【学历类职业资格】电子技术基础自考题模拟9及答案解析.doc
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1、电子技术基础自考题模拟 9及答案解析(总分:100.00,做题时间:90 分钟)一、单项选择题(总题数:15,分数:30.00)1.N沟道耗尽型 MOS管的符号是_ A B C D (分数:2.00)A.B.C.D.2.当 PN结外接反向电压时,其内部电流的关系为_(分数:2.00)A.扩散电流大于漂移电流B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流D.无法确定3.阻容耦合放大电路与直接耦合放大电路幅频特性相比较_(分数:2.00)A.阻容耦合方式低频特性好B.直接耦合方式低频特性好C.阻容耦合方式高频特性好D.直接耦合方式高频特性好4.差动放大电路抑制零点漂移的效果取决于_(分数:2.0
2、0)A.两个三极管的放大倍数B.两个三极管放大电路的对称程度C.每个三极管的穿透电流大小D.外界温度的变化5.在下列组态的放大电路中,若要求输出电阻低,应选_(分数:2.00)A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.共源组态6.工作在放大状态下的理想运放,其两个输入端的电流均为零,则称此为_(分数:2.00)A.虚短B.虚断C.虚联D.虚地7.正弦波振荡电路能自激振荡的条件是_ A B C D (分数:2.00)A.B.C.D.8.差动放大电路中,当差模放大倍数 一定时,电路的共模放大倍数 (分数:2.00)A.电路中温度漂移越大B.电路对有用信号的放大能力越强C.电路对有用信号的放大能力越弱
3、D.电路对温度漂移抑制能力越差9.放大电路中引入电压串联负反馈,可使其输入电阻比无反馈时_(分数:2.00)A.减小了 F倍B.增大了 F倍C.减小了(1+AF)倍D.增大了(1+AF)倍10.逻辑函数 F(A、B、C、D)=(0,2,9,13),其约束条件为 ,则逻辑函数的最简与或式为_ A B C D (分数:2.00)A.B.C.D.11.下图电路为 TTL集成门电路,其输出函数 F为_ A B C D (分数:2.00)A.B.C.D.12.触发器电路图如下图所示,当 A=1时,其次态 Q n+1 等于 _ A0 B1 CQ n D (分数:2.00)A.B.C.D.13.如下图所示电
4、路输出函数 F的逻辑表达式是_ A B C (分数:2.00)A.B.C.D.14.振荡频率较低,一般在 1MHz以内的电路是 _(分数:2.00)A.变压器耦合振荡电路B.文氏电桥式 RC正弦波振荡电路C.电感三点式振荡电路D.电容三点式振荡电路15.主从 JK触发器的触发时刻为 _(分数:2.00)A.CP=1期间B.CP=0期间C.CP上升沿D.CP下降沿二、填空题(总题数:9,分数:9.00)16.和开路 PN结的结区宽度相比,当 PN结加上正偏压时,其结区宽度 1;当 PN结加上反偏压时,其结区宽度变宽。 (分数:1.00)17.放大电路的非线性失真,是由于晶体管工作时进入 1 引起
5、的。 (分数:1.00)18.三极管工作在放大区时,集电结处于反向偏置状态,发射结处于 1 状态。 (分数:1.00)19.为使放大电路的输入电阻提高,而且输出电流稳定,则该放大电路应引入 1 负反馈。 (分数:1.00)20.常用的 LC正弦波振荡电路主要有变压器反馈式 LC振荡电路和 1LC 振荡电路。 (分数:1.00)21.二进制数(1101.1011) 2 转换为八进制数为 1。 (分数:1.00)22.某些输出门的输出除了通常的逻辑“1”和逻辑“0”外,还有第三种状态,即高阻状态,因而称为 1,又称 TSL门。 (分数:1.00)23.译码是 1 的反过程,它将多位二进制代码转换成
6、具有特定意义的信息。 (分数:1.00)24.电源电压为15V 的 555定时器,接成施密特触发器,控制端外接+6v 电压,该触发器的回差电压 U为 1。 (分数:1.00)三、分析计算题(总题数:5,分数:40.00)25.差动放大电路如下图所示,设 r be1 =r be2 =1k,R C1 =R C2 =10k,R B1 =R B2 =2k,R E =5.1k,R W =2k, 1 = 2 =60,U CC =12V,-U EE =-12V。试求放大电路的 、r id 和 r o 。 (分数:8.00)_26.在下图所示的典型工作点稳定电路中,已知:U CC =16V,R B1 =2k,
7、R B2 =14k,R E =1.3k,R C =10k,R L =20k,三极管导通时 U BE 0.7V,=40,r be 1k。要求: (1)静态工作点; (2)求解 、r i 和 r o 。 (分数:8.00)_27.放大电路如下图所示,已知 R C =R L =16k,R E =10k,R B =2.5k,=50,r be =2.5k。 要求: (1)指出电路的输入输出方式; (2)计算差模电压放大倍数 ; (3)若 u i1 =50mV,求 u o ; (4)计算 r id 。 (分数:8.00)_28.理想运放构成的电路如下图所示。要求: (1)指出理想运放构成何种运算电路; (
8、2)写出 u o 与 u i1 、u i2 的关系式; (3)知 R 1 =20k,R F =80k,求 R 2 值。 (分数:8.00)_29.电路如下图所示。要求; (1)写出 M=O时 Q 3 Q 2 Q 1 的值; (2)分析 M=1时电路的逻辑功能。 (分数:8.00)_四、设计题(总题数:3,分数:21.00)30.试用一个集成运放设计一个电路,使电压放大倍数 A uf =5,要求反馈电阻 R F =80k。 (1)画出电路图; (2)计算所需要的各电阻值; (3)指出所设计的电路中引入了何种极性和类型的反馈。 (分数:7.00)_31.电路如下(a)图所示,已知 U R =1V,
9、双向稳压管 V Z 的稳定电压U z =5V。要求: (1)求门限电压 U T ; (2)画出电压传输特性; (3)知 u i 波形如下(b)图所示,对应画出 u o 波形。 (分数:7.00)_32.画出由集成运放组成的基本微分运算电路的电路图,并由输入波形画输出波形。 (分数:7.00)_电子技术基础自考题模拟 9答案解析(总分:100.00,做题时间:90 分钟)一、单项选择题(总题数:15,分数:30.00)1.N沟道耗尽型 MOS管的符号是_ A B C D (分数:2.00)A. B.C.D.解析:2.当 PN结外接反向电压时,其内部电流的关系为_(分数:2.00)A.扩散电流大于
10、漂移电流B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流 D.无法确定解析:3.阻容耦合放大电路与直接耦合放大电路幅频特性相比较_(分数:2.00)A.阻容耦合方式低频特性好B.直接耦合方式低频特性好 C.阻容耦合方式高频特性好D.直接耦合方式高频特性好解析:考点 本题主要考查的知识点为阻容耦合放大电路与直接耦合放大电路幅频特性的区别。 阻容耦合放大电路中存在耦合电容、旁路电容以及晶体管中的结电容等,其中耦合电容、旁路电容的影响会使幅频特性在低频段有所下降;结电容的存在会使幅频特性在高频段有所下降。在直接耦合放大电路中没有耦合电容和旁路电容,只有晶体管的结电容存在。因此,直接耦合放大电路的幅频
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