GB T 15713-1995 锗单晶片.pdf
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1、ICS 29. 040. 20 H 81 1995-10啕1711: 、单曰目目G/T 15713 1995 Monocrystalline germanium slices 1996- 03- 01 国家技术监督局发布-一一一二一一一一一一一、中华人民共和国国家标准GB/T 15713-1995 单晶片Monocrystalline germanium sJices 主题内容与适用范围本标准规定了错单晶切割片、研磨片和腐蚀片(简称错片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存.本标准适用于各种牌号的错单品经切割、双面研磨、分割、腐蚀制备的圆形、方形和长方形错片,产品用于
2、制作晶体管和红外器件.2 3 引用标准GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)GB/T 5238 错单晶产品分类3. 1 分类错片按导电类型分为n型和p型,按生产方法分为切割片、研磨片和腐蚀片三种,3.2牌号3.2.1 错片的牌号表示为g-Ge-)- ( 5 4 3 2 1 其中s1一-表示错单品的生产方法.Cz表示直拉法,HB表示水平法.2一-Ge表示错单晶。3-一表示错片的品种,分别用相应英文单词的第一个字母组合的大写形式表示,当英文取两个字母时,第二个字母应小写,其中gCW表示切割片,a. b. BLW表示双西研磨片, EtW表示腐蚀片。4一一用n或p表示导电类
3、型,括号内的元素符号表示掺杂剂.国家技术监督局1995-10-17批准一一一一一1996-03-01实施二一才 GB!T 15713-1995 5一一用密勒指数表示晶向。3.2.2示债): 4 a. b. Cz-Ge-CW -p (Ga)-Ol1)表示晶向为(11)的p型掺镣直拉铐单晶切割片.Cz-Ge-EtW-n(Sb)-( 111)表示晶向为(11)的n型掺锦直拉锯单晶腐蚀片.技术要求4. 1 物理参数和晶体完整性错片所涉及的错单品的物理参数和晶体完整性应分别符合GB!T5238中的4.1条和4.3条的规定-4.2几何参数4.2.1 错片的几何参数应符合表l规定.表1口1m4.2.2大圆片
4、中有边缘破损的错片,其内接圆的直径应不小于9.35mm.其重量应不超过该批总重量的5%。4.2.3 需方如有特殊要求(包括红外器件用错片).由供需双方另行商定.4.3 品向4.3.1 铐片表面取向为(11)或由供需双方商定。4.3.2 错片的表面取向偏离应不大于2 4.4 表面质量4. 4. 1 错小圆片崩边径向延伸应不大于0.3mm,深度不超过错片厚度的四分之-s缺口径向延伸应不大于0.1mm,每片的崩边和缺口总数不得多于3个,崩边和缺口的总长度不得超过错片周长的5%.4.4.2方片或长方片不得有长皮大于边长七分之一的崩边.边民不大于2mm的错片,崩边宽度不得超过边长的十分之一,边长大于2m
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