SJ 50033 131-1997 半导体分立器件.3DD157型低频大功率晶体管详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961 SJ 50033/131 翩翩97半导体分立器件3DD157型低频大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD 157 low - frequency and high - power transistor 1997-06-17发布1997-10翩。1实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范围半导体分立器件3DD157型低棚大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devices Det

2、ail specification for type 3DD157 low-frequency and high叩powertransistor 1. 1 主题内容SJ 50033/ 131-97 本规？在规定了300157型低颇大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规？在根据器件质最保证等级进行分类。1. 3. 1 部件的等锻按GJB33半导体分立器件，总规范1.3的规定，提供的质最等级为普华、特革和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT费示。2 51用文件GB 4587-94 双极型晶体管GB 758187 半导体分立辅

3、件外形尺寸GJB 33-85 半导体分立器件总规？在GJB 128-86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计相结构器件的设计和结掏应按GJB33和本规蔽的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐，引出端表团应为锡底或锦层。3.2.2 器件销掏器件果用三壤扩散台酣结构。中华人民共和回电子工业部1997币6-17发布1997-10-01实施SJ 50033/ 131 97 3.2.3 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581的院一OlC型（见图1)。陆lo.s制制叫l Rz v, 三选B2OlC mm nom A b1 b2

4、0.9 D d 5.46 F L 8.0 L, 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值一2Ra 口iax12.19 1.52 1.092 22 86 3.5 13.9 1.52 N : 比.嗖引出端极性1.基极2.发射极集电极接管壳. n志可mm ip 3.84 q 29.9 R, R2 s U1 U2 因1外形回m口182OlC nom 自iax4.21 3.40 13.58 4.82 16.89 40.13 27.17 时50033/131971) 型号P1o1 Ycoo V CF.O Tc=25 w v v 3DD157B 150 100 3DD157C 200 150

5、3DD157D 250 200 45 3DD157E 350 250 3DD157F 400 300 3DDI57G 600 400 谊：1)Tc25时，按0.3W/K的速察线性地降额。3.3.2 主要电特性（TA=25） hm 极限值YcE=5V le 1.5A 型号3DD157日F15 270 色棉分档虹：“25榄：2540黄：4055绿：5580班：80 120 紫1120180 灰：180一270垃：hFESS时，其说锺小于士20%hFE55时，其误锺小子士10%.3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规施的规定。3.5 标志器件应符合GJB33幸日本规范的规定。4 质最保证规

6、定4. 1 抽样和检验Ycr . 1 1. 0 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选（仅对GT和GCT级）VEBO v 5 le= 1.SA I8=0.15A v 最大值Ic Ti T ，咱A 3 175 叫55175VBEaat Rc1hli “ C VlOV Ic=0.5A 25Tc15K/W 最大值1 5 3.3 筛选应按GJB33的表2和本规疏的规定。其测试应按本规施表1的规定进行，超过本规拖表1极限值的器件应予剔除。筛选（见GJB33的表2)3.热冲击（掘度循环）7.中间电参数测试8.功率者炼9.最后测试SJ 50033/

7、 131 97 试验条件F一1，循环20眈但晦度：】55I CllOI和hFEt功率者炼条件如下：T;= 162.5士12.5YcE=25V pfllt 30W按本规施表l的A2分组测试或试瞌Mc盼I石相始值的100%就200A取较大者。I .:lhm I运初始值的20%4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定。4. 4. 1 A组检验A细检验服按GJB33和本规市表1的规定进行。4.4.2 日细检验日组抢验应按GJB33相本规施表2的规定进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规？臣表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规施相应的表和下列规定。4. 5.

8、1 脉冲测试脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。我lA组检验GB 4587 检验或试验LTPD 符号极限值1f法条件最小值最大僚二Al分组5 外1见及机械检验GJB 128 2071 A2分组5 集电极发射极本规辄发射极在极开路；击穿电压附录AIo=3mA 3DD157B V(BR)CEO 100 一3DD157C 150 3DD1570 200 4一品位v v v 即50033/13197续表1GB 4587 极限值.位拉验或试磁LTPD 符号方法条件最小值最大值3DD157E 250 v 3DD157F 300 一v 3DD157G 400 v 发射极一荔极2.9.2.2

9、集电极一荔极开路；YcBRE盼5 v 击穿电压Ie= lmA 集电极一荔极2.1 发射极一荔极开路；截止电流Yes= VCBO I倒)1一0.3 mA 集电极一发射极2.14 发射极蕃极开路；截止电流VO.SY。IcEO 1 mA 集电极发射极2.3 le= l副SA饱和电压18:0.lSA V刷一v 脏冲法（见4.5.1)基极it耐极2.4 le= 1.SA 饱和电压18= 0.15A YBE削 1. 5 v 正向电流传输比2.8 Ycr.=5V hFEt 15 270 le芷1.SA脉冲法（见4.5.1)A3分组s 高温工作TA= 125士5集电报草根2.1 发射极一慕极开路截止电流Yc8

10、:0.7Ycoo Icooi 一3 mA 低温工作TA口血55正向电流传输比2.8 VSV hFEO 8 一le= 1.SA 脉冲法（见4.5.1)AS分组10 安全工作区Tc=25 （直流）t: ls，单次试揄1Vcr.= 15V le叩3A试验2VcE=25V le= 1.SA 试验33DD157B Ver= lOOV, le= 87mA 3DD157C Vcr.= 150V, le= 62mA 3DD1570 YcE Z叶200V,le= 36mA 3DD157E YcE=250V, Ic=23mA 5 旧50033/131叩97续表1GB4587 极限值检验或试验LTPD 符号品位方捷

11、条件最小值最大值3日iD157FVCE=300V, le= 17mA 3DD157G VCE=400V, le= lOmA 最后测试见表4步骤1和3表2B细检验GB 128 极限值检磁或试验LTPD 符号单位方法条件最小佳最大佳Bl分组15 可得性2026 标志耐久性1022 82分组10 热冲击1051 低由：币55；（温度循环）其余为试验条件F一l宿封1071 a）细检捕试验条件Hb）租检捕试磁条件F最蹄测试见表4步骤l和383分组5 辙态工作寿命1027 i = 162. 5士12.5V CE= 25V p帕，30W最后测试见我4步鞭2和4B4分组（仅对GC丁级）2075 每批个器件，0

12、开帽内部自检失效（设计核实）20点（C=O)键合强度2037 试验条件ABS分组15 热阻GB 4587 V2 lOV R(1h)i响。一3.3 K/W 2.10 Ic=0.5A 25Tc75日6分组7 商谊寿命1032 TA=175 （非工作状恋）最厨测试见袋4步骤2和4一6一创50033/131-97表3C组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方浩条件Cl分组15 外形尺寸2066 见圈1C2分组10 热冲击1056 试验条件B（玻璃应力）引出端强度2036 试验条件A受试端数：2加力：20Nt = 10s 槽封1071 a）细检捕试验条件日b）粗楼捕试磁条件F锦合翻皮眼皮1021 周

13、期试验外观及机械检验2071 最后测试见表4步骤1和3C3分组10 冲击2016 变拥振动2056 恬定加速度2006 最眉测试见表4步骤1和3CA分组15 （仅供梅用）盐气（侵蚀）1041 C6分组稳态工作寿命1026 TA=l62.5士12.5k口10V25V ptol 30W最后测试见表4步辄2和4我4A、日和C组最后测试GB 4587 极限值步3廉检验或试验持号单位方法条件最小值最大值集电极基极2.1 发射极一荔极开路IlO! 一0.5 mA 橄止电流Ve日出V2 集电极一基极2.1 发射极一基极开路IlOI 一0.6 mA 藏止电流Vz VCBO 一7一“50033/131叫97缴表

14、4GB 4587 步辑检验或试验符号方措条件3 正向电流传输比2.8 VCE=SV hFEI le= 1.5A 脉冲法（见4.5.1)4 正向电流传输比2.8 VCE=SV I akFEt 1 变化最le= 1.5A 脉冲法（见4.5.1)能：1)本测试跑过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求成按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明事项6. 1 预定用途符合本规班的帮件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货要求合肉或订货单应规定下列内容：a）本规范的名称和编号；b）等级（见1

15、.3.1);c）数盘；d）需要时，其它要求。极限值最小值最大信15 270 回始值的25%6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时，在合同或订货单中规定（见3.2.1)6.4 如需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。6.5 3支流安全工作区，见图2一8一单位SJ 50033/ 131幽幽97le( A) l 。”“HV 3DD157C 30015 7D一3DD157E 3DD157F 3DD15.7G 10 0.002 1. 0 A a f 01 600 VcE(V) 囱23DD157日G型直流安全工作区一9时50033/13197附录A黛电极白发射极击电压测试方法（补充件）Al 目的本测

16、试的目的是为了在规定条件下确定晶体管的齿穿电应是否太子规定的最低极限值。A2 测试电路s 而丫植：在测试电流时，电流袤的接头之间实际上可以看成短路，或对电压表读数作回电流亵应降的校正。阁Al集电极叩发射极击穿电压测试电路回A3 测试步辘限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体智和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结瓶保持在安全值以内。A4 规定条件a.环境泪皮丁A;b.测试电流Ico一10一SJ 50033/ 131 97 附加说明：本规？自由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由辽宁晶体管厂负责起草。本规班主要起草人：佟桂云、张国俊、赵树扁。计划项目代号：B51051o一11一