GB T 22461-2008 表面化学分析.词汇.pdf

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1、ICS 0104071，7104040G 04 蝠图中华人民共和国国家标准GBT 22461-2008IS0 18115：20012008-1 0-30发布表面化学分析 词汇Surface chemical analysis-Vocabulary(IS0 18115：2001，IDT)2009-06-0 1实施牛瞀浅鬻獬警幞瞥星发布中国国家标准化管理委员会促19GBT 22461-2008ISO 181 15：2001前言引言-1 范围2缩略语-3格式4表面分析方法的定义5表面分析词汇的定义附录A(资料性附录) 术语补充说明参考文献中文索引英文索引目 次，000舵“蛎胁前 言本标准等同采用IS

2、O 1811 5：2001表面化学分析词汇。本标准的附录A是资料性附录。本标准由全国微束标准化技术委员会提出。本标准由全国微束标准化技术委员会(sAcTc 38)归口。本标准负责起草单位：北京大学、清华大学。本标准主要起草人：黄惠忠、曹立礼。GBT 22461-2008ISO 181 15：2001GBT 22461-2008ISO 18115：2001引 言表面化学分析是一个重要的领域，涉及来自不同领域和有不同背景人们间的相互交流。从事表面化学分析的人们可能是材料科学家、化学家或物理学家，具有从事实验或理论研究的背景。使用表面化学数据的人们不仅仅是上述人员，也可以是其他学科的人员。用现有的表

3、面化学分析技术，可以获得来自接近于表面区域(一般在20 nm内)的成分信息。随着表面层的去除用该技术可得到成分深度信息。本标准中包含表面分析技术的范畴已从电子能谱和质谱扩展到光谱和x射线分析。上述技术的概念源自核物理和辐射科学以至物理化学和光学等广泛领域。广泛的学术领域和不同国家独特的用法导致了对专用词汇不同的解释，从而会用不同的词汇描述相同的概念。为了避免由此产生的误解和便于信，自，的交流，有必要明确概念，采用正确的词汇以确定其定义。1范围GBT 22461-2008ISO 18115 12001表面化学分析词汇本标准定义的词汇适用于表面化学分析。2缩略语AESCDPCMAeVEEI，SEI

4、AEPMAESCAFABMSFWHMGDSGDOESGDMSHElSSHSAIBAI。EISSMEISSPTPRBSRFASAMSDPSEMSIMSSNMSSSATOF或ToFTXRFUPSXPSAuger electron spectroscopycompositional depth profilecylindrical mirror analyserelectron volteletron energy loss spectroscopyenergetic ion analysiselectron probe microanalysiselectron spectroscopy for

5、chemical analysisfast atom bombardment mass spectrometryfull width at half maximumglow discharge spectrometryglow discharge optkcal emission spectrometryglow discharge mass spectrometryhigh energy ion scattering spectrometryhemispherical sector analyserion beam analysislOWenergy ion scattering spect

6、rometrymedium energy ion。scattering spectrometrypeakto peakRutherford backscatteri“g spectrometryretarding field analyserscanning Auger microscopesputter depth profilescanning electron microscopesecondary ion mass spectrometrysputtered neutral mass spectrometryspherical sector analysertime of flight

7、totalreflection Xray fluorescence spectroscopyultraviolet photoelectron spectroscopyXray photoelectron spectroscopy俄歇电子能谱成分深度剖析筒镜型能量分析器电子伏电子能量损失谱荷能离子分析电子探针显微分析化学分析用电子能谱快原子轰击质谱半高峰宽辉光放电谱辉光放电发射光谱辉光放电质谱高能离子散射谱半球型能量分析器离子柬分析低能离子散射谱中能离子散射谱峰一峰值卢瑟福背散射谱减速场分析器扫描俄歇显微镜溅射深度剖析扫描电子显微镜二次离子质谱溅射中性粒子质谱球扇型能量分析器飞行时间全反射x射

8、线荧光光谱紫外光电子能谱x射线光电子能谱GBT 22461-2008IS0 181 15：20013格式31 定义中粗体宇词语的用法本标准中，把定义的词语或在另一个条目中定义的注释印成粗体字。而在条目中首次出现该词语时才印成粗体。32非优先采用和不采用的词语以细体列出的词语是非优先采用或不采用的，优先采用的词语则以粗体字印出。33专业领域当词语涉及多个概念时。必须指明每个概念所属的专业领域。在定义的起始处，以细体字在尖括号内表示。4表面分析方法的定义41俄歇电子能谱Auger electron spectroscopy，AES用电子能谱仪测量自表面发射俄歇电子能量分布的一种方法。注：常使用能量

9、范围为2 kev30 keV的电子束激发俄歌电子。俄歇电子也可用X射线、离子和其他束源激发，但无附加说明时，俄歇电子能谱词语通常指电子柬激发。用x射线源时俄歇电子能量是以费米能级为参考；但当用电子柬时，其能量参考既可是费米能级也可以是真空能级。谱图常以直接或微分形式表示。42动态二次离子质谱dynamic SIMS分析时以足够快的速率溅射材料表面，不能认为原表面是无损伤的一种二次离子质谱。注l：动态二次离子质谱常简称二次离子质谱。注2：测量时离子面剂量通常超过10”ionsm2(参见附录A)。43化学分析用电子能谱electron spectroscopy for chemical analy

10、sis，ESCA包括AES和XPS的一类方法。注：词语ESCA已弃用实际上，它以前描述的内容由词语X射线光电子能谱(XPS)描述更加清楚。自1980年以来XPS已被优先采用。44快原子轰击质谱fast atom bombardment mass spectrometry，FABMSFAIj用质谱仪测量由快中性原子轰击样品所发射二次离子质荷比和丰度的一种方法。45辉光放电质谱glow discharge mass spectrometry，GDMS用质谱仪测量表面辉光放电产生的离子质荷比和丰度的一种方法。46辉光放电发射光谱glow discharge optical emission spec

11、trometry，GDOES用发射光谱仪测量表面辉光放电发射的光的波长和强度的一种方法。47辉光放电谱glow discharge spectrometry，GDS用谱仪测量表面辉光放电的相关强度的一种方法。注：此通用词语包括GDOES和GDMS。GBT 22461-2008ISO 18115：200148离子束分析ion beam analysis。IBA分析固体材料最外层原子组成和结构的一种方法，该方法用单色能量和单电荷探针离子经表面散射后检测和记录其强度与能量或散射角或两者的函数关系。注：低能离子散射谱(IEISS)，中能离子散射谱(MEISS)和卢瑟福背散射谱【RBS)都属于离子分析，

12、其探针离子能量的典型范围分别为0 1 keV-10 keV50 keV 200 keV1 MeV 2 MeV。上述分类代表了基本物理过程不同的的三个能量范围。49二次离子质谱secondary ion mass spectrometry，SIMS用质谱仪测量荷能离子轰击样品所发射二次离子质荷比和丰度的种方法。参照动态二次离子质谱静态二次离子质谱注：通常二次离子质谱分为动态和静态动态测量时材料表面层被连续剥离，静态测量时离子的面剂量低于10“ionsm2，表面基本上保持无损状态。410溅射中性粒子质谱sputtered neutral mass spectrometry，SNMS用质谱仪测量由粒

13、子轰击样品所发射的中性粒子，被二次电离后质荷比和丰度的一种方法。注：中性粒子可用等离子体、电子或光电离等方法检测。411静态二次离子质谱static SIMS分析时以足够慢的速率溅射材料表面认为原表面无明显损伤的一种二次离子质谱。参照动态二次离子质谱注：测量时离子面剂量低于10”ionsm2，其值在一定程度上取决于样品材料和被分析分子碎片的大小。412全反射x射线荧光光谱total reflection X-ray fluorescence spectroscopy，TXRF全反射条件下，用x射线谱仪测量入射x射线照射表面所发射的x射线荧光能量分布的一种方法，413紫外光电子能谱ultra-v

14、iolet photoelectron spectroscopy，UPS用电子能谱仪测量紫外光子辐照样品表面发射的光电子能量分布的一种方法。注：通常使用的紫外光源包括不同类型的放电源，能产生各种气体的共振线(例如HeI和He发射线的能量分别为21 2eV和40 8eV)。要产生可变能量，用同步辐射。414X射线光电子能谱X-ray photoelectron spectroscopyXPS用电子能谱仪测量x射线光子辐照样品表面所激发的光电子和俄歌电子能量分布的一种方法。注：通常用的x射线源是非单色化的Al和Mg的Ka x射线其能量分别为1 486 6 eV和1 2536 eV。现代仪器也使用单

15、色化的AI KQ X射线。有些仪器使用其他阳极的X射线源或者同步辐射。5表面分析词汇的定义51线性吸收系数absorption coefficient，linear线性衰减系数。52质量吸收系数 absorption coefficient，mass质量衰减系数 attenuation coefficient，massTXRF、XPS2表达式(p巾)(衄)中的p印量。一部分特定类型平行粒子或射线束穿过一物质3GBT 22461-2008ISO 181 15：2001的质量厚度(肛)薄层时的损失，在极限情况下A(px)趋于0(肛)沿人射束方向测量。参照衰减长度注1：p为物质的质量密度，z为人射束

16、方向上的距离。注2：入射束的强度或粒子数随距离z以exp(一肛)衰变。注3：质量衰减(吸收)系数是线性衰减(吸收)系数与物质质量密度的商。53外来污染碳参考adventitious carbon referencing将实验测得的吸附在样品表面的碳氢化合物的c 1 s结合能与其标准结合能比较，以确定样品的荷电电位。参照内标碳参考注：虽然某些分析者根据衬底性质更倾向于用2846 eV到2852 eV范围内的某一值，但常常采用标称值285 0eV作为相关c 1 S峰的结合能。64改性层altered layer在粒子轰击下轰击效应使化学态或物理结构改变的材料表面区间。例：当4 keV 0：+在近法

17、向入射轰击硅时，变化的溅射在足够长时间达到稳态后，大约1 5 nm深度的表面变成了化学配比的SiO。，愈深处氧浓度愈低。55分析面积analysis area所测样品表面的二维区，从中检测全部分析信号或该信号规定的百分数。56分析面积analysis area样品表面分析点的二维区域，它与谱仪轴成直角，由此检测到信号的全部或规定的百分数。57分析体积analysis volume样品检测的三维区域，从中检测全部分析信号或该信号的规定百分数。58分析体积analysis volume谱仪内的三维区域，从该区域可检测到全部或规定百分比的分析信号。59临界角 anglecritical当x射线荧光随

18、掠射角分布时样品基体的x射线荧光位于第一转折点时的掠射角。510掠射角angle，glancing入射束和平均表面之间的夹角。注：入射角和掠射角互余。511磨角angle，lapping机械研磨样品，使与原表面成一角度的制样方法。参照球坑，径向剖面。注：该角度常小于1。以使相对于原来表面的深度信息被转换为横向信息。4GBT 22461-20081IS0 181 15：2001512魔角magic angle分析器进口轴向与人射到样品表面的x射线方向间成547。的夹角。注：在魔角，对于非偏振X射线辐照孤立原子，而从其发射的光电子角分布可应用简单的偶极理论。即预计每单位立体角的强度与假设散射是各向

19、同性时所得到的强度相同。513发射角angle of emission粒子或光子离开表面时的轨迹和该处表面法线或平均表面法线之间的夹角。注：需要指明特定表面的法线。514入射角 angle of incidence入射柬与该处表面法线或平均表面法线之间的夹角。注：需要指定特定表面的法线，如粗糙表面中基本部分的法线或平均表面的法线。515散射角angle of scattering入射粒子或光子的方向与散射后粒子或光子穿行的方向之间的角度。516角度关系AES angleresolved AES，ARAES；angle-dependent AES测量俄歇电子强度与发射角关系的一种方法。517变角

20、XPS angle-resolved XPS；ARXPS；angledependent XPS测量x射线光电子强度随发射角而改变的一种方法。注：常用该法测量大约5 nrft厚的表面层内的不同元素或化合物随深度分布的信息。518分析器立体角angle，solid，of analyzer从样品上某一点发射的粒子或光子传输到检测器时分析器的立体角。参照分析器传输函数。519检测器立体角angle，solidof detector从束斑中心处作为起始点由检测器截取的立体角。520飞离角angle，take-off粒子在离开表面时的轨迹和该处或平均表平面之间的角度。注1：需要指出特定的表平面。注2：飞离

21、角与发射角互为余角。注3：从前，飞离角有时被错误地意指为发射角。521非对称参数asymmetry parameter卢表征光电子的强度分布L(y)的一个因子。该光电子是由非偏振x射线从孤立原子中激发出来的，其发射方向与入射x射线方向成7角。用下式表达，(y)一1+12p(32)(sin2y)一1注：l袭式适用于气体而用于固体时，应作弹性散射效应修正。5GBT 22461-2008IS0 18115：2001522原子混合atomic mixing在表面区由于与入射粒子的能量交换导致样品原子的迁移。参照级联混合，联碰撞级，离子束诱导的质量迁移，撞击，反冲注入。523衰减系数attenuatio

22、n coefficient当穿过物质薄层z，且z趋近于零极限时在表达式Fz中需从特定粒子或辐射的平行束中去除的分数量p，此时须在束的方向测量z。参照衰减长度，质量吸收系数。注1：柬中的粒子强度或数目随距离z按exp(一z)衰减。注2：衰减系数常被用来代替线性衰减系数和应用在EPMA中，两者与应用在AES和XPS中的衰减长度互为倒数。524衰减长度attenuation length表达式Axl中的f量。当平行的特定粒子束或射线束在穿过物质薄层Ax且-r趋于0时所去除的分数量，z沿平行束的方向测量。参照衰减系数，衰变长度有效衰减长度，电子非弹性平均自由程，线性吸收系数，质量吸收系数。注l：束流中

23、的粒子强度或粒子数目随距离z按exp(一zf)衰变。注2：对固体中的电子，由于弹性散射效应它只是近似于指数衰变，这种近似法有效时，使用有效衰减长度这个词语。525有效衰减长度attenuation length，effective对给定的应用，当发射深度分布函数充分地接近指数时此即为平均发射函数衰减长度。参照衰减长度注：在AES和XPS中常用有效衰减长度描述由非弹性散射造成的能量损失不大于1 eV的电子输运情况。526俄歇退激发Auger de-excitationa) 指受激原子或离子通过无辐射跃迁重新安排其中电子而释放能量的过程。b) 指固体表面附近亚稳态物中的能量通过与表面相互作用而损失

24、的过程，在这个过程中释放出足够的能量从表面原子中击出电子。参照俄歇中和作用。注：上述两个过程中电子可以被发射到真空。527俄歇电子Auger electron在俄歇过程中，从原子所发射的电子。参照俄歇跃迁。注1：俄歇电子在通过物质时会因非弹性散射而损失能量。因此测得的俄歇电子谱通常是由未散射的俄歇电子谱峰结构叠加在很强的本底上所组成，本底包括强度一直延伸到较低动能的非弹性散射的俄歇电子及由其他过程而引起的本底。注2：俄歇电子在通过物质时会因弹性散射而改变其传播方向。6GBT 22461-2008IS0 18115 12001528俄歇电子谱Auger electron spectrum俄歇电子

25、强度对其动能的函数图，通常它是所检测部分电子的能量分布。注1：当用人射电子激发时，通常在0 eV-2 500 eV之间测量被测电子的能量分布其中包括俄歇电子、背散射(人射)电子和二次电子。有时将整个的电子能量分布称之为俄歇谱。注2：俄歇谱既可用直接谱、也可用微分谱形式表示。529俄歇电子产额Auger electron yield特定内壳层空位的原子经俄歇过程弛豫的几率。530俄歇中和 Auger neutralization由固体导带隧穿的电子中和入射离子、同时从表面原子击出电子的过程。注：击出的电子会被发射到真空。531俄歇参数Auger parameterXPS谱图中窄的俄歇电子峰动能减

26、去同一元素最强的光电子峰动能。参照 初态俄歇参数，修改型俄歇参数注1：俄歇参数值取决于X射线能量，因此后者需要加以给定。注2：俄歇参数有时又叫终态俄歇参数。注3：对于那些在结合能测量中因荷电引起不定性或者其结合能位移不适于鉴别化学状态的样品时俄歇参数对于区别其化学状态是有用的。注4：对于具有类似化学位移的内能级之间的那些俄歇跃迁。俄歇参数用来计算与这种内层空穴产生有关的电离母体原子的弛豫能是有用的。532初态俄歇参数Auger parameter，initial state指p=3E。+E。中的p其中玩和民分别为光电子峰的结合能和参考费米能级时俄歇电子峰的动能每个涉及同一元素的同一初始内能级。

27、参照俄歇参数，修改型俄歇参数。注：初态俄歌参数在估算原子内层势场对两种环境时结合能变化的贡献是有用的还提供有类似结合能位移的内层能级间的俄歇跃迁。533修改型俄歇参数Auger parameter，modified谱中以费米能级为参考的窄俄歇峰动能与同一元素最强光电子峰的结合能之和。参照俄歇参数，初态俄歇参数。注：修改型俄歇参数是俄歇参数和激发所测量光电子峰的X射线能量之和。与俄歇参数不同的是它与X射线能量无关。534俄歇过程Auger process一个有内电子壳层空位的原子通过电子发射而弛豫的过程”1。参照俄歇退激发，俄歇电子，俄歇跃迁。注：发射电子具有由俄歇跃迁所确定的特征能量。535原

28、子间俄歇过程Auger process，interatom特殊的俄歇跃迁，其中至少有一个终态空位定域在与产生最初空位原子相邻的原子的价7GBT 22461-2008IS0 18115：2001能级或分子轨道。536俄歇跃迁 Auger transition涉及指定电子壳层或子壳层的俄歇过程。注1：俄歇过程中涉及的三个壳层用三个字母标注。第一个字母代表含有初始卒位的壳层，后面两个字母表示经俄歇过程所留下的有电子空位的壳层(如KI。I。和IMM)。如涉及一个价电子就用字母V(如IMV和KVV)。如已知所涉及的特定子壳层，也可被标出(如KI。1L2)。如已经知道具体轨道也可加入偶台项以标明最终原子状

29、态(如bMM。川1D)。注2：更复杂的俄歇过程(如多重初电离和附加的电子激发)可用短杠()将初态和终态分开来表示(如LI一vv，K VVV)。注3：如俄歇过程涉及和初态空位相同主量子数壳层(如LI，。M)的电子，则称之为CosterN ronig跃迁。简称为C K跃迁。如所有的电子都是来自同一主壳层(如M。M：M。)，则该过程简称为超Coster-Kronig跃迁。537俄歇跃迁速率Auger Transition rate俄歇过程的几率除以时间之商。538非弹性本底background，inealastic由于单次或多次非弹性散射过程，原本处一种能量的粒子现以较低能量被发射时在谱图中的强度分

30、布。参照非弹性散射本底扣除shirley本底，Sickafus本底，Tougaard本底。注：对AES和XPS，与特定俄歇电子或光电于峰有关的非弹性本底可用测量的电子能量损失谱近似对该谱而言，入射电子能量近于峰的能量。也可应用Tougaard本底。一种较简单但准确度较小的非弹性本底函数是Shirley本底。除绝缘体的XPS分析以外，也应用简单的线|生本底，但准确度差得多。539仪器本底background，instrumental仪器中一个或多个部件的非理想状态产生的强度贡献，它通常是不想要的。540Shirley本底background，shirley-在动能高于和低于该峰或有意义峰处拟合测

31、量谱时计算的本底，这样在给定动能处的本底，是以与本底以上较高动能处的谱峰总面积成固定比例的成分。参照Tougaard本底。541Sickafus本底background，Sickafus选定单项指数律的本底描述二次电子级联强度与发射电子动能之间的函数关系。注1：为正确应用Sickafus本底测得的二次电子级联应当是实验上所观测到的并经对测量仪器谱仪响应函数作出校正的谱。注2：对Sickafus本底Bs(F)，谱形由下式给出：Bs(E)E，其中E是电子发射动能值介于l2范围。542本底信号background signal由主要感兴趣以外的过程或原因而产生的存在于特定位置、能量、质量或波长处的信

32、号。参照Shirley本底，sickafus本底，Tougaard本底。543Tougaard本底background Tougaard用相对于能量损失的微分非弹性散射截面模型和表面区中发射原子的三维分布模8GBT 22461-2008IS0 18115：2001型所得到的强度分布。参照Shirley本底。注1：可以和不同的微分非弹性散射截面一起用一些不同类型的原子分布。这些原子分布和非弹性散射截面应于以说明。注2：作Tougaard本底计算时，常常是与一个宽能量范围测得的谱图相匹配但排除谱峰区和比所关心峰小50eV的较低动能区域，计算Tougaard本底前，应x,tN量谱进行测量仪器谱仪响应

33、函数的校正。544背散射电子backscattered electron经与样品相互作用后由入射电子束所出射的电子。注1：按惯例把能量大于50 eV的电子视为背散射电子。注2：按惯例把人射束叫一次电子束常称背散射电子为背散射的一次电子。545背散射系数backscattering coefficient背散射产额backscattering yield在被散射能量一定间隔的被检测粒子数与该能量间隔和入射离子数之商。546背散射能量backscattering energy经历了背散射碰撞并能从样品逃逸出来的入射束粒子能量。547背散射因子backscattering factor把原电子束直接

34、电离产生的俄歇电子除外，由于样品中背散射电子引起的附加电离而产生的俄歇电流的增加，定义为背散射因子。注：存在不同的用法；如上面所定义，这个因子通常是分数增加，有时也用单位1再加上分数增加。后者已不用。为清楚需对特殊用法作出定义。548背散射谱backscattering spectrum背散射产额对背散射能量所作的曲线图1。549背散射产额backscattering yield背散射系数backscattering coefficient叩由样品所发射的其能量大于50 eV的总电子数和一定能量与入射角的入射电子总数之比。参照二次电子产额，总的二次电子产额，背散射因子。550球状弧坑ball

35、cratering样品被球体磨蚀的方法，以露出原表面之下各层的成分变化，目的在于将各层的深度和磨蚀形成弧坑中的横向位置关联起来。参照磨角、径向剖面。551束会聚角 beam convergence angle在焦面处或之前的空间中，包含全部或指定部分束的夹角。OGBT 22461-2008IS0 18115：2001参照束发散角。注：当束对称时可用全角或半角。角度的特殊测量需作出说明。552束(电)流beam current，dQ与df的商，其中dQ是在时间间隔d，通过的束中指定极性的电荷量。JdQdt参照脉冲束(电)流、平均束(电)流。注：对于柬流随时间变化的束，瞬时束(电)流和平均时间柬(

36、电)流通常不同。对于脉冲束束开启时的束(流)流可等于或不等于直流或非脉冲的束(电)流。553平均束流beam current，averageQ与f的商，其中Q是在时间间隔t内，束中通过指定极性的电荷量。注：对于瞬间束流随时间周期变化的柬，时间间隔t是积分的周期数。554束流密度beam current densityJdJ与dA的商，其中dJ是在垂直于束方向dA面积上的入射束流微元。idzdA参照流量、通量、剂量。注：对会聚束或发散束面积dA用截面积dA的小球面代替。555积分束流beam current，integrated特定时间内在束中传输的总电荷。556脉冲束电流beam curren

37、t，pulseQ与，的商，其中Q是脉冲在时间t。内通过的在束中指定极性的电荷量。557束径 beam diameter在垂宜于束方向的平面内测得最大强度一半外的柬全宽。注：束径通常是在空间某一给定点如样品位置处加以确定。558束离散角beam divergence angle在焦面后空间中包含所有束或束的特定分数的角度间隔。参照柬会聚角。注：在柬足对称时可应用全或半角。需说明特殊的角度测量。559束能beam energy束粒子动能kinetic energy of the beam particles参照束撞击能、入射粒子能。注1：常以eV表示能量。注2：束能常被视为在撞击样品表面时的粒子能

38、量。然而，当样品不是接地而是处于一定电位时粒子的撞击能可能不同于由电子枪或离子枪对样品环境发出的束能。此时，应用撞击能词语眦避免混淆。0GBT 22461-2008IS0 18”5：2001b6D束撞击能beam impact energy在撞击样品表面时束粒子的动能。参照束能、入射粒子能。注1：对二次离子质谱的一次离子束，束撞击能决定于离子源(严格地指等离子体透镜)和样品表面间的电位差与离子电荷的乘积。在有些二次离子质谱系统中束能用源对地电位给出，但样品电位必须不接地，这时撞击能要考虑样品电位。注2：用限定词“撞击”指明这是粒子撞击表面的能量。561束粒子beam particle包含在入射

39、束中的电子、正电子和各种离子、原子、分子或团簇。562入射束beam，primary入射到样品上的定向粒子或光子流。563束剖析 beam profile在垂直于束轴的平面内束流通量的空间分布。564二体弹性散射binary elastic scattering弹性散射elastic scattering一个运动粒子与第二个粒子之间的碰撞，其总动能和总动量守恒。参照非弹性散射。注：在弹性散射相互作用中，运动粒子可偏转至180。5 65二体弹性散射峰binary elastic scattering peak由于入射离子与特定质量的表面原子之间的二体弹性散射，引起谱仪检测系统本底水平之上响应的增

40、加”1。566结合能binding energy将电子从给定电子能级移到固体费米能级或移到自由原子或分子的真空能级所消耗的能量。567阻塞几何blocking geometry使单晶靶的原子行列或面与样品到检测器的矢量平行对准的实验布置”j。568布拉格定则BraggS rule由wHBragg和RKIeeman提出的经验定则，指出化合物样品的阻止截面等于每种构成元素的阻止截面和它的原子分数乘积之和，即为下式：E(AxBY)一z 8A+y 6B上式中，e(AxBv)为化合物A。B、的阻止截面，x和ev分别是元素A和B的阻止截面。569轫致辐射BremsstrahlungEPMA、XPS_=由于

41、入射电子在材料中的减速，而从该材料发出的光子辐射。注1：轫致辐射呈现连续谱分布，其能量可高达入射电子能量。11GBT 224612008ISO 181 15：2001注2：xlS中，使用AlKa或MgKa常规x射线源的轫致福射产生连续的光电子本底。对特征AIKcz或MgKaX射线不可能光电离的内壳层，轫致辐射就有可能。结果使俄歇电子峰可能出现于负结合能值处，另外。使其俄歇电子峰的强度可能大于仅由特征x射线产生的俄歇电子峰的强度。由轫致辐射激发的俄歌电子峰有助于确定所需要的各种俄歇参数，以鉴定化学态。570级联混合Cascade mixing入射粒子在样品表面区减速时释放的能量使材料原子随机移动

42、的类扩散过程。参照原子混合，碰撞级联撞击(knock-on)，反冲注入。注1：若原子混合和撞击效应不明显的话当样品被溅射而逐层去除表面时，由于级联混合则使阶跃层的溅射深度剖析将会是非对称的。然而在显著的阶跃层材料全部地从样品表面损失以前生成的初始内在剖析应是高斯型的。注2：若级联混合只是明显的混合过程。则测量分布的质心应位于真正的阶跃位置(在由于平衡效应引起深度标尺的任何偏移校正后)。注3：在稀释极限时，由于固有任何内部的原子被移向较深或较浅的几率相等，对阶跃层测量的深度剖析将有指数拖尾。因而在近表面区有长久不变的但衰减的浓度。这个拖尾的存在，常产生工作时有定向的撞击过程的想法。如果有时观察到

43、的话，真正的撞击效应也很少并且在引起溅射剖析畸变时，可能也是不明显的。571沟道效应channelling当粒子通过样品移动时，荷能粒子沿着晶体确定的晶轴或晶面方向择优的运动。注：固体中各个原子势能的组合减少荷能粒子偏离这些方向的散射。572特征电子能量损失characteristic electron energy losses固体中电子的非弹性散射，会生成由材料特征所决定的非均匀的能量损失谱。参照等离子体激元注1：最可能的特征损失源于价电子的激发。对某些固体(如非过渡金属)非弹性散射是以等离子体激元激发为主。对于其他固体，非弹性散射可能源于等离子体激元激发和单个价电子激发的综合作用这些激发

44、也许是不可区别的。如果在能量上可能的话，通过激发内层电子也会发生非弹性散射。注2：特征能量损失最主要在o eV100 eV能量损失范围内。注3：特征电子能量损失峰和谱图中的其他峰(例如：俄歇电子峰、光电子峰和源于入射电子弹性散射的峰)常被一起观察到。573特征x射线characteristic X-rays由电离原子发射的光子，它具有与原子序数和化学环境有关的特定的能量分布和强度特征。1 o。注1：在XPS中，该词语通常用于激发样品光电于的x射线源。注2：在EPMA中，检测和分析从样品发射的特征X射线以给出有关样品成分的信息。574荷电修改charge modification改变样品表面处荷

45、电量或其分布。575荷电中和charge neutralization在入射粒子或光子轰击下，使非导体或不良导体样品材料的表面维持固定电位，通常接近电中性。注：荷电中和可以用电子轰击表面来实现，但较少使用离子或光子。2GBT 22461-2008IS0 181 15：200bb荷电参考charge referencing用以确定样品荷电电位的方法，目的在于校正测得的能量使之与表面无荷电时相一致。参照外来污染碳参考注：通常用样品表面外来污染碳或表面饰金作为荷电参考。577荷电电位charging potential绝缘样品表面区域受辐照后产生的电位。注：样品不均匀或辐射入射束流强度不均匀可能造成

46、样品中不同区域或不同深度处有不同的荷电电位。578化学效应chemical effects由于化学键合引起元素的谱图形状或峰能量的改变。579化学位移chemical shift源于原子化学环境改变而引起峰位能量的变化。580碰撞级联collision cascade由荷能物质轰击引起固体中原子间的一系列能量输运。11。参照原子混合。级联混合，撞击反冲注入。581成分深度剖析compositional depth profileCDP与垂直于表面距离有函数关系的测得的化学或原子成分。582固定分析器能量模式constant AE modeconstant analyzer energy mod

47、eCAEmodeFixed analyser transmission modeFATmode电子能量分析器的一种工作模式。该模式改变电子的减速，但保持分析器的能量色散区的通能不变。滓：XPS中常用模式使整个谱图中保持高【|j恒定的能量分辨率。583固定减速比模式constant AEE modeconstant retardation ratio modeCRRmodeFixed retardation ratio modeFRR mode电子能量分析器的一种工作模式，该模式改变电子减速电压并使分析器能量色散区的通能与以初始真空能级作参照的电子动能之比不变。洼：这种模式常用于AES，改善高能

48、发射电子的信躁比，但会损失谱图的分辨率。1 3GBT 2246 1-2008IS0 18 115：200 1584Coster-Kronig跃迁CosterKronig transition涉及来自和初始空位同一主量子数壳层电子的俄歇过程。参照俄歇跃迁超CosterKronig跃迁。例：LlL2M5，MlM2N：。585计数counts在一定时间间隔内检测器系统记录到的脉冲总数。注：计数可以不同方式表示，对粒子数逐个检测时(计数测量中没有死时间损失)，遵从泊松(Poisson)统计(除存在其他噪声源外)，或简单地正比于检测粒子数。故需要明确说明测量类型。586弧坑深度Crater depth可导得测量信号的弧坑区域的平均深度。注l：弧坑通常是在溅射深度剖析时由离子轰击形成，在这种情况下由于变更层的扩展，弧坑可能不同于溅射时所去掉的试样材料的厚度。注2：弧坑深度可能由于随着样品暴露于大气或其他环境