SJ 50033 12-1994 半导体分立器件.3DK209型功率开关晶体管详细规范.pdf

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1、1范中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DK209型功率开关晶体范1. 1 主题内容SJ 50033/12 94 本规范规定了3DK209AI型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。1. 2 外形尺寸外形尺寸应按GB7581(半导体分立器件外形尺寸的B2一01C型及如下规定(见图1):、t号B2一01CR, 口】mno1 盯lax5也A 8. 63 12. 19 2-;P、, b1 1. 52 : b2 0.966 1. 092 D 22.86 R, d 5.46静F 3.50 q L

2、8.0 13.9 U , L1 1. 52 P 3.84 4. 21 十q 29. 90 30.40 R1 13. 58 吃R2 4.82 6份1I S 16.89骨4 U1 40.13 U。27.17 图11.3 最大额定值中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 一l一SJ 50033/12 94 Ptot 1) VCBO VCEO 型号Tc =25C (W) (V) (V) 3DK209A 50 30 3DK209B 80 50 3DK209C 110 80 3DK209D 150 110 3DK209E 200 200 150 3DK209F 250 200

3、 3DK209G 350 250 3DK209H 450 300 3DK2091 500 350 注:1) Tc 250C，按1333mW/C的速率线性地1.4 主要电特性(TA=25C) 。可极hFE1 1) V CE(sat) V BE(sat) ton t, Ic =7. 5A Ic =7. 5A CE = 5.0、Is =0. 75A 1, =0. 75A IB2 -O. 75A Ic =7. 5A (V) (s) 型号盯laxmax 3DK209A-I 红15-25|橙25-40黄40-550.8 1. 5 1.0 2. 5 |绿55-80蓝80-12VEBO Ic IB TJ T

4、(V) (A) (A) CC) CC) .、6 15 5.0 175 一55-175tl fT Cob RthU-, VE=10V VCB =10V lt =1. OA f=0.1MHz YCE =25V f=3.0MHz IE =0 Ic =2. 7A CMHz) (pF) ( C/W) mm 口lax盯lax0.5 8 1100 O. 75 注:1) hFE1 三40各档，其误差不超过士20% ; hFE1 40各档，其误差不超过士10%。2 引用文件3 GB 4587 GB 7581 GJB 33 GJB 128 求3. 1 详细要求双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器

5、件总规施半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出线材料和涂层2一SJ 50033/12 94 引出线材料应为可伐，引出线表面应为锡层或镰层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。3、3标志器件的标志应按GJB33的规定。4 保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表

6、1规定极限值的器件应予剔除。选试(见GJB33的表2)GT和GCT级7、中间电参数测试ICBOI和hFEI8、功率老化见4.3.19、最后测试按本规范表1的A2分组:IcIl()j 初始值的100%或250A.取较大者。4. 3- 1 功率老化条件功率老化条件如下:4.4 Tj 162.5士12.5C VCE =25V P，ot二三100W0 致性检验hFE1 初始值的土20%质量一致性检验应按GIB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规

7、范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4. 5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2 热阻一3一SJ 50033/12 94 热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a. 加功率时的Ic-2. 7A; b. VCE 25V; C. 基准温度测试点应为管壳;d. 基准点温度范围为25CTc75C，实际温度应记录;e. 安装应带散热装置;f. R削-c)的最大极限值应为0.75C/W。4.5.3 c组寿命试C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4 恒定加速度恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行t表

8、1A组限值单位GB 4587 检验或试验LTPD I符号方法叫条件mm I口lax寸Al分组外观及机械检验GJB 128 5 2071 A2分组电极发射极击穿电压3DK209A 3DK209B 3DK209C 3DK209D 3DK209E 5 ，本规范|发射极一基极开路附录AI Ic =5mA V BRlCEO y VVVVVVVV 30 50 80 110 150 200 250 300 3DK209F 3DK209G 3DK209H 3DK2091 350 I V VBRlE回|发射极一基极2. 9. 2. 2 集电极一基极开路;V I IE =5mA 击穿电压集电极2. 1 发射极基极

9、开I 1 C()l O. 5 mA 止电流VCB = VCBO 集电极一基极2. 1. 4 发射极一基极开路;I I IcEO mA 截止电流l I VCE = VCEO 发射极一基极2. 2 |集电极一开路;I I IEBO 0.5 mA 止电流集电极一基极饱和电压2. 3 VEB = 6V Ic = 7. 5A IB =0. 75A V CE(sat) 1. 0 V 4一SJ 50833/12 94 续表1GB 4587 极限值检LTPD 符号单位方法条f牛口un口lax基极一发2.4 Ic = 7. 5A VBE(阳t)1.5 V 饱和电压1B =0. 75A 正向电流比2. 8 VCE

10、 =5. OV hFE1 15 25 Ic =7. 5A 25 40 40 55 55 80 80 120 A3分组10 高温工作TA =125士5C 集电极一基极2. 1 发射极一开路1Cl阳25.0 mA 止电流VCB =0. 7Vc船低温工作TA = -55C 正向电流传输比2.8 VCE =5. OV Ic =7.5A hFEO 7 脉冲法(见4.5. 1) A4分组5 输出电容2. 11. 3 VCB =10V Cob 1100 pF 1E =0 j=O.lMHz 导通时间A. 4 Ic =7. 5A ton 1. 0 s 1B1=0.75A 1B2 =一0.75A贮存时间A.4 I

11、c =7. 5A t , 2. 5 s 1B1 =0. 75A 1B2 =一0.75A时间A.4 1c=7.5A tr 0.5 s 1B1=0.75A 1B2 =一0.75AA5分组10 安全工作区Tc =25C (宜流)t = ls.单次试验1VCE =13. 3V Ic =15A 试验2VCE =30V Ic =6. 67A 试验3VCE =50V 3DK209B一IIc =1. 72A 试验4VCE =80V 3DK209C IC Z497mA 一一5一SJ 50033/12 94 续表1GB 4587 极限值检验或试LTPD 符号单位方法条f牛 口unmax 3DK209D VCE =

12、llOV I=214mA 3DK209E VCE =150V Ic =94mA 3DK209F VCE =200V Ic =44mA 3DK209G VCE =250V Ic =24mA 3DK209H VCE =300V Ic = 15mA 3DK2091 VCE =350V Ic =10mA 最后试见表4步1和3表2B组检验GJB 128 检验LTPD 方法条峰T,41 B1分组可焊性标志耐久性、15 2026 1022 B2分组一55C10 热?电击(循环)I 1051 |其余条件见试斡条件F密封1071 条件Ha、细检条件Fb、粗最后测试|见表41和3B3分组稳态工作寿命1027 Tj

13、=162.5士12.5C VCE =25V PtO, ?:100W 见表4步骤2和45 最后测试B4分组开帽内部自检设汁核实强度2037 试验条件A每批1个0失效20(c=0) , 2075 B6分组高温寿命(不工作)最后7 1032 TA =175 C 见表4步骤2和4一6一SJ 50033/12 94 表3C组检验GJB 128 中及值检LTPD 符号单位方法条件 口unmax C1分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 热冲击1056 试条件8(玻璃应力引出端强度2036 试条件A密封1071 a、细试H b、粗试验条件FtE3 度/湿度期1021 最后试见表4步1和3C3分组1

14、0 冲击2016 按总规范动2056 按总规程加速度2006 按总规范最后试C4分组. 15 盐气(侵蚀)(适用时)1041 C6分组Tc =100C =10 稳态工作寿命1026 Tj=162.5士12.5.CVcE=25V Ptot=100W 最后测试见表4步2和4C8分组15 热阻GB 4587 VcE=25V 2.10 Ic=2.7A R由(j-1.) O. 75 C/W 表4A组、B组和C试GB 4587 限步检符号单位方法条件盯unmax 1 电极一基极截止电2. 1 I发射极基极开路Ic回10.5 mA VCS=VCBO 2 I集电极基极2. 1 I发开Ic皿11. 0 mA V

15、CB= VCBO 一7一SJ 50033/12 94 续表4GB 4587 步骤检验符号方法条件3 正向电流传比2.8 VCE =5. OV hFE1 lc =7. 5A 4 i忌向岛川输比2. 8 VcE=5.0V t. hFE1 l! Ic =7. 5A - . .峨-. _. r 1)本测试超过A组极限值的器件不应。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存雯求应按GJB33的规定。二.3运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层(见3.2. 1)。6. , 2 如使用单位需要时，典型特性曲线等可在

16、合同或订货单中规定。6: 3 直流安全工作区(见图2)。8一限值单位mm max 15 25 25 40 40 55 55 80 80 120 初始值的士25YoSJ 50033/12 94 Tc =; 2S.C 2 10 ，蝇、, 、川、u 1锦量g; 0 T-T.-.-.I 召P . 岳P4晨1二。I3DK 0-. 1 3DK2091. . 01 10 30 50 8C 100 200 400 1000 集电极一发射极电居民应(V】图23DK209直流安全工作区一9一A1 目的SJ 50033/12 94 附电极一发射A (补充件) 试方法本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿

17、电压是否大于规定的最低极限。A2 S Rl + 电压源VCE. -A 注z在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图Al集电极一发射极击穿电压测试电路A3 测试步限流电阻Rl应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试tgj在下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使乱注言均流及结温保持在安全值以内。A4 规定条件a. 环境温度TA;b. 测试温度Ic0 附加说明:本规范由中国电子标准化研究所归口。本规范由衡阳市晶体管厂负责起草。本规范主要起草人:夏贤学、欧阳映和计划项目代号:H90I00l、H901002一-10一一 电极电