SJ 20644.1-2001 半导体光电子器件 GD3550Y型PIN光电二极管详细规范.pdf

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1、4也- I FL 5961 、.SJ 20644/1 2001 w导、l电子器Semiconductor optoelectronic devices DetaiI specification for type GD3550Y PIN photodiode 2001-12-27发布2002-01-01实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业体光电子器件GD3550Y型PIN光电二极Sernlconductor optoeletronlc devices 用标准规范Detail specification for type GD3550Y PIN photodiode 1 范回1.

2、 1 主题内容SJ 20644月-2001本规范规定了军用GD3550Y型PIN光电二极管(以下简称器件勺的详细要求.1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购.1. 3 分类按本规范提供的器件根据SJ20644-97 (PIN、APD光电探测器总规范规定为2密封等级A类:波长1.0rn-1.65rn;光糯合类型3型一球面透镜.2 引用文件GB厅15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分s光电子器件GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法5J 2354-83 PIN、雪崩光电二极管测试方法5J 20644-97 PIN、APD光电探测器总规范3 定义3. 1 详细

3、要求应符合5J20644和本规范的规定.3.2 合格鉴定本规范提交的器件应是经鉴定合格批准的产品.3.3 材料3. 3. 1 芯片材料器件芯片材料为锢t轩申/磷化锢。3.3.2 号|线材料引线材料为可伐材料。3.3.3 透镜材料中华人民共和国信息产业部2001-12-27发布2002-01-01实施SJ 20644/1-2001 透镜玻璃，光透过率大于90%。结构器件的结构应符合SJ20644和本规范的规定.3.4. 1 芯片结构芯片结构为PINo3.4.2 光敏西直径光敏面直径为300ffio3.4.3 封装形式器f!t采用全金属化熔封。引线镀涂引线为镀金，也可按照订货文件规定(见6.2)选

4、择镀层。3.4.5 外形尺寸外形尺寸见图10 3.4 3.4.4 A向 + 。. D， 电叫m1 符lJD D, D2 b A A , j k L e 尺寸Jt小值5.0 4.4 1.25 0.33 4.2 0.6 1.1 1. 1 13.3 标称值1.2 7 占2大值5.6 4.9 1.35 0.36 4.8 0.8 1.3 1.3 外形尺寸主且二J引出端i只另IJ引出端识且IJ!A.凶203. 4. 6 2 SJ 20644月-2001管脚|接线1 I 电源负极2 电源正极3 I 悬空或接地2 引出端识别3.4.7 寻|线长度可按订货文件规定(见6.2).提供引线长度不同于图l的器件.3.

5、5 光电性能3. 5. 1 最大额定值是大额定值见表l。表1T.1g TA T.1d V. !,M Pl01 。c。c。cV rnA rnW -45-125 -45-100 260 5 10 10 3.5.2 主要光电特性主要光电特性见表2(TA =25 OC)。表2特性符号测试条件极限值最小值响应度S V.=5 V 仇=1W=1.30m0.7 暗电流JR(D) V.=5 V 仇=0总电容CtOl 产1MHz JR=5 V 上升时间t, V.=5 V RL=50 n 下降时间t, ;,=1 rnW =1.30m 反向击穿电压V(BR) 1.=10A 30 光谱响应范围，-H VR=5 V.=1

6、 rnW 1. 0 3.6 环境和机械要求环挠和l机械要求应满足SJ20644和l本规范表4、农5和l表6的要求.3. 7 标志标志应符合SJ20644和本规范的规定。器件上应打印F列标志:器件型号和l序号。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验最大值10 10 5 5 1.65 ;, rnW 4 单位NW nA pF ns ns V m 3 SJ 20644月-2001抽样和检验应按SJ20644和本刘主灼规定.4. 1. 1 表4中A1分组进行检验和试验的器件可以用于A2分组.A2分组合格样品可以用于A3和A4分组的检验和试验.如果样本母数不满足抽样要求时，则进行百分之百检验.4. 1. 2

7、 鉴定试验总样品fj:至少应等于B、C组抽样数的2倍.4. 1. 3 如果光电参数不合格的器件已随同检验批通过老炼前各项试验，则表5中81、84分组的器件可以采用同一检验批中光电参数不合格器件。4. 1. 4 表5中83分组的器件可继续按表6中C5分组的规定进行试验，直至总试验时间达到1OOOh. 4. 1. 5 技表6中C1分组进行检验的器件可以用于表6中C2分组的检验和试验.4.2 筛选应按SJ20644和本规范表3的规定.表3筛选GJB 128A 筛选方法条件内部目检封装前)I 2073 高温寿命(非工作)温度循环恒定加速度密封a.细检漏b 粗检漏光电参数测试IRJ，时S 电老炼(高温反

8、偏)最后测试MR(D) M 外观及机械检验4.3 鉴定检验1032 1051 2006 1071 T.=125 C t=24 h 除垣低温度-45C外其余技试验条件BYI方向98000m1s 不需保持1mn 试验条件HI.加压时间2h.漏率5x10-Pa.cmjs 试验条件C.压力414kPa.加压时间4hSJ 2354.3 I只t=5V仇=0SJ 2354.6 I VR写5V仇=1W=1.30 11m 1038 试验条件At=48 h TA=IOOC VR=5 V SJ 2354.3 I VR=5 V ，旦。SJ 2354.6 I VR=5 V仇=1W=1.30m 2071 极限值最小值|

9、最大值10 0.7 IIVD或5nA 以大者为准。IIVD外观无缺陷，镀层无锈蚀鉴定检验应按SJ20644和本规范表4、表5和表6的规定进行。4 单位nA AJW nA AJ飞VSJ 20644/1-2001 4.4 质量-致性检验质量一致性检验应按A组、B组和C组的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按表4、表5和表6及下列规定进行。4. 5. 1 表5中B4分组的键合强度试验可在封帽前进行。表4A组检验极限值小批量分组符号方法条件单位LTPD 质量检验最小m大nlc 1组5 1510 外观及机械检GJB 128A 外观无缺陷验2071 镀层无锈蚀2组5 16/0 暗电流IR(D

10、) SJ 2354.3 V.-5 V 仇-010 nA 响应皮S SJ 2354.6 V.-5 V 。7AI认f仇-1W-1.30m 反向击穿电压V(BR) SJ 2354.2 1.-10A 30 V 3分组5 高温试验TA=IOO oc 暗电流10 SJ 2354.3. V.-5 V 仇-02 A 4分组10 10/0 总屯容Ctot SJ 2354.5 VR=5 V产1MHz 10 pF t升时间1, SJ 2354.8 1.-5 V RL-50 n 5 ns 民=1mW -1.30m 下降时间If SJ 2354.8 IR=5 V R-50 n 5 ns ,-I mW 1.30m 光讷响

11、1年范r.JL-M SJ 2354.7 VR=5 V，仇-1mW 1. 0 1. 65 m 5 一一, J SJ 20644/1-2001 表5B组检验GJB 128A 小批量质量检验LTPD 方法条件检验nlc1分组IS 6/0 可焊性2026 耐溶剂1022 2分组10 6/0 温度循环1051 除草低温度-45C外，其余按试验条件B密封1071 a 细检漏试验条件H1.加压时间2h. 漏率队10-3Pa.cmJ/s b 粗检漏试验条件C.压力414kPa.加压时司4h最后测试见本规范表7步骤l3分组5 12/0 稳态工作寿命1027 V.S V TA-100 C 1=340 h (高温反

12、偏是后测试见本规范表7步骤2十4分组10 LTPD10 键合强度2037 试验条件A至少3个样品、5分组7 12/0 高温寿命(非工作1032 Tug= 125 oc 1=340 h 最后测试见本规范表7步骤26 二白一SJ 20644月一2001表6C组检验GJB 128A 小批量质量捡验LTPD 方法条件检验nlc1分组15 6/0 物理尺寸2066 2分组10 6/0 热冲击1056 试验条件A引出端强度2036 试验条件A，F=10N. 1=10 s士1s 密封1071 a 细检漏试验条件H1.加压时间2h. 漏率Sx10-3 Pa.cm/5 b 粗检漏试验条件C.压力414kPa.加

13、压时间4h 耐湿1021 外观检验2071 主主后测试见本规范表7步骤l3分组10 6/0 冲击2016 非工作，方向X，、Y加速度14700 m1s.脉宽，0.5 ms 冲击5次扫频振动2056 非工作，方向X，、Y恒定加速度2006 方向叭，加速度98000m1s. 时间1min 最后测试见本规范表7步骤14分组不要求5分组=10 1210 稳态工作寿命1026 TA=100 C 1=1 000 h V.=5 V (高温反偏)最后测试见本规范表7步骤2表7 步骤检验方法条件符号极限值单位最小最大I 暗电流SJ 2354.3 V.=5 V E,=O IR归)10 nA 响应度SJ 2354.

14、6 I VR=5 V =1.30m Ee=lW S 0.7 Afo，lW 2 暗电流SJ 2354.3 V.=5 V E,=O IR(D) 20 nA 响应度SJ 2354.6 VR=5 V=1.30m Ee=lW S 0.63 NW 注，1)不符合3.5.2规定值的器件不准向用户提供.7 一一一一) SJ 20644/1-2001 4.6 检验数据如果订货文件中己作规定(见6.2)，那么制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提供.5 交货准备包装、贮存和运输要求应符合SJ20644的规定-6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件，主要用于光纤通讯等.6.2 订货文件内容合同或汀单中应

15、载明下列内容ta 产品的型号、名称:b. 详细规范的编号和发布日期:C. 检验数据(见4.6)，d 订货数量:e. 如果引线不是镀金，应规定镀层(见3.4.4), f. 如果引线长度不同于图1.应规定引线长度(见3.4.7)， 其它.6.3 定义8 本规范使用的定义和符号应符合GBrr15651及以下的规定.光谱响应范围E响应度为峰值波长的1110时的最短和最长波长范围.附加说明:本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范由信息产业部电子第四十四研究所负责起草。本规范主要起草人:谢春梅、李春芳、郭萍、姚鸿.计划项目代号:B91001. 中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件GD3550Y型PIN光电二极管详细规范SJ 20644/1-2001 中国电子技术标准化研究所出版中国电子技术标准化研究所印刷中国电子技术标准化研究所发行电话:(010)日4029065传真:(010) 64007812 地址g北京市安定门东大街1号邮编:100007 网址-ww.cesLac cn * 开本:880X口3016印张2f字数:20千字2002年4月第一版2002年4月第一次印刷版权专有不得翻印举报电话:(010) 64007804