【学历类职业资格】电子技术基础真题2010年04月及答案解析.doc
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1、电子技术基础真题 2010 年 04 月及答案解析(总分:100.00,做题时间:90 分钟)一、单项选择题(总题数:15,分数:30.00)1.N 型杂质半导体中,多数载流子是( )A正离子 B负离子C空穴 D自由电子(分数:2.00)A.B.C.D.2.理想二极管构成的电路如题 2 图所示,则输出电压 Uo为( )(分数:2.00)A.B.C.D.3.测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位,如题 3 图所示,则可判定该管处在( )(分数:2.00)A.B.C.D.4.测得某放大状态的晶体三极管,各管脚的电位如题 4 图所示,则可判定该管为( )(分数:2.00)A.B.C.D.5.下列
2、基本放大电路中,有电压放大作用无电流放大作用的是( )A共射极放大电路 B共集电极放大电路C共基极放大电路 D共源极放大电路(分数:2.00)A.B.C.D.6.题 6 图所示特性曲线是( )(分数:2.00)A.B.C.D.7.为了使输出电阻降低,在放大电路中应引入交流( )A串联负反馈 B并联负反馈C电压负反馈 D电流负反馈(分数:2.00)A.B.C.D.8.已知某放大电路的电压放大倍数为 104,则该电压放大倍数用分贝表示为( )A40dB B60dBC80dB D100dB(分数:2.00)A.B.C.D.9.乙类互补对称功率放大电路会产生( )A频率失真 B交越失真C饱和失真 D截
3、止失真(分数:2.00)A.B.C.D.10.单相桥式整流电路,已知输出电压平均值 Uo=9V,则变压器二次侧电压有效值应为( )A4.5V B (分数:2.00)A.B.C.D.11.逻辑函数 (分数:2.00)A.B.C.D.12.三位二进制编码器可实现的编码状态为( )A2 个 B4 个C8 个 D12 个(分数:2.00)A.B.C.D.13.下列与或逻辑函数式 具有相同逻辑功能的为( )AF=AB BF=AC D (分数:2.00)A.B.C.D.14.逻辑电路如题 14 图所示,则其输出函数表达式为( )A (分数:2.00)A.B.C.D.15.集成双向移位寄存器 74LS194
4、 应用电路如题 15 图,该电路初始状态为 Q0Q1Q2Q3=0001,则经过三个 CP后,电路的状态应为 Q0Q1Q2Q3=( )(分数:2.00)A.B.C.D.二、填空题(总题数:9,分数:9.00)16.晶体三极管甲的 =200,I CBO=10A,晶体三极管乙的 =80,I CBO=0.2A,两管比较,可判定是晶体三极管 1 的性能好。(分数:1.00)填空项 1:_17.由 NPN 型管构成的基本共射放大电路,若静态工作点偏低(即 IBQ小,I CQ小),将容易产生 1 失真。(分数:1.00)填空项 1:_18.放大电路中的负反馈有 4 种组态,若要求输入电阻高,输出电阻高,在放
5、大电路中应引入 1 负反馈。(分数:1.00)填空项 1:_19.在双端输入的差动放大电路中,已知 ui1=8mV,u i2=4mV,则共模输入信号 uic= 1mV。(分数:1.00)填空项 1:_20.晶体管 V1的 1=50,晶体管 V2的 2=30,若两管组成复合晶体管,则该复合品体管的 约为 1。(分数:1.00)填空项 1:_21.与十进制数(31) 10相对应的 8421BCD 码为( 1) 8421BCD。(分数:1.00)填空项 1:_22.函数 (分数:1.00)填空项 1:_23.由主从型 JK 触发器构成的电路如题 23 图所示,此电路实现了_功能。(分数:1.00)填
6、空项 1:_24.由 555 定时器构成的单稳态触发器、施密特触发器、多谐振荡器三种电路中, 1 电路接通电源后能自动产生脉冲信号。(分数:1.00)填空项 1:_三、分析计算题(总题数:5,分数:40.00)25.放大电路如图所示,已知己,U CC=12V,R B=120k,R E=RL=4k,=40,U BEQ=0.6V,r bc为已知。(1)指出该放大电路的名称;(2)计算静态量 IEQ、U CEQ;(3)写出输入电阻 ri的表达式。(分数:8.00)_26.差动放大电路如图所示,已知 RC=RE=10k,R L=20k,R B=1.5k,r be=1.5k,=60。(1)指出该电路的输
7、入输出方式;(2)计算差模电压放大倍数 Ad差模输入电阻 rid及输出电阻 ro。(分数:8.00)_27.理想运放构成的电路如图所示。(1)指出题 27 图为何种运算电路;(2)写出 uo与 ui的表达式;(3)计算平衡电阻 R2;(4)指出电路中存在何种负反馈组态。(分数:8.00)_28.稳压电路如图所示,W7815 的静态电流 IQ可忽略,已知 RL=1k。(1)Uo=?;(2)计算 Uo;(3)计算 IL;(4)指出电容 Ci的作用。(分数:8.00)_29.时序逻辑电路如图所示。要求:(1)写出各触发器的驱动方程;(2)填写电路状态表(设电路初态 Q2Q1=00);(3)说明电路的
8、进制数 N。(分数:8.00)_四、设计题(总题数:3,分数:21.00)30.用一个集成运放设计一个电路,满足 uo=-4ui1-6ui2的关系,要求电路的最大输入电阻为 30k。(1)画出设计的电路图;(2)计算电路的输入电阻 R1和 R2及反馈电阻 RF。(分数:7.00)_31.已知 N 为三位二进制数(如 N=ABC),设 0N6 且为偶数时,输出 F=1,否则 F=0,试:(1)列出真值表;(2)写出逻辑表达式并化为最简与或式;(3)化为与非-与非式;(4)画出仅用与非门实现的逻辑电路图(输入变量允许有反变量)。(分数:7.00)_32.用集成四位二进制(十六进制)加法计数器 74
9、LS161(T214)设计一个七进制计数器。(1)用反馈置数法( )设计组成电路,要求置数为 D3D2D1D0=0010。(2)确定反馈组态。(3)画出计数环节的循环状态图。74LS161(T214)逻辑符号及功能表如下图和下表所示。(分数:7.00)_电子技术基础真题 2010 年 04 月答案解析(总分:100.00,做题时间:90 分钟)一、单项选择题(总题数:15,分数:30.00)1.N 型杂质半导体中,多数载流子是( )A正离子 B负离子C空穴 D自由电子(分数:2.00)A.B.C.D. 解析:解析 由于 N 型半导体是在本征半导体中掺入五价元素得到的,掺杂使得自由电子数目大增,
10、也更增加了电子和空穴的复合机会,从而使得空穴的数目变得更少。自由电子成为占压倒性多数的载流子,故被称为“多数载流子”,空穴则称为“少数载流子”。2.理想二极管构成的电路如题 2 图所示,则输出电压 Uo为( )(分数:2.00)A.B. C.D.解析:解析 由图可知,二极管正向导通,电路组成一个正常工作回路。由于二极管为理想二极管,所以 Uo=+5V。3.测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位,如题 3 图所示,则可判定该管处在( )(分数:2.00)A.B.C. D.解析:解析 由图可知,该晶体三极管为 NPN 型锗管且 UBE=1.8-2=-0.2(V),对于 NPN 型锗管,当 UB
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