GB T 26292-2010 金锗蒸发料.pdf

《GB T 26292-2010 金锗蒸发料.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GB T 26292-2010 金锗蒸发料.pdf（12页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、GB ICS 77.120.99 H 68 共和国国家标准中华人民GB/T 26292-2010 斗且由京汀发基错金Gold-germanium evaportation material 2011-11-01实施2011-01-14发布发布中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局中国国家标准化管理委员会数码防伪中华人民共和国国家标准金错蒸发料GB/T 26292-2010 唔中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销司坠开本880X 1230 1/16 印张0.75字数16千

2、字2011年7月第一版2011年7月第一次印刷* 书号:155066. 1-42549定价16.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533G/T 26292-2010 目。昌本标准由全国有色金属标准化技术委员会CSAC/TC243)归口。本标准由北京有研亿金新材料股份有限公司、北京有色金属研究总院负责起草。本标准主要起草人:杨永刚、朱晓光、王永辉、雷继峰、熊晓东、江轩、李娜、童坚。I GB/T 26292-2010 金错蒸发料1 范围本标准规定了金错蒸发材料的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮运及质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准

3、适用于各种方法生产的金错蒸发材料，该产品主要用于分立器件、发光二极管制造等行业。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 15077 贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法3 要求3. 1 产晶分类按合金元素组成分成5个牌号:Au88Ge, Au88GeSb、Au86GeNi、Au83GeNi、Au80GeNio3.2 化学成分合金元素化学成分应符合表1的要求。表1

4、单位为质量分数/%主成分杂质元素，不大于产品名称Au Ge Sb Ni Pb Zn Cd 总量Au88Ge 余盘11. 5-12.5 0.05 0.05 0.05 0.15 Au88GeSb 余盘11. 5-12.5 0.13-0.17 0.05 0.05 0.05 0.15 Au86GeNi 余量11. 3-12.3 1. 5-2. 5 0.05 0.05 0.05 o. 15 Au83GeNi 余i主10.9-11. 9 4.5-5.5 0.05 0.05 0.05 o. 15 Au80GeNi 余茧10. 5-11. 5 7.5-8.5 0.05 0.05 0.05 O. 15 3.3

5、规格尺寸金错蒸发料的规格尺寸要求见表2所示，供需双方可协商生产其他规格。1 GB/T 26292-2010 表2规格尺寸/mm产品名称形态厚度允许偏差宽度允许偏差长度允许偏差Au88Ge 条状1. 4 土0.28.5 土0.5Au88GeSb 条状1. 4 士0.25. 5 土0.5Au86GeNi 片状1 士0.25.0 土0.55.0 士0.5Au83GeNi 片状1 士0.25.0 土0.55.0 土0.5Au80GeNi 片状l 土0.25.0 士0.55.0 士0.53.4 表面质量金错蒸发料表面应光亮平整、洁净;应无指痕、元油污和锈蚀;元夹杂、无油污和元锈蚀;应元颗粒附加物和其他沾

6、污。3.5 包装质量真空袋封口要平整元贯通，真空袋体元漏洞，无真空泄漏。4 试验方法4. 1 产品主元素及杂质元素含量按照附录A的规定进行。4.2 产品几何尺寸的测量按GB/T15077规定进行。4.3 外观质量用目视检查，如发现异常现象，在10倍放大镜下曰视检查。4.4 包装质量采用目测检查。5 检验规则5. 1 检查和验收5. 1. 1 产品应由供方检验部门进行检验，保证产品质量符合本标准(或订货合同)的规定，并填写质量证明书。5.1.2 需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验，如检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起1个月内向供方提出，由供需双方协商解决。如需仲

7、裁，仲裁取样由供需双方共同进行。5.2 组批金错蒸发料应成批提交检验。每批应由同一投料批、同一规格、同一牌号的产品组成。5.3 检验项目检验项目、取样位置及数量应符合表3的规定。2 G/T 26292-2010 表3检验项目取样位置取样数量要求的章条号检验的章条号化学成分铸镀缩孔下按铸键数量的20%进行抽检，3. 2 4.1 但不少于1个铸键;每铸键取1个样几何尺寸成品随机取样按GB/T2828.1标准取S-l，AQL=1.5抽取样品3.3 4.2 外观质量成品随机取样按GB/T2828. 1标准取S-l，AQL=1.5抽取样品3.4 4.3 包装质量逐件3.5 4.4 5.4 检验结果判定5

8、.4.1 化学成分不合格时，判该键不合格。重新取双倍数量的铸链取样进行检验，若仍有不合格，则判该批不合格。5.4.2 几何尺寸不合格时，判该批产品不合格。5.4.3 外观质量不合格时，判该批产品不合格。5.4.4 包装质量不合格时，判该件产品不合格。6 标志、包装、运输、贮存及质量证明书6. 1 标志在己检验合格的每袋产品上应附标签，注明:a) 产品名称;b) 规格pc) 净重;d) 毛重Ee) 批号;f) 生产日期Eg) 供方名称;h) 生产厂家地址电话e6.2 包装、运输和贮存6.2.1 外包装采用纸箱或木箱包装。经供需双方协商还可采用其他方式包装。6.2.2 产品运输过程中应防止碰伤、擦

9、伤，不得损坏和沾污产品，并保证运输过程中产品及包装完整。6.2.3 产品应保存于清洁、干燥的环境中。6.3 质量证明书每批产品应附有质量证明书，注明:a) 客户名称;b) 供方名称;c) 产品名称;d) 规格;e) 数量;3 GB/T 26292-2010 f) 净重;g) 批号;h) 检测报告和技术监督部门印记;i) 生产日期;j) 执行标准号。7 订货单(或合同)内容订购本标准所列产品的订货单(或合同)内应包括下列内容za) 产品名称zb) 规格;c) 数量;d) 执行标准号;e) 其他。4 A.1 范围附录A(规范性附录)金错合金化学分析方法电感藕合等离子体发射光谱法测定错、锦、镇、铅、

10、辑、铺含量本附录方法规定了金错合金中错、锦、镇、铅、挥、铺含量的测定方法。本附录方法适用于金错合金中错含量的测定。测定范围:表A.1测定元素质量分数1%Ge 10. 0015. 0。Sb o. 10. 3 Ni 1. 0010. 00 Pb、Zn、CdO. 0050. 05 A.2 方法提要GB/T 26292-2010 试料以王水0+1)在微波炉中搭解，稀释至一定体积。使用电感捐合等离子体发射光谱仪，于所优化的分析线波长处测量错、锦、镇、铅、铮、锚的发射强度，按工作曲线法计算错、锦、镇、铅、钵、锚的质量浓度，以质量分数表示测定结果。A.3 试剂除非另有说明，在分析中仅使用确认为优级纯的试剂和

11、蒸锢水或去离子水或相当纯度的水。A.3.1 盐酸(p约1.19 g/mL) ，优级纯。A.3.2 硝酸(约1.42 g/mL) ，优级纯。A. 3. 3 硫酸(p1.84 g/ m L) ，优级纯。A. 3. 4 王水:3单位体积的盐酸(A.3. 1)与l单位体积的硝酸(A.3. 2)混合。A.3.5 王水o十1):1单位体积王水(A.3. 4)与1单位体积水混合。A.3.6 辑、铅、锦标准贮存溶液:分别称取1.000 0 g纯铮、纯铅、纯铺(均二三99.99%)于一组150mL烧杯中，分别加入10mL硝酸0+1)，加热溶解、煮沸除去氮的氧化物，冷却。分别移入一组1000mL容量瓶中，用水稀释

12、至刻度，混匀。此榕液1mL中含1mg辑、铅、锅。A.3.7 锦标准贮存溶液z称取1.000 0 g纯锦w(Sb)注99.95%J，置于100mL烧杯中，加入20mL 30 mL硫酸o十1)，加热溶解完全后，用硫酸。+4)稀释，移入1000 mL容量瓶中，用硫酸0+4)稀释至刻度，摇匀。此溶液1mL含1.0 mg锦。A. 3. 8 锦标准贮存溶液:称取1.000 0 g金属镰-1:以Ni)二三99.95%J，置于400mL烧杯中，加入10mL 硝酸。+1)，加热溶解、煮沸除去氮的氧化物，冷却，将榕液移入1000 mL容量瓶中，用水稀释至刻度，G/T 26292-2010 混匀。此溶液1mL含1.

13、0 mg镇。A. 3. 9 错标准贮存溶液:称取1.000 0 g纯错wCGe)注99.95%J.置于100mL烧杯中，加入5mL过氧化氢，使其溶解，逐滴加入氨水至产生白色沉淀并溶解，以硫酸(1+的中和至中性，再过量0.5mL.移入1000mL容量瓶中，以水稀释至刻度，摇匀。此溶液1mL含1.0 mg错。A. 3.10 错标准溶液:准确移取错标准贮存榕液CA.3. 9) 10.00 mL至100mL容量瓶中，补加王水CA. 3. 5)10 mL.用水稀释至刻度，混匀。此溶液1mL含100g错。A. 3.11 混合标准溶液:分别移取1.00 mL铅、铮、锦标准贮存溶液，置于100mL容量瓶中，加

14、入王水CA. 3. 5)10 mL.用水稀释至刻度，混匀。此溶液1mL含10.0g铅、铮、锅。A.3.12 锦标准溶液z准确移取锦标准贮存溶液CA.3. 7) 10.00 mL至100mL容量瓶中，补加王水CA. 3. 5)10 mL.用水稀释至刻度，混匀。此溶液1mL含100g锦。A. 3.13 锦标准溶液:准确移取锦标准贮存榕液CA.3. 8) 10.00 mL至100mL容量瓶中，补加王水CA. 3. 5) 10 mL.用水稀释至刻度，混匀。此溶液1mL含100g镇。A.4 仪器A. 4.1 电感藕合等离子体光谱仪仪器测定条件(参考):RF功率1000 W 1 150 W;载气压力1.5

15、 X 105 Pa2. 2 X 105 Pa;冷却气流量15L/min;辅助气流量1.0 L/min;观察高度(感应圈上方)10mm15 mm.进液泵速1.85 mL/mino 被测元素波长见表A.2。表A.27G 素波长7G 索波长/nm /nm Ge 209.426 Cd 226.502 Sb 217.581 Zn 213.856 Pb 220.353 Ni 23 1. 604 A.4.2 微波炉消解条件(型号MDS-6)微波消解条件(参考):压力0.2MPa.加热时间10min.功率300W o A.5 分析步骤A.5.1 试料称取0.5g试样，精确至0.0001 g。A. 5. 2 j

16、!g定次数独立地进行两次测定，取其平均值。A.5.3 空白试验随同试料做空白试验。6 GB/T 26292-2010 A.5.4 测定A. 5. 4.1 将试料(A.5. 1)置于微波炉用消解罐中，加10mL王水(1+ 1) (A. 3. 5) ，用微波炉加热溶解，冷却。将溶液移入100mL容量瓶中，用水稀释至刻度，混匀。此试液用于测定锦、铅、铮、铺。A. 5. 4. 2 分取5mL试液(A.5. 4.1)于250mL容量瓶中，加入25mL王水0+1)(A. 3. 5) ，用水稀释至刻度，混匀。此试液用于测定错、镇。A.5.4.3 标准系列溶液的配制:分别移取0，5.00mL, 10. 00

17、mL, 20. 00 mL错标准溶液(A.3. 7)于一系列100mL容量瓶中，补加10 mL王水0+1)(A. 3. 5)，用水稀释至刻度，混匀。分别移取0，5.00mL, 10. 00 mL, 20. 00 mL锦标准溶液(A.3. 12)于一系列100mL容量瓶中，补加10mL王水0+1)(A. 3. 5)，用水稀释至刻度，混匀。分别移取0，1.00 mL, 5. 00 mL, 10. 00 mL锦标准溶液(A.3. 13)于一系列100mL容量瓶中，补加10 mL王水0+1)(A.3.日，用水稀释至刻度，混匀。分别移取0，2.00mL, 5. 00 mL,10. 00 mL混合标准溶液

18、(A.3.11)于一系列100mL容量瓶中，补加10mL王水0+1)(A.3.5)，用水稀释至刻度，混匀。A. 5. 4. 4 将标准级系列溶液(A.5. 4. 3)输入等离子体中激发，制作工作曲线。输入空白试液(A.5. 3) 和试料溶液(A.5. 4.1)、(A.5. 4. 2)，测得空白试液中和试料溶液中各被测元素的质量浓度。A.6 分析结果的计算A. 6.1 按式(A.1)计算被测元素错、镇质量分数Wx(%): 式中:wz=(一向)二Vj V3 X 1。一6100.(A.1 ) Vz m Px 试液中被测元素的质量浓度，单位为微克/毫升(g/mL); p。一一空白溶液中被测元素的质量浓

19、度，单位为微克/毫升(g/mL); Vj一一试液总体积，单位为毫升(mL); m一一试料质量，单位为克(g); Vz一一分取试液体积，单位为毫升(mL);V3一一分取试液定容后体积，单位为毫升(mL)。A.6.2 按式(A.2)计算被测元素Sb、Pb、Cd、Zn质量分数Wx(%): 式中zZUzz(pz-Po )-V 10-6 100 ( A.2 ) 贸1px一一试液中被测元素的质量浓度，单位为微克/毫升(g/mL); Po一一空白溶液中被测元素的质量浓度，单位为微克/毫升(g/mL); V 试液总体积，单位为毫升(mL);m一一试料质量，单位为克(g)。A.7 允许差实验室之间分析结果的差值应不大于表A.3所列允许差。OFON|NmNNH因。GB/T 26292-2010 表A.37G 素质量分数z旷%相对允许差M%Ge 10.00-15.00 3 Sb 0.10-0.30 10 Ni 1. 00-10. 0。2 Pb、Zn、Cd0.005-0.01 20 Pb、Zn、Cd0.01-0.05 10 僵权必究n可叫A丛HJU 巧，AA-EAE - 户nupo nu MhJV白,hJU AE - 号一价书一定每版权专有16.00 JL GB/T 26292-2010 打印H期:2011年8月2H F002