KS C IEC 60747-2-2006 Semiconductor devices－Discrete devices and integrated circuits－Part 2：Rectifier diodes 《半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管》.pdf

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1、 KSKSKSKS SKSKSKS KSKSKS SKSKS KSKS SKS KS 2006 12 11 http:/www.kats.go.krKS C IEC 607472 2： KS C IEC 60747 2： 2006 (2011 )C IEC 60747 2： 2006 : ( ) ( ) ( ) ( ) : (http:/www.standard.go.kr) ： ： 2001 12 8 ： 2006 12 11 ： 2011 12 13 2011-0563 ： ： ( 02-509-7294) (http:/www.kats.go.kr). 10 5 , . C IEC 60

2、747 2： 2006 i 1. 1 2. 1 3. 1 3.1 1 3.2 ： 1 3.3 ： 2 3.4 ： 3 3.5 ： 3 4. 6 4.1 6 4.2 6 4.3 6 5. 9 5.1 9 5.2 9 5.3 9 5.4 11 5.5 11 5.6 11 5.7 11 5.8 14 5.9 14 5.10 14 6. , 14 6.1 14 6.2 15 6.3 15 6.4 15 7. 15 7.1 15 7.2 27 7.3 29 7.4 38 A() 41 ICS 31.080.10 KS C IEC 2： 60747 2： 2006(2011 ) Semiconductor

3、 devices Discrete devices and integrated circuits Part 2： Rectifier diodes 2000 2 IEC 60747 2 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits Part 2 : Rectifier diodes . 1. . (avalanche rectifier diodes) (controlled-avalanche rectifier diodes) (fast-switching rectifier diodes) 2. . (

4、) , , . ( ) ( .) . KS C IEC 60050 521： 2002 KS C IEC 60747 1： 2004 1： 3. KS C IEC 60747 1 (IEV), KS C IEC 60050 521 . 3.1 3.1.1 (forward direction) ( ) 3.1.2 (reverse direction) ( ) 3.1.3 ( ) (anode terminal) 3.1.4 ( ) (cathode terminal) 3.1.5 (rectifier stack arm) 1 , . . 3.2 ： C IEC 60747 2： 2006

5、2 , (4. ). 3.2.1 (forward voltage)( VF) 3.2.2 (threshold voltage)( V(TO) 3.2.3 (forward recovery voltage)( VFR) 3.2.4 () continuous (direct) reverse voltage( VR) 3.2.5 crest (peak) working reverse voltage( VRWM) , 3.2.6 (repetitive peak reverse voltage)( VRRM) 3.2.7 (non-repetitive peak reverse volt

6、age), (peak transient reverse voltage)(VRSM) 1. “ ” . 2. . , . 3.2.8 (breakdown voltage)( VBR) 3.3 ： 3.3.1 (forward current)( IF) 3.3.2 (mean forward current)( IFAV) 3.3.3 (r.m.s. forward current)( IFRMS) 1 3.3.4 (repetitive peak forward current)( IFRM) 3.3.5 (overload forward current)( I(OV) . . .

7、3.3.6 (surge forward current)( IFSM) . , ( ) . 3.3.7 (reverse current)( IR) 3.3.8 (resistive reverse current)( irr) , 3.3.9 (reverse recovery current)( iRR) 3.3.10 I 2t C IEC 60747 2： 2006 3 3.3.11 (peak case non-rupture current)( IRSMC) , , , . . 3.3.12 I 2RCt , , I 2RCt , . =w022RCdttitI tw . , I

8、2RCt . . 3.4 ： 3.4.1 (total power dissipation)( Ptot) 3.4.2 (forward power dissipation)( PF) 3.4.3 (mean forward power dissipation)( PFAV) 1 3.4.4 (reverse power dissipation)( PR) 3.4.5 ( ) (surge reverse powe r dissipation) (PRSM) 3.4.6 (turn-on dissipation)( PFon) , 3.4.7 (turn-off dissipation)( P

9、RR) , 3.5 ： 3.5.1 (straight line approximation) , ( 5 ) 3.5.2 (forward slope resistance)( r T) ( 5 ) 3.5.3 (forward recovery time)( tfr) , VFRM 2 1 (a) 0 , 0 1 (b) 1. (specification method) I： 2 1 (a), b) V*F 10 % 110 % . 2. II： 1 b) , VFRM 90 % 50 % A, B (extrapolation) . C IEC 60747 2： 2006 4 a) I

10、 b) II 1 3.5.4 (reverse recovery time)( trr) 0 , IRM 2 (a) 0 2 (b) 2 b) , A, B . IRM 90 % A IRM . C IEC 60747 2： 2006 5 a) I rr b) “A”, “B” 2 3.5.5 (recovered charge)( Qr) +=i00dRrttttiQ t0： 0 ti： ( 3 ) . C IEC 60747 2： 2006 6 3 3.5.6 (reverse recovery current rise time)( trrr, ta) ta . 3.5.7 (rever

11、se recovery current fall time)( trrf, tb) 3.5.8 (rise time charge)( QRRR) 3.5.9 (fall time charge)( QRRF) trrr(3.5.6) trrf(3.5.7) trr . , Qr(3.5.5) ti . , QRRR(3.5.8) QRRF(3.5.9) trr ti Qr . 3.5.10 ( ) softness factor( FRRS) 0 . 2 a) b) FRRS=maxrf0rr)d/d()d/d(titii=4. 4.1 KS C IEC 60747 1, V . 4.2 K

12、S C IEC 60747 1, V . 4.2.1 , (KS C IEC 60747-1, V 2.2.1 ) A, a (anode) K, k (cathode) (TO) (threshold) 4.2.2 (KS C IEC 60747 1, V 2.2.2 ) T (slope) 4.3 . . C IEC 60747 2： 2006 7 4.3.1 ( ) VF VFM (I0 ) VF(AV) ( ) VR VRWM ( ) VRRM ( ) VRSM V(BR) VFR VFRM 4 (forward slope resistance) (threshold voltage) rT V(TO) 5 C IEC 60747 2： 2006 8 4.3.2 ( ) IF IFAV IFRM IFRMS I(OV) ( ) IFSM ( ) IR IRM iRR IRSMC 6 4.3.3 PF PR PFT(AV) PFT PFTM PRQ(AV) PRQ PRQM C IEC 60747 2： 2006 9 4.3.4 tfr trr trrr, ta trrf, tb Qr, QRR QRRR QRRF ( ) softness factor FRRS 5. 5.1 5.1.1 .