SJ T 10675-1995 电子及电器工业用硅微粉.pdf
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1、L 90 中1995-08-18发布只吁,日电SJ/T 10675一1995、Silica micropowder for electronic and electrical industry 1996-01-01实中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子行业标电子及电器工业用硅微臼/T10675一1995Silica micropowder for electronic and electrical industry 1 主题内容与适用范1. 1 主题内容本标准规定了电子及电器工业用硅微粉的分类,技术要求,试验方法,志、运输、贮存。1. 2 适用范围本标准适用于电子及电器工业中环氧树脂
2、浇料(含粉未涂料和液态涂料)以及电焊条保护涂2 51用标准、用硅GB602 化学试剂杂定用标准液GB 6284 化工产品中定的方料、塑封料、。备GB 6908 锅炉用水和冷却水分析方法电导的定GB 9724 化学试剂PH 定通则SJ 3228.2 高纯石SJ 3228.3 高的定SJ 3228.4 高纯石英砂中-化硅的测定SJ 3228.5 高纯石英砂中铁的测定JC308 滑石粉定方法ZBD 62001 进出口石英石(砂)化学分析方法3 产品分3. 1 产品的分类,代号、型号及主要用途,见表1。中华人民共和国电子1995-08-18批及包装、标料、工料、涂1996-01-01实1一分类代号型号
3、PG-50 PG-39 PG PG-25 PG-I0 QG-50 QG-39 QG QG-25 QG甲10HG-50 HG-39 HG HG-25 HG-I0 电子JHG-50 结晶形JHG-39 JHG 活性硅JHG-25 粉JHG-I0 WG-50 电子WG-39 无定形WG 粉WG-25 WG-I0 电子WHG-50 无定形WHG-39 WHG 活性WHG-25 徽粉WHG-I0 3.2 型号示例xxx一一-xx4技术一2一町/T10675一1995表1基本粒径fLffi 50 39 25 10 50 39 25 10 50 39 25 10 国+50 39 25 10 50 39 25
4、 10 50 39 25 10 主要用途环氧树料.包封料,粉末涂料以及电焊条保护层及树用填料。封料及其它电子等用填料。及半导体元件封料用填料。基本粒径(m)代号(P代表普通,Q代表去离子;H代表活性;W代表无定形:J代表结晶形;G代表硅微粉)。SJ/T 10675 1995 4.1 产品粒度分布,见表2。表2径(Wt%) XXX-50 XXX-39 XXX-25 XXX-I0 业组啤匮65 70 75 80 99.95 99.99 100 150 100 100 。4.2 产品理化技术见表3。表3代号项目PG QG HG JHG WG WHG 白色粉末,无杂色,无结团。含水量.%骂王0.1密度
5、.xlO3kg/m3 2.65士0.052.20士0.05灼烧失量.%运二0.15Siz. % 二注99.5二注99.7F乌.%骂王0.03Alz:!. % 0.2 水性,min二月O二注4545 无定形Siz.% 二95电导率间/cm骂王4530 Na+ .ppm 10 取CI- .ppm 运10液Fe3+ ppm 运10PH 5.5-7.5 L 注:如有特殊要求,囱供需双方协商。5试验方法5. 1 试验条件按SJ3228.2。一3一5.2 外观的检查用目视检查。5.3 含水量的测定按GB6284进行。5.4 密度的测定按1C308中2.2进行。5.5 灼烧失量的测定按臼3228.3进行。5
6、.6 二氧化硅含量的测定按S13228.4进行。5.7 三氧化二铁含量的测定按ZBD62001中2.4进行。5.8 三氧化二铝含量的测定按ZBD62001中2.3.2进行。5.9 憎水性的测定5.9. 1 SJfT 10675一1995活性硅微粉表面有一层硅烧偶联剂膜,具有憎水性基团,因此活性硅微粉有疏水性,当其放置静止水面上时,沉降时间不同,借此测定其憎水性。5.9.2 a. 电热烘箱(0-200t); b. 分析天平(精度千分之一); c. 计问币;d. 孔径0.3mm(60目).直径10cm的样筛;e. 1000ml烧杯。5.9.3 测定方法在1000ml烧杯内倒入800ml水,待水静止
7、后,准确称取(110:t5t烘至恒重试样2g)于样中,用筛子轻轻将试样均匀地筛在静止水的表面上后开始计时,待试样全部沉入水中后,计时完毕。此段时间即为憎水性能值(min)o5.10 无定形二氧化硅含量的测定5.10.1 方法提无定形二氧化硅与晶态二氧化硅在特征X射线照射下,各自具有特有的X射线散射花样,其散射强度与含量成比例。本方法采用X射线衍射阶梯扫描方式,确定标准民值,继而得样品中无定形二氧化硅的含墨。5.10.2 仪器和标样的制备a. 多晶X射线衍射仪带微机井有阶梯扫描方式功能的多晶X射线衍射仪一台.X射线发生器的管压管流偏差不大于:t0.03%.仪器的综合稳定度偏差不大于土1%.测角精
8、度在0.0102Q以内;b. 纯度大于99.99%标样把单晶水晶粉碎研磨,用沉降法取粒径为2-5m的组份,在500t退火处理2h后备用;c. 无定形二氧化硅标样一4一臼/T10675 1995 把非晶态石英玻璃粉碎研磨,用沉降法取粒度2-5m的组份,在120C烘干后备用。5.10.3 测定方法5.10.3.1 Ka值的测定和计水晶标样与无定形二氧化硅标样,按重量比0.5:0.5.0.4:0.6.0.3:0.7.0.2:0.8.0.1:0.9.0.05:0.95组成六个样品,棍合均匀后,在28=10-35C (CuKd)辐射范围内,用阶梯扫描方式收集强度数据,在同样实验条件下,再收集无定形二氧化
9、硅标样与未装样品的空白样品架散射强度,扣除空白样品架散射后,以无定形二氧化硅标样散射曲线为标准,利用分峰软件,马晶态与非晶态散射分离开来,算出积分面职后求得六个样品的Ka值,取平均值得到标准K。Ka值按式(1) S. + ); Sc ka=Ca-r . . . . . . . . . (1) 式中:Sa一一无定形二氧化硅散射的积分面积2L:Sc-一一结晶二氧化硅散射峰面积和;Ca一一样品中无定形二氧化硅所占的百分数。5.10.3.2 试样的测定和试样研磨成50m以下,与测定Ka值相同的光路条件与阶梯扫描范围,收集待试样散射强度曲线,扣除空白样架散射后,利用分峰软件,把散射曲线中晶态与非晶态散射
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