罩士20%初始值.t:;.，R1=士20%, IR=1%初始值或25A(dc).取较大者4.3. 1 热冲击温度循环 最低温度为一55C，极限温度下的试验时间至少为15min，10次循环外，所有按GJB128中方法1051的试验条件B进行热冲击(温度循环试验.4. 3. 1. 1 受监控的热冲击温度循环百分之百器件都要经受一个循环的受监控的热冲击试验.这个试验可以在规定的热冲击试验完成之后的任一时间进行，也可在第四次热冲击之后进行.应监控所有的PN结的电连续性，任何非连续都将引起该试验后

9、器件的失效，如果经受监控的热冲击试验后器件失效率于或超过10%，则全部批不能作为GT和GCT级器件交货.4.3.2 所有器件应按GJB128中方法1039试验的方法A进行试验oT A 100C ,1 F 0, V CE -28V，至少48h。4.3.3 功率老化试验条件功率老化试验条件如下所述:老化电路如图2所示，V=15V，VCE = 10V , IF- 40mA , T.mb-25士3C，Po，-100士10mW，时间:168ho器件上无热沉或直接的空气阳叮叮.0 4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4.1 A组A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4

10、.4.2 B组检验B组检验应按本规范表2的规定进行，最后测试应符合本规范表4的步抓-4.4.3 C组检验C组检验应按本规施表3的规定进行，最后测试应符合本规施表4的步抓。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应符合本规范相应表和下面的规定24.5. 1 脉冲测试脉冲测试条件应符合GJB128中3.3. 2条的规定.-5一SJ 20072 92 4.5.2 高温隔离电压的验证在红外发射二极管的正负极短路连接和晶体管集电极、发射极和基极短路的条件下进行.将样品分成2个数量相等的组，其中一组的样品红外发射二极管端接Viao的阳，晶体管端接Viao月极F另一组的样晶红外发射二极管端接V剧的阴极，晶体管端

11、接Viao的阳.所有电压都应在规定的环境温度下咒刷4.5.3 红外发射二极管输入试本试验应在输出端晶体管开路的条件下进行.4.5.4晶体管输出试验本试验应在输入端红外发射二极管开路的条件下进行.4.5.5 输入，输出绝缘电阻、输入，输出电容试验应在输入端1、2和3短路连接和输出端4、5和6短路连接的条件下进行见图1).4.6 内部目检封帽前内部目检应按GJB128方法2072和2073以及本规范的规定.方法2073用于检验红外发射二极管.方法2072用于检验晶体管芯片和所有恫曰.川I 4.6.1 红外发射二极管芯片目芯片应在只能容纳一个芯片的容器内放大100倍检验.4.6.2 硅晶体管芯片目检

12、芯片应在只能容纳一个芯片的容器内放大100倍检验.4.6.3 芯片位置时，发射芯片相对接收芯片不能超出其宽度的33%.4.6.4 芯片连接芯片与底座内部引线的连接应完整无缺-E交货准备包装、贮存和6 说明事项6. 1 说明求应符合GJB33的规定.GJB 33的说明适用于本规范。6.2 订货资料必要时，合同应规定引线涂层(见3.3. 1条).-6一SJ 20072 92 表1A组检验方法部一条B-G一件LTPDI符号位A1分组外观和图1的D，e、el应符合要求，涂明显锈蚀，外观无缺损5 2071 A2 5 红外发射一极管特性g反向电流ISJ 2215.4 1 VR盟5V(见4.5. 3) 1R

13、 100 |A |臼n比2I 1F=lOmA(见4.5.3) 正向电压VFl 0.8 1. 3 IV 晶体管特性z集电极发射极击ISJ 2215.7 1 1c=100A，ls=O， 1 V (SRlCEO 1 35 飞飞J穿电压1F=0(见4.5.的集电极基极击穿GB 4587 1c=100A，IE=O， 1 V (SRlC皿!35 IV 电压2. 9. 2. 1 1F=0(见4.5.的，基极击穿GB 4587 1E=100A，lc=O， 1 V(SRlEBO 1 4 IV 电压2. 9. 2. 2 1F=0(见4.5. 4) 集电极发射极晴SJ 2215.9 VCE= 20V ,ls=O,

14、1 1CE01 100 InA 电流h=O(见4.5.4)直流电数GB 4587 VCE=5V，lc=1臼nA，hFE 2.8 lF=O，(见4.5.的GH24 200 GH25 300 GH26 400 比SJ 2215.10 VcE=10V ,IF=10mA CTR1 1% GH24 25 GH25 60 GH26 100 直流电传输比 1% SJ 2215.10 VcE=10V ,IF=2mA CTRz GH24 7.5 GH25 10 GH26 20 集电极-发射极饱SJ 2215.8 lF=20mA ,lc=lmA VCE(.。0.3 IV 和电压入与输出间绝缘ISJ2215.13

15、1 V ., =1000V R., 1010 |。电阻A3分组.作特性s晶体管特性E电极电流5 TA=100C 2215.9 VcE=20V,ls=0 1F=0(见4.5. 4) lcEOz 100 IA 一7一SJ 20072 92 续表GJB 128 极符号最小|最大方法条件光榈口哥哥付T.:I:.I 直流电流比SJ 2215.10 VcE=10V,IF=10mA 1 CTR3 1% GH24 I 10 GH25 25 GH26 40 红外发射一极管特性=反向电流SJ 2215.4 VR=5V(见4.5. 3) IR |A 低温工作特性2TB=-55C 2 直流比ISJ2215.10 1

16、VcE=l队IF=10mA1 CTR. 1 1% GH24 I 10 GH25 25 GH26 40 红外发射一极管特性g正向电压ISJ 2215.2 11F=10mA(见4.5. 3) VF3 I 1. 0 I 1. 5 IV A4分组5 出电容I SJ 2215.12 f_1MHz(见4.5. 5) C . pF 1V.1=0 上升时间SJ 2215.11 Vcc=10V,IF=20mA, 5 |阳RL=50n 时间ISJ 2215.11 1 V目川，IF=20mA，t |阳RL=50n 表2B组检验一GJB 128 检验和LTPD 方法条件15 B1 可2026 1022 停顿时间:10

17、8，至管壳距离:1.5mm , 标志耐久性B2分组10 热冲击1051 试验条件B，其中为一55C密封1071 a. H b.粗C 最后试见表4步1、2和3-8一检验和试验B3分组高温隔离电压最后测试稳态工作寿命最后测试B4分组开帽内设计检查度B6分组寿命(不工作最后测试C1分组外形尺寸和, 环C3分组冲击变频振动加速度最后测试C4分组(适用时盐气(浸蚀试验SJ 20072 92 续表2GJB 128 方法条本规范4.5. 2 I Vi回=150V(见4.5. 2) TA盟100C.t= 24h 见表4步骤1、2和4件1027 Ptot=100土10mW.Vcc=15V .VcE=10V. I

18、F=20mA.T .b=25土3C(见图2)见表4步骤5和6LTPD 20 2075 每批检2037 1032 TA=125C 见表4步骤5和6表3C组检验方法2066 I见图1GJB 128 条件1051 2036 1071 件B-1.其中低温-55C.时间z最长72h试验条件E件H件C1021 I省略初始条件20 -. 涂层元明显锈蚀，损 见表4步1和22016 不工作，加速度，14700m/s2件/零失效20(C=0) 7 LTPD 15 10 10 2056 2006 持续时间，O.5ms.X1、Y1，Yi和ZI方向各冲击5次不工作1041 不工作;见表4步, 196000 m/s2

19、.方向，XhYhY2和ZI2手日315 -9一SJ 20072 92 续表3GJB 128 检验和LTPD 方法条件C6分组=10 稳态工作寿命1026 P.o.=100士10mW.V，=15V.VcE冒10V.IF=20mA.T.mb=25士3.C(见图2)试见表4步5和6表4B组和C组最后测试步检验和试验方法条件符号棚值最1 I 电极啕发射极ISJ 2215.9 1 VcE=20V./B=0./F=0 ICE01 100 I nA 电流(见4.5.的2 I直流电流传输比SJ 2215.10 VCE=10V./F=10mA CTR1 1% GH24 25 GH25 60 GH26 100 3

20、 I集电极-发射极饱SJ 2215.8 h=20mA./c=hnA VCE(.1 0.3 IV 和电压4 I反向电流SJ 2215.4 VR=5V(见4.5. 3) IR 100 A 5 I集电极SJ 2215.9 VCE=20V./B=0.h=0 ICE01 200 nA 电流见4.5.的6 I直流电流比SJ 2215.10 VCE嚣10V./F= 10mA CTR1 1% GH24 20 GH25 48 GH26 80 + R lkO -VCE Vcc q 6V 5400 -图2功率老化、工作寿命试验电路一10一SJ 20072 92 附加说明:本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由苏州半导体总厂负责巳T0 本规范主要起草人:周慈平、朱治中、严娟娟、胡1l波、王秀英。计划项目代号:BOI025.-11一