GB T 15120.2-2012 识别卡.记录技术.第2部分:磁条.低矫顽力.pdf
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1、ICS 35.240.15 L 64 量B中华人民共和国国家标准GB/1l 15120.2-2012 代替GB/T15120. 2-1994,GB/T 15120. 4-1994 ,GB/T 15120.5-1994 识别卡记录技术第2部分:磁条低矫顽力IdentificatD.on cards-Recording tec.hnique-一Part 2 : Magnetic stripe-Low coercivity (ISO/IEC 7811-2 :2001 ,MOD) 2012-12-31发布2013-06-01实施艳阳/拦Y中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局串舍中国国家标准化管理委员
2、会乱叩GB/T 15120.2-2012 目次前言.1 1 范围.2 符合性.3 规范性引用文件4 术语和定义.5 识别卡的物理特性.3 5. 1 磁条区域翘曲.3 5.2 表面变形.3 6 磁条的物理特性.4 6.1 磁条区域的高度和表面轮廓.4 6.2 表面粗糙度.6 6.3 磁条与卡的粘合.6 6.4 读/写磁头对磁条的磨损.6 6.5 耐化学性.67 磁性材料的性能特性.6 7.1 总则.6 7.2 测试和操作环境.6 7.3 对磁介质信号幅度的要求.7 8 编码技术.8 9 编码规范总则.9 9.1 记录角.9 9.2 标称位密度.10 9.3 第1、第2和第3磁道的信号幅度要求.
3、10 9.4 位构成. 10 9.5 记录方向.10 9.6 前导零和后导零四川编码规范.1110. 1字母数字磁道第1磁道.10.2 数字磁道一一第2磁道. 13 10.3 数字磁道一一第3磁道.15 11 差错检测.15 11. 1 奇偶校验. 15 11. 2 纵向冗余校验(LRC).15 12 编码磁道的位置.16 附录A(资料性附录磁条的读兼容性(GB/T15120.2和GB/T15120.的. 17 附录B(资料性附录磁条的研磨性.18 GB/T 15120.2-2012 前言GB/T 15120(识别卡记录技术分为以下几个部分z一一第1部分z凸印p第2部分:磁条低矫顽力z-一第3
4、部分:ID-1型卡上凸印字符的位置E一一第6部分2磁条高矫顽力。本部分为GB/T15120的第2部分。本部分按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本部分代替GB/T15120.2-1994(识别卡记录技术第2部分z磁条、GB/T15120. 4-1994 识别卡记录技术第4部分z只读磁道的第1磁道和第2磁道的位置和GB/T15120. 5-1994(识别卡记录技术第5部分z读写磁道的第3磁道的位置。鼓励使用者回顾整个标准的修订和更新。本次修订的主要变化如下za) 在GB/T15120.4一1994和GB/T15120. 5-1994中给出的要求已经包含在GB/T15120.2 的本版本
5、中sb) 将术语主标准修改为源标准气。增加了部分术语和定义zd) 增加了部分要求。本部分修改采用ISO/IEC7811-2: 2001(识别卡记录技术第2部分z磁条低矫顽力。本部分与ISO/IEC7811-2 :2001相比,存在如下少量差异za) 删除了国际标准前言;b) 删除了文本中大部分的英制单位,对于工业界的习惯用法,某些部分的英制单位仍保留;c) 根据目前源标准和二极标准的迁移情况,将源标准定义为一套由德国物理技术研究院(PTB)建立,并且目前在美国Q-Card保存的基准卡,代表RM7811亿指定的UR和IR的数值气将二级标准中的注改为二级标准目前可以从美国Q-Card订购,地址为:
6、301 Reagan Street, Sunbury,PA17801 , USA.二极标准源将至少保存到2012年气d) 根据ISO/IEC10373-2的最新版本,删除了ISO/IEC7811-2: 2001的附录B信号幅度测量。本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)提出。本部分由中国电子技术标准化研究所归口。本部分起草单位z中国电子技术标准化研究所、云南南天电子信息产业股份有限公司、中国乐凯胶片集团公司。本部分主要起草人z冯敬、段霞、金倩、高林、耿力、袁理、王文峰、乔申杰。本部分所代替标准的历次版本发布情况为z一一-GB/T15120. 2-1994; 一一-GB/T15
7、120.4-1994; GB/T 15120.5-1994. I GB/T 15120.2-2012 识别卡记录技术第2部分:磁条低矫顽力1 范围GB/T 15120的本部分是描述在第4章中定义的识别卡的特性和国际交换中使用识别卡的系列标准之一。本部分规定了识别卡上低矫顽力磁条(包括任何保护涂层的特性、编码技术、编码磁道的位置和字符集。根据人、机两者因素规定了最低要求。矫顽力影响到本部分中许多量值的规定,但本身未作规定。把卡暴露于磁场之中很可能使已记录的数据被破坏。本部分适用于提供卡应遵循的准则。在这些标准中没有考虑使用次数,如果需要,则根据以前卡测试的经验。如果卡不符合规定准则,应在涉及到的
8、各方中进行协商。ISO/IEC 10373-2规定了检查卡符合本部分规定参数的测试步骤。注=在本部分中用到的公制和/或英制测量体系中的数值可能已经被换算,但相互间并不完全相等。两种制式都被使用,但两者不宜被混杂或被再转换。最初的设计是使用英制测量体系.2 符合性符合本部分的前提条件是符合GB/T14916。当识别卡符合此处规定的所有强制性要求时才能声称符合本部分。如果其他方面未作规定,则使用默认值。3 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本造用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单适用于本文件。GB/T 3505 产品几
9、何技术规范(GPS)表面结构轮廓法术语、定义及表面结构参数(GB/T 3505-2009, ISO 4287 :1 997 ,IDT) GB/T 14916识别卡物理特性(GB/T14916-2006, ISO/IEC 7810:2003 ,IDT) GB/T 17554. 1识别卡测试方法第1部分z一般特性测试(GB/T17554.1-2006, ISO/ IEC 10373-1:1998,MOm ISO/IEC 10373-2识别卡测试方法第2部分z带磁条的卡(ldentificationcards-Test meth ods-Part 2 :Cards with magnetic str
10、ipes) 4 术语和定义GB/T 14916界定的以及下列术语和定义适用于本文件。4. 1 源标准primary standard 一套由德国物理技术研究院(PTB)建立,并且目前在美国Q-Card保存的基准卡,代表RM7811亿GB/T 15120.2-2012 指定的UR和IR的数值。4.2 二级标准second町standardRM7811-2指定的基准卡,它和源标准的关系在与每张卡一起提供的校准证书中说明。4.3 注2二级标准目前可以从美国Q-Card订购,地址为:301Reagan Street, Sunbury, PA17801 , USA.二级标准源将至少保存到2020年。未编
11、码未使用的卡unused un-encoded card 具有预期用途所要求的全部组件,未进行过任何个人化或测试操作,并且被保存在清洁的环境中,在5.C30.C的温度和10%90%的湿度条件F并且暴露在自光下的时间不超过48h,也未遭受过热力冲击的卡。 飞4.4 己编码未使用的根据4.3,为了返回的卡4Jd乓的一,只是进行了数据编码例如磁条编码、四、6酌4l?如严放捕时为吵叫又被返回的卡4. 10 磁通翻转fltransitioI) 磁化距离变化事最大的位置.test recording currents Imin=对应于3.5倍FR的记录电流zlmax=对应于5.0倍FR的记录电流。单个信号
12、幅度individual signal amplitude U j 单个读出电压信号的基-峰值幅度。4. 11 2 平均信号幅度average si伊aIamplitude UA 一/ GB/T 15120.2-2012 一个磁道上,覆盖整个磁条区域的每个信号峰值(Ui)的绝对值相加后的总和,再除以信号峰值的总个数后得到的数值。4. 12 4. 13 4. 14 4. 15 4. 16 基准信号幅度reference signal amplitude UR 基准卡校正到源标准后得到的平均信号幅度的最大值。物理记录密度physical recording density 记录在一个磁道上的每单位
13、长度内的磁通翻转数量。位密度bit density 单位长度内存储的数据位的数量(单位为bits/mm或bpi)。位单元bit cell 两个时钟磁通翻转间的距离,见图10。子间距subinterval 两个时钟磁通翻转间的距离的一半,见图10。5 识!lJ卡的物理特性识别卡应符合GB/T14916中给出的规定。警告z发卡者应注意保存在磁条上的信息可能会因为与不洁物质或化学物品接触后受污染而失效。还应注意任何披置在磁条表面的印刷或遮盖物不得使磁条功能有所减弱。5. 1 磁条区域翘曲在与磁条相对的卡的正面均匀施加2.2N的力,引起的整个磁条在刚性平面上的偏离应不超过0.08 mm。5.2 表面变
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