GB T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范.pdf
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1、中华人民共和标准蚀刻列封装引线框范Specification of DIP leadframes produced by etching 1 主题内容与适用范围1. 1 主题内容GB/T 15877 1995 本规范规定了半导体集成型双列封装引(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。1. 2 适用范围本规范适用于半导体集成料双列封装引线框架,其他封装形式引线框架也可参照使用。2 引用3 GB 7092 93 半导体集成电路外形尺寸GB/T 14112 93 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T 14113 93 半导体集成电路封装术语SJ/Z 9007 87 计数检查抽样方案
2、和程序、代本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定。4 技术要求4. 1 设计引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定,并符合引线框架设计的要求。4. 1. 1 引线键合区的最小面积引线键合区应保证其宽度不小于0.2mm.妖度不小于0.635mm.由于蚀刻工艺中的钻蚀是难以免的,并将产生端头倒圆现象,因此在民度计量时应从距端部0.25mm处起进行.汗。4. 1. 2 金属间的间隔引线框架各内引线之间,内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.15mm。4.2 引线框架形状和位置公差4.2. 1 引线框架的侧弯应小于标称条长的0.5%。4.2.2 引线框架的卷曲应小于标称条长的0
3、.3%。4.2.3 引线框架的横引线框架的最大横弯尺寸应符合表1的规定。1995-12-22 1996-08-01 GB/T 15877 1995 表1引线数条宽8 15.24 1416 24. 6425. 40 18 27. 1827. 94 20 29. 7230. 48 22 32. 26-33. 02 24 37.34-38.10 28 42.42-43.18 40 56.66-58.42 48和48以上60.96-67.82 4.2.4 引线框架的扭曲应小于O.5mm.4.2.5 引线框架的内引线扭曲应不大于O.Olmm.4.2.6 引线框架精压区端头共面性应不小于O.lmm。4.2
4、. 7 引线框架精压区深度应不大于材料厚度的1/3。m口1横弯(最大值)0.127 O. 127 O. 127 0.254 0.254 0.254 0.254 0.254 0.254 4.2.8 芯片粘接区的斜度从拐角测量,在每2.54mm长或宽的距离内,对未精压的粘接区,斜度最大为O.025mm;对精压的粘接区,斜度最大为O.050mm。4.2.9 芯片粘接区的平面度在芯片粘接区的四个固定点(支承条两个连筋)与基准面之间的平面度应符合表2的规定。寻|线数8-16 18-64 4.3 引线框架的外观4. 3. 1 引线框架连筋内侧的任何水平毛剌不得大于O.051mmo4.3.2 凹坑表2m口1
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- GB 15877 1995 蚀刻 型双列 封装 引线 框架 规范
