GB T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范.pdf

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1、中华人民共和标准蚀刻列封装引线框范Specification of DIP leadframes produced by etching 1 主题内容与适用范围1. 1 主题内容GB/T 15877 1995 本规范规定了半导体集成型双列封装引(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。1. 2 适用范围本规范适用于半导体集成料双列封装引线框架，其他封装形式引线框架也可参照使用。2 引用3 GB 7092 93 半导体集成电路外形尺寸GB/T 14112 93 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T 14113 93 半导体集成电路封装术语SJ/Z 9007 87 计数检查抽样方案

2、和程序、代本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定。4 技术要求4. 1 设计引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。4. 1. 1 引线键合区的最小面积引线键合区应保证其宽度不小于0.2mm.妖度不小于0.635mm.由于蚀刻工艺中的钻蚀是难以免的，并将产生端头倒圆现象，因此在民度计量时应从距端部0.25mm处起进行.汗。4. 1. 2 金属间的间隔引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.15mm。4.2 引线框架形状和位置公差4.2. 1 引线框架的侧弯应小于标称条长的0.5%。4.2.2 引线框架的卷曲应小于标称条长的0

3、.3%。4.2.3 引线框架的横引线框架的最大横弯尺寸应符合表1的规定。1995-12-22 1996-08-01 GB/T 15877 1995 表1引线数条宽8 15.24 1416 24. 6425. 40 18 27. 1827. 94 20 29. 7230. 48 22 32. 26-33. 02 24 37.34-38.10 28 42.42-43.18 40 56.66-58.42 48和48以上60.96-67.82 4.2.4 引线框架的扭曲应小于O.5mm.4.2.5 引线框架的内引线扭曲应不大于O.Olmm.4.2.6 引线框架精压区端头共面性应不小于O.lmm。4.2

4、. 7 引线框架精压区深度应不大于材料厚度的1/3。m口1横弯(最大值)0.127 O. 127 O. 127 0.254 0.254 0.254 0.254 0.254 0.254 4.2.8 芯片粘接区的斜度从拐角测量，在每2.54mm长或宽的距离内，对未精压的粘接区，斜度最大为O.025mm;对精压的粘接区，斜度最大为O.050mm。4.2.9 芯片粘接区的平面度在芯片粘接区的四个固定点(支承条两个连筋)与基准面之间的平面度应符合表2的规定。寻|线数8-16 18-64 4.3 引线框架的外观4. 3. 1 引线框架连筋内侧的任何水平毛剌不得大于O.051mmo4.3.2 凹坑表2m口1

5、粘接区度十0.070/-0.127+0.152/-0.076 直毛大于0.025mm，连的垂直毛刺和任何位置上的在引线键合区端部O.635mm和芯片粘接区周界O.508mm范围内，不能有直径大于0.013mm，深度超过0.008mm、数量多于1个的凹坑。在芯片粘接区周界0.5mm以内的功能区不能有直径大于0.130mm、深度超过金属材料厚度50%，数量多于2个的凹坑s其余非功能区不能有直径大于0.5mm、深度超过金属材料厚度50%，数量多于3个的凹坑。4.3.3 在引线框架引线键合区和芯片粘接区有效区域内不能有最大尺寸:O. 050mm X O. 025mm X 0.010mm、数量多于1个的

6、划痕，其它部位不能有最大尺寸:0.150mmX O. 075mmX O. 030mm，数量多于3个的划痕。4.3.4 表面缺陷呈材料金属本色，无锈蚀、发花等缺陷。4.4 引线GB/T 1 5877 1 995 4.4. 1 镀层厚度4. 4. ,. ，局不小于1.0m。4. 4. ,. 2局4.4.2 镀层外观(层表面致密，色泽均匀并币、水迹和的陆.JIIV、阳。4.4.3 镀层耐热性后应无明显变色，不允许有起皮、起泡、引罚丁1主末，引线框珉，不小于3.8m。金属本色，不允许有起皮、起泡、剥落、发花、斑点、异物、划伤、沾落、发花、斑点陷。4.4.4 引线框架内的引4.5 引线框架外引引线框架的

7、外引区应易于键合，度曲试验后不应出现度大于40mN。 。5 GB/T 14112附录中规定的方法，AQL批的构成批可由一个生产批或由符合下述条件的几个生产批构响。8. 这些生产批是采用相同的材料、工艺、设备等制造出来的，b. 每个生产批的检验结果表明材料和工序的平$c. 若干生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周，除另有规定外，5.2 检验项目及要求引线框架的检验项目见表3，标有(D)的试验为破坏性试验，表3中所引用的试验方法系指lPl f-t宜且以条为计量单位。5. 1 产的引线框架达到预先规定的质不得超过一个月。样方案按SJ/Z9007的表3检验或试验要求IL AQL 外观目具测量，毛剌

8、按附录A的All 4.3及4.4.2E 1. 5 尺寸用满足测量精度的量具量，金属间距按附录A的A7 4. 1 1.5 形位公差附录A的A1-A6.A8和A9 范4.2S3 2.5 层测厚仪或其他等效方范4.4.1条S3 1.5 法且便-1B-B-B 的一的一的B-B-B 录一录一录附一附一附边一叫白一臼一臼川-M-M耐热性(0)(0) 外引线强度(0)G/T 15877 1995 6 订货资若无其他规定，订购引线框架时至a. 产品型号规格;以下资料zh C. 产品图纸和图号;d. 材料名称和规格;e. 任何真他细节(适用时)。7 标志、包婆、运输、贮存7.1 标志引线框架包装盒上应有如下标志

9、za. 厂名鸦向怀;b. 产品名称、型号、规格FC. 产品标准编号pd. 数量;e. 生产日期Ff. 检验批识别代码和检验员代号。7.2 包装引线框架内包装采用中性防潮纸，并保证产品不受市染和不变形。中间包装应采用纸盒和塑料袋，内装产品合格证，并保证在运输过程中不受损坏。外包装采用瓦楞纸箱或木箱，并注明防潮、防震等字。7.3运产品的包装7.4 贮存7.4. 1 产品应贮存在房内。任何交通工具的运输，并中能防止雨淋、受潮和破损。1035，相对温度不大于80%的通风、干廊、性气体的7.4.2 自出厂日期起有镀层引线框架保存期为3个月，|线框架保存期为6个月。附加说明:本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准由宁波集成电路元件厂、西安徽电子技术研究所负本标准主要起草人陈雪尧、王先春、敖凤荣。