DIN EN 60191-6-22-2013 Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-22 General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device.pdf

《DIN EN 60191-6-22-2013 Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-22 General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《DIN EN 60191-6-22-2013 Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-22 General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device.pdf（18页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、August 2013DEUTSCHE NORM DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDEPreisgruppe 14DIN Deutsches Institut fr Normung e. V. Jede Art der Vervielfltigung, auch auszugsweise, nur mit Genehmigung des DIN Deutsches Institut fr Normung e. V., Berlin, gestattet.ICS 3

2、1.240; 01.100.25!%$M“2015842www.din.deDDIN EN 60191-6-22Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen Teil 6-22: Allgemeine Regeln fr die Erstellung vonGehusezeichnungen von SMD-Halbleitergehusen Konstruktionsleitfaden fr HalbleitergehuseSi-Feinraster-Ball-Grid-Array und Si-Feinraster-Land-Grid-Arr

3、ay(S-FBGA und S-FLGA)(IEC 60191-6-22:2012);Deutsche Fassung EN 60191-6-22:2013Mechanical standardization of semiconductor devices Part 6-22: General rules for the preparation of outline drawings of surface mountedsemiconductor device packages Design guide for semiconductor packages Silicon Fine-pitc

4、h Ball Grid Array and SiliconFine-pitch Land Grid Array (S-FBGA and S-FLGA)(IEC 60191-6-22:2012);German version EN 60191-6-22:2013Normalisation mcanique des dispositifs semiconducteurs Partie 6-22: Rgles gnrales pour la prparation des dessins dencombrement desdispositifs semiconducteurs montage en s

5、urface Guide de conception pour les botiers matriciels billes et pas fins en silicium et botiersmatriciels zone de contact plate et pas fins en silicium (S-FBGA et S-FLGA)(CEI 60191-6-22:2012);Version allemande EN 60191-6-22:2013Alleinverkauf der Normen durch Beuth Verlag GmbH, 10772 Berlin www.beut

6、h.deGesamtumfang 18 SeitenDIN EN 60191-6-22:2013-08 2 Anwendungsbeginn Anwendungsbeginn fr die von CENELEC am 2013-01-15 angenommene Europische Norm als DIN-Norm ist 2013-08-01. Nationales Vorwort Vorausgegangener Norm-Entwurf: E DIN EN 60191-6-22:2011-08. Fr dieses Dokument ist das nationale Arbeit

7、sgremium UK 631.4 Gehuse fr Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE (www.dke.de) zustndig. Die enthaltene IEC-Publikation wurde vom SC 47D Semiconductor devices packaging“ erarbeitet. Dieses hat whrend der Verffentlichung der vo

8、rliegenden Norm seinen Titel gendert, so steht im Vorwort der EN 60191-6-22 noch der bisherige Titel des IEC/SC 47D. Eine Liste mit allen Teilen der Normenreihe IEC 60191 mit dem allgemeinen Titel Mechanical Standardization of Semiconductor Devices“ kann auf der IEC-Website gefunden werden. Das IEC-

9、Komitee hat entschieden, dass der Inhalt dieser Publikation bis zu dem Datum (stability date) unverndert bleiben soll, das auf der IEC-Website unter http:/webstore.iec.ch“ zu dieser Publikation angegeben ist. Zu diesem Zeitpunkt wird entsprechend der Entscheidung des Komitees die Publikation besttig

10、t, zurckgezogen, durch eine Folgeausgabe ersetzt oder gendert. Fr den Fall einer undatierten Verweisung im normativen Text (Verweisung auf eine Norm ohne Angabe des Ausgabedatums und ohne Hinweis auf eine Abschnittsnummer, eine Tabelle, ein Bild usw.) bezieht sich die Verweisung auf die jeweils neue

11、ste gltige Ausgabe der in Bezug genommenen Norm. Fr den Fall einer datierten Verweisung im normativen Text bezieht sich die Verweisung immer auf die in Bezug genommene Ausgabe der Norm. Der Zusammenhang der zitierten Normen mit den entsprechenden Deutschen Normen ergibt sich, soweit ein Zusammenhang

12、 besteht, grundstzlich ber die Nummer der entsprechenden IEC-Publikation. Beispiel: IEC 60068 ist als EN 60068 als Europische Norm durch CENELEC bernommen und als DIN EN 60068 ins Deutsche Normenwerk aufgenommen. EUROPISCHE NORM EUROPEAN STANDARD NORME EUROPENNE EN 60191-6-22 Mrz 2013 ICS 31.080.01

13、Deutsche Fassung Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen Teil 6-22: Allgemeine Regeln fr die Erstellung von Gehusezeichnungen von SMD-Halbleitergehusen Konstruktionsleitfaden fr Halbleitergehuse Si-Feinraster-Ball-Grid-Array und Si-Feinraster-Land-Grid-Array (S-FBGA und S-FLGA) (IEC 60191-6-2

14、2:2012) Mechanical standardization of semiconductor devices Part 6-22: General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages Design guide for semiconductor packages Silicon Fine-pitch Ball Grid Array and Silicon Fine-pitch Land Grid Array (S-FBGA and

15、S-FLGA) (IEC 60191-6-22:2012) Normalisation mcanique des dispositifs semiconducteurs Partie 6-22: Rgles gnrales pour la prparation des dessins dencombrement des dispositifs semiconducteurs montage en surface Guide de conception pour les botiers matriciels billes et pas fins en silicium et botiers ma

16、triciels zone de contact plate et pas fins en silicium (S-FBGA et S-FLGA) (CEI 60191-6-22:2012) Diese Europische Norm wurde von CENELEC am 2013-01-15 angenommen. Die CENELEC-Mitglieder sind gehalten, die CEN/CENELEC-Geschftsordnung zu erfllen, in der die Bedingungen festgelegt sind, unter denen dies

17、er Europischen Norm ohne jede nderung der Status einer nationalen Norm zu geben ist. Auf dem letzten Stand befindliche Listen dieser nationalen Normen mit ihren bibliographischen Angaben sind beim CEN-CENELEC Management Centre oder bei jedem CENELEC-Mitglied auf Anfrage erhltlich. Diese Europische N

18、orm besteht in drei offiziellen Fassungen (Deutsch, Englisch, Franzsisch). Eine Fassung in einer anderen Sprache, die von einem CENELEC-Mitglied in eigener Verantwortung durch bersetzung in seine Landessprache gemacht und dem CEN-CENELEC Management Centre mitgeteilt worden ist, hat den gleichen Stat

19、us wie die offiziellen Fassungen. CENELEC-Mitglieder sind die nationalen elektrotechnischen Komitees von Belgien, Bulgarien, Dnemark, Deutschland, der ehemaligen jugoslawischen Republik Mazedonien, Estland, Finnland, Frankreich, Griechenland, Irland, Island, Italien, Kroatien, Lettland, Litauen, Lux

20、emburg, Malta, den Niederlanden, Norwegen, sterreich, Polen, Portugal, Rumnien, Schweden, der Schweiz, der Slowakei, Slowenien, Spanien, der Tschechischen Republik, der Trkei, Ungarn, dem Vereinigten Knigreich und Zypern. CENELEC Europisches Komitee fr Elektrotechnische Normung European Committee fo

21、r Electrotechnical Standardization Comit Europen de Normalisation Electrotechnique Management Centre: Avenue Marnix 17, B-1000 Brssel 2013 CENELEC Alle Rechte der Verwertung, gleich in welcher Form und in welchem Verfahren, sind weltweit den Mitgliedern von CENELEC vorbehalten. Ref. Nr. EN 60191-6-2

22、2:2013 DDIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 Vorwort Der Text des Dokumentes 47D/812/CDV, zuknftige Ausgabe 1 der IEC 60191-6-22, erarbeitet durch SC 47D Semiconductor packaging“ des IEC TC 47 Semiconductor devices“, wurde zur parallelen IEC-CENELEC-Abstimmung vorgelegt und von CENELEC als E

23、N 60191-6-22:2013 angenommen. Nachstehende Daten wurden festgelegt: sptestes Datum, zu dem dieses Dokument auf nationaler Ebene durch Verffentlichung einer identischen nationalen Norm oder durch Anerkennung bernommen werden muss (dop): 2013-10-15 sptestes Datum, zu dem nationale Normen, die diesem D

24、okument entgegenstehen, zurckgezogen werden mssen (dow): 2016-01-15 Es wird auf die Mglichkeit hingewiesen, dass einige Texte dieses Dokuments Patentrechte berhren knnen. CENELEC und/oder CEN sind nicht dafr verantwortlich, einige oder alle diesbezglichen Patentrechte zu identifizieren. Anerkennungs

25、notiz Der Text der Internationalen Norm IEC 60191-6-22:2012 wurde vom CENELEC ohne irgendeine Abnderung als eine Europische Norm angenommen. In der offiziellen Fassung sind unter Literaturhinweise“ zu den aufgelisteten Normen die nachstehenden Anmerkungen einzutragen: IEC 60191-6 ANMERKUNG Harmonisi

26、ert als EN 60191-6. IEC 60191-6-5 ANMERKUNG Harmonisiert als EN 60191-6-5. IEC 60191-6-12 ANMERKUNG Harmonisiert als EN 60191-6-12. 2 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 Inhalt SeiteVorwort .2 1 Anwendungsbereich.4 2 Normative Verweisungen.4 3 Begriffe.4 4 Benummerung der Anschlussposition

27、.4 5 Kennzeichnung der Gehusenennmae .4 6 Symbole und Zeichnungen 5 7 Mae 8 7.1 Gruppe 1 8 7.2 Gruppe 2 10 8 Verzeichnis der Kombination aus D, E, M und M 11 D ELiteraturhinweise 16 Bilder Bild 1 S-FBGA-Gehusemabild 5 Bild 2 S-FLGA-Gehusemabild.6 Bild 3 Abbildung der mechanischen Lehre7 Bild 4 Anord

28、nung der belegten Anschlussflchen.7 Tabellen Tabelle 1 Mae und Toleranzen der Gruppe 1 .8 Tabelle 2 Mae und Toleranzen der Gruppe 2 .10 Tabelle 3 e = 0,80 mm Raster S-FBGA und S-FLGA.11 Tabelle 4 e = 0,65 mm Raster S-FBGA und S-FLGA.11 Tabelle 5 e = 0,50 mm Raster S-FBGA und S-FLGA.12 Tabelle 6 e =

29、0,40 mm Raster S-FBGA und S-FLGA.13 Tabelle 7 e = 0,30 mm Raster S-FBGA und S-FLGA.14 Tabelle 8 e = 0,25 mm Raster S-FLGA.15 3 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 1 Anwendungsbereich Dieser Teil von IEC 60191 enthlt die Gehusezeichnungen und Abmessungen, die fr alle Bauarten und Werkstoffe

30、von Gehusen fr Ball-Grid-Arrays (BGA) und Land-Grid-Arrays (LGA) auf Si-Basis gemeinsam sind. 2 Normative Verweisungen Die folgenden Dokumente, die in diesem Dokument teilweise oder als Ganzes zitiert werden, sind fr die Anwendung dieses Dokuments erforderlich. Bei datierten Verweisungen gilt nur di

31、e in Bezug genommene Ausgabe. Bei undatierten Verweisungen gilt die letzte Ausgabe des in Bezug genommenen Dokuments (einschlielich aller nderungen). Keine 3 Begriffe Fr die Anwendung dieses Dokuments gelten die folgenden Begriffe. 3.1 S-SBGA Feinraster-Ball-Grid-Array (FBGA) mit Silizium-Chip, diel

32、ektrische(n)r Schicht(en) auf dem Chip und Drahtleitungen, die von den Chipanschlssen zu den uersten Kugeln auf der (den) dielektrischen Schicht(en) fhren, wobei die Hhe der uersten Kugeln mindestens 0,1 mm betrgt 3.2 S-FLGA Feinraster-Land-Grid-Array (FLGA) mit Silizium-Chip, dielektrische(n)r Schi

33、cht(en) auf dem Chip und Drahtleitungen, die von den Chipanschlssen zu den uersten Ltflchen auf der (den) dielektrischen Schicht(en) fhren, wobei die Hhe der uersten Ltflchen hchstens 0,1 mm betrgt 4 Benummerung der Anschlussposition Wenn man ein Gehuse von der Anschlussseite mit der Indexecke in de

34、r linken unteren Ecke betrachtet, sind die Anschlusszeilen von unten nach oben beginnend mit A, dann B, C, , AA, AB usw. beschriftet, whrend die Anschlussspalten von links nach rechts, beginnend mit 1, nummeriert sind. Die Anschlusspositionen sind durch ein Matrixsystem mit Zeilen und Spalten bestim

35、mt und werden mit einer alphanumerischen Kennzeichnung angegeben, z. B. A1, B1. Die Buchstaben I, O, Q, S, X und Z drfen nicht fr die Beschriftung der Anschlusszeilen verwendet werden. 5 Kennzeichnung der Gehusenennmae Die Kennzeichnung der Gehusenennmae definiert sich ber die Kombination aus Gehuse

36、breite E und Lnge D, welche in hundertstel Millimeter angegeben werden. 4 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 6 Symbole und Zeichnungen Die Symbole und Zeichnungen sind in den Bildern 1, 2, 3 und 4 dargestellt. Bild 1 S-FBGA-Gehusemabild 5 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 Bild 2

37、 S-FLGA-Gehusemabild 6 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 Bild 4 Anordnung der belegten Anschlussflchenf)Bild 3 Abbildung der mechanischen Lehree)Funoten zu den Bildern 1 bis 4 a)Der Bezugswert S ist die Aufsetzflche, auf welcher ein Gehuse steht. b)Das schraffierte Feld zeigt die Flche de

38、r Indexmarkierung der Ecke an, die mit A1 gekennzeichnet ist. c)Die tatschlichen Positionstoleranzen der Anschlsse x1und x2gelten fr alle Anschlsse. d)Der Anschlussdurchmesser b ist der in einer Ebene parallel zur Aufsetzflche gemessene Maximaldurchmesser der einzelnen Kugel. e)Eine Anordnung der be

39、legten Anschlussflchen hinsichtlich der Bezugswerte S, A und B wird in der Abbildung der mechanischen Lehre in Bild 3 dargestellt. f)Die Anordnung der belegten Anschlussflchen hinsichtlich des Bezugswertes S wird in Bild 4 dargestellt. 7 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 7 Mae 7.1 Gruppe

40、1 Die Mae der Gruppe 1 sind in Tabelle 1 angegeben. Tabelle 1 Mae und Toleranzen der Gruppe 1 Mae in Millimeter Begriff Symbol Beschreibung Empfohlener Wert BemerkungenKennung der Gehusenennmae E D Die Gehusenennmae werden aus Gehu-sebreite E und Lnge D berechnet, welche in hundertstel Millimeter an

41、gegeben werden. Gehuselnge D Die Gehuselnge wird in hundertstel Millimeter angegeben. Gehuselnge Dnom Kleinstma 0,50 Grtma 10,00 Toleranz vD 0,05 vDkennzeichnet die Toleranz. Gehusebreite E Die Gehuselnge wird in hundertstel Millimeter angegeben. Gehusebreite Enom Kleinstma 0,50 Grtma 10,00 Toleranz

42、 vE 0,05 MD, MEvEkennzeichnet die Toleranz. Profilhhe A Wenn A 0,65, betrgt die Toleranz der Nennhhe 0,07. Wenn 0,80 A 1,0, betrgt die Toleranz der Nennhhe 0,10. A darf 1,0 nicht berschreiten. A schliet Gehu-severbiegungs- und Schrglagen-fehler mit ein. Abstandshhe A11) Fr S-FBGA: e bnommin. nom. ma

43、x. 0,80 0,50 0,35 0,40 0,45 0,80 0,45 0,30 0,35 0,40 0,65 0,40 0,28 0,33 0,38 0,50 0,30 0,20 0,25 0,30 0,40 0,25 0,15 0,20 0,25 0,30 0,20 0,10 0,15 0,20 Fr S-FBGA mit geringer Abstandshhe: A1 0,20 2) Fr S-FLGA: A1 0,10 8 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 Tabelle 1 (fortgesetzt) Mae in Mil

44、limeter Begriff Symbol Beschreibung Empfohlener Wert BemerkungenAnschlussraster e e = 0,80 0,65 0,50 0,40 0,30 0,25 Anschlussdurchmesser b 1) Fr S-FBGA: e min. nom. max. 0,80 0,45 0,50 0,55 0,80 0,40 0,45 0,50 0,65 0,35 0,40 0,45 0,50 0,25 0,30 0,35 0,40 0,20 0,25 0,30 0,30 0,17 0,20 0,23 2) Fr S-FL

45、GA: e min. nom. max. 0,80 0,35 0,40 0,45 0,65 0,28 0,33 0,38 0,50 0,20 0,25 0,30 0,40 0,15 0,20 0,25 0,30 0,12 0,15 0,18 0,25 0,10 0,13 0,16 e nom. 0,80 0,50 0,65 0,40 0,50 0,30 0,40 0,25 0,30 0,20 Bezugswertbezogene Positionstoleranz der Anschlsse x1x1= 0,08 Relative Positionstoleranz der Anschlsse

46、 x2e x20,80 0,08 0,65 0,08 0,50 0,05 0,40 0,05 0,30 0,03 0,25 0,03 9 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 Tabelle 1 (fortgesetzt) Mae in Millimeter Begriff Symbol Beschreibung Empfohlener Wert BemerkungenKoplanaritt y e y 0,80 0,10 0,65 0,08 0,50 0,05 0,40 0,05 0,30 0,05 0,25 0,05 Parallelit

47、t der Gehu-seoberflche y1y1= 0,08 Anzahl der Anschlsse n Maximale Matrixlnge MDn = ME MD(ME1) MDME (MD1) (ME1) (MD1) ME (E bmax vE x1 x2) / e +1 MD (D bmax vD x1 x2) / e +1 Angaben zu den Matrizen von MEund MDsind in Tabelle 3 aufge-fhrt. MEMaximale Matrixbreite 7.2 Gruppe 2 Die Mae der Gruppe 2 sin

48、d in Tabelle 2 angegeben. Tabelle 2 Mae und Toleranzen der Gruppe 2 Mae in Millimeter Begriff Symbol Beschreibung Empfohlener Wert Bemerkungen berstand in der Lnge ZDZD= Dnom (MD 1) e / 2 Referenzwert berstand in der Breite ZEZE= Enom (ME 1) e / 2 Referenzwert Nach dem Bezugswert festgelegte belegte Anschlussflchen b3b3= bmax+ x1 Entsprechend belegte Anschlussflchen b4b4= bmax+ x2 10 DIN EN 60191-6-22:2013-08 EN 60191-6-22:2013 8 Verzeichnis der Kombination aus D, E,