SJ 20065-1992 半导体分立器件.QL72型硅三相桥式整流器.详细规范.pdf
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1、中J飞I口FL 5961 SJ 20065 92 .Eu -2 、HM、Semiconductor discrete device Detail specification for type QL72 silicon three phase full wave bridge rectifier 1992-11-19发布1993-05-01实施中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件QL72型硅三相桥式整流器详范Sem拢。ndodordevice Detail specification for type QL72 silicon thr臼phasefoll wave b
2、ridge rectifier 1.1 主题内以下范规定了电GJB 33( 设备用的QL72型硅三相桥立器件总规范的规定,供产品保证的两个1.2 外形尺寸外形尺寸见图1.8国军 + - - -j60.8 图1外形图中国电子工业总公司1992-11-19发布SJ 20065 92 的详细要求.(GP和GT级).1993-05-01 SJ 20065 92. 1.3 最大额定值VRWM ,1) y酬Top T . 。TA=40C 型号TA=40C tp=l伽ns(A) (V) (A) (C) CC) QL72D 200 QL72F 400 2 30 一55-+125一55-+130Q L72H 6
3、00 QL72K 800 也注,1)TA40C按23.5inA/C的速率线性地1.4 主要电特性 非另有规定.lA-2SC.V . M(单管)Rj(单管)RZ(单管 VII=VRWM l n.t =2A V民=VIIWMTA=100C (V (A) A) 1. 3 5 100 2 I用文件户ORun6Eun6 一也qJ-OO OGqd句rL句31aMBB rEYEdTJ GGG 半导体分立器件第2部分半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法整流二极管3 3. 1 要求各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3. 2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33相本规范图l的规
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