SJ 20786.1-2002 半导体光电组件.CBGS2301微型双向光电定位器.详细规范.pdf
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1、乎也-嘈FL 5980 共行标SJ 20786/1 2002 组CBGS2301 细Semiconductor photoelectric assembly Detail spec谊cationfor miniature duplex photoelec仕iclocalizer for type CBGS 2301 2002-12-12发布2003-05-01实施中华人民共和国信息产业部批准SJ 20786/1-2002 中华人民共和国电子行业军用标准体光电组件型双向光电定位器细规范半们羊句3、1呵/。、uG RU C Semiconduc阳phoelecttic缸semb坊Detail s严
2、cificationfor miniature dup!ex phoe!ectric IocaIizer for type CBGS230! 分别用字1. 1 主题内容本规范规定了适用范国范围CBGS2301型光电双向驱动器(以分类1. 3. 1 t主SJ母ZI和Z表示.1. 4 绝对1. 2 1. 3 位 单值数-25 小最自环境工作温度项1. 5 推荐工作条件推荐工作条件如下:符数值项目号单位最是大电源电压Cd.c.lVcc 4,5 5.5 V 电源电流Cd.c.1 !cc 40 70 mA 2003-05-01实施1 中华人民共和国信息产业部2002-12-12发布一,一SJ 207B6
3、/1-22 引用文件2 军用设备环境试验方法高温试验军用设备环镜试验方法低温试验计数抽样检验程序及表电子及电气元件试验方法微电子器件试验方法和程序半导体光电组件总规范GJB 150.3-86 SJ 20786一1000GJB 150.4-86 GJB360A 96 GJB548A一-96GJB 179A 96 要求3 设计、结构和尺寸3. 1. 1 设计组件的设计应符合SJ20786中3.4.1的规定及性能指标和技术图纸的要求。结构外形尺寸及引出端识别按图1; 电路图按图3.用己独立封装的元器件组成-3. 1. 3 外形尺寸主且件的外形尺寸应符合图1的规定。551时3. 1 3. 1. 2 a
4、. b 巳.2-位深5同呵m【3土0.3。护_.- 1638 (红)+5V i 白地(绿)输出1(绿)输出2图1-一一-一3.1.4 质量(重量)组件的质量不大于60g. 3.1.5 老;陈及稳态寿命试验的电路图电老炼及稳态寿命试验的电路图应符合图2的规定。2 +5V 组地件3. 1. 6 电路图组件的电路图应符合图3的规定。R, 3.2 外观质量 飞、E, D, SJ 2.0786/1-2.2 RLl 图2R, R. 1 D, X, X与图3R, Ru / / E, 输出1输出ZX,+5V X, 地宁组件的外表面应平整光洁、无毛刺凹痕、划伤等影响寿命、使用或外观的缺陷。镀层或涂层应无汽泡、裂
5、纹、起皮、软化、锈蚀等缺陷。3.3 材料和元器件组件所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验合格的产品。3.4 制造要求组件的制造按有关工艺文件的规定执行。3.5 标志要求组件上应有下列标志z产品型号和/EX.名称:a. b 承制方商标和名称或代号:c 军用标志:d. 检验批识别代码。3.5. 1 标志的清晰度应符合SJ20786中3.5.9的规定。3.6 光电性能及测试要求3. 6. 1 输出状态的变化 采用光断续器控制状态位置的变化。当状态位置由状态1变化到状态2,或由状态2变化到状态1肘,原为高电平的一路应为低电平,原为!f;电平的一路应为高电平。3.6.2 输出特性输出高电平:h
6、fE对V3 1 SJ 20786/1-22 输出低电平,VOL运0.7V输出电流:10: 5 mA-IOmA 4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按SJ20786和本规范的规定,检验批的大小至少应是B组和C纽所需样品数量的1.5倍.4.2 筛选在提交鉴定检验和质量-致性检验前,组件应按SJ20786的表1和本规范表1的规定进行。不符合要求的组件应剔除,剔除的组件不能作为合格产品交货。表1筛选序号筛选项目试验方法条件1 封前目检GID548A方法2014放大20倍2 高温贮存GID 150.3 2.1 T,.= 100 C. t -24 h 3 温度冲击GID360A方法107空气介
7、质法.-40 C -100 C.试验条件A4 低温工作试验GID 150.4 2.2 TA=-25 C. t =1 h 5 高温工作试验GID 150.3 2.2 h吨5C. t=lh 6 J中击GID360A方法213980 mls. 6 ms 7 电老炼电路原理按图2T町也.=85C. t =96 h 试验方法按附录A(补充件)电源电压:5 V (d.c.) 电源电流:40 mA-70 mA (d.c.) 8 最终特性测试附录A(补充件)附录B(补充件)输出状态的变化符合3.6.1的规定输出特性输出高电平s陀R;同V输出低电平.凡LO.7V输出电流:10: 5mA-lOmA 9 密封(不适
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