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    SJ 20065-1992 半导体分立器件.QL72型硅三相桥式整流器.详细规范.pdf

    • 资源ID:215842       资源大小:163.05KB        全文页数:7页
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    SJ 20065-1992 半导体分立器件.QL72型硅三相桥式整流器.详细规范.pdf

    1、中J飞I口FL 5961 SJ 20065 92 .Eu -2 、HM、Semiconductor discrete device Detail specification for type QL72 silicon three phase full wave bridge rectifier 1992-11-19发布1993-05-01实施中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件QL72型硅三相桥式整流器详范Sem拢。ndodordevice Detail specification for type QL72 silicon thr臼phasefoll wave b

    2、ridge rectifier 1.1 主题内以下范规定了电GJB 33( 设备用的QL72型硅三相桥立器件总规范的规定,供产品保证的两个1.2 外形尺寸外形尺寸见图1.8国军 + - - -j60.8 图1外形图中国电子工业总公司1992-11-19发布SJ 20065 92 的详细要求.(GP和GT级).1993-05-01 SJ 20065 92. 1.3 最大额定值VRWM ,1) y酬Top T . 。TA=40C 型号TA=40C tp=l伽ns(A) (V) (A) (C) CC) QL72D 200 QL72F 400 2 30 一55-+125一55-+130Q L72H 6

    3、00 QL72K 800 也注,1)TA40C按23.5inA/C的速率线性地1.4 主要电特性 非另有规定.lA-2SC.V . M(单管)Rj(单管)RZ(单管 VII=VRWM l n.t =2A V民=VIIWMTA=100C (V (A) A) 1. 3 5 100 2 I用文件户ORun6Eun6 一也qJ-OO OGqd句rL句31aMBB rEYEdTJ GGG 半导体分立器件第2部分半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法整流二极管3 3. 1 要求各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3. 2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33相本规范图l的规

    4、定.3.3 标志标志应按GJB33的规定。3. 3. 1 极性标志性标志如图l所示 4 4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规班的规定。4.2 鉴定捡回A鉴定检验应按GJB33的规定。一-2一SJ 20065 92 4.3 筛选(仅对GT级组装成桥的二极管,在组桥前应按GJB33的表2和本规范的规定进行 选见GJB33的表2)试或试验3. 为一55C条牛B10次外,其余环4. 求一求耍一要不一不TA=125C I町、VFM8.电老化TA=25C ;10=0. 7A;V民=VRWMIf=50Hz 9.最后测试本规范表1的A2分组,tJX1=初始值的100%或250nA.取较大者zAV

    5、FM=士0.1V4.4 质量一致性检验致性检验应按GJB33的规定,由A组、B组和C组检验或试验组成。4.4. 1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范中表1的规定进行。4.4.2 B组检B组检验应按GJB33相本规范中表2的规定进行.4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33租本规施中表3的规定进行,4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范的表1、表2和表3以及下列规定:4.5. 1 工作热循环进行本项试验时,器件的交流端输入50Hz三相正弦披电压.保证器件的输出电流为2A。通电时间乌兰5mn断电时间t2注3mn为一个循环。试验持续2000个插环。表1A组检验GB 4023 极LTP

    6、D 符号.-一一句-一一-斗单位方法条件最小值最大值 一一一一-咱雹-一Al分组外观及机GJB 128中2071 5 3一 SJ 20065 92 表1GB 4023 极限检A2分组正向电压单管反向电流(单管A3分组作反向电流(单管A6分组浪涌电流单管最后试2同A2分组Bl分组可焊性标志的耐久性B2分组热冲击最后测试z同A2分组R6分组方IV -1. 2. 3条IV -. 4.1条1V-1. 4.1条IV -3. 1条非工作状态最后测试g同A2分组一4一LTPD 符号条件最4最十5 IFM=2A V阳1. 3 VR=VRWM IRJ 5 5 TA=100C VR=VRWM IR2 100 10

    7、 TA=40C IpsM=30A tp=lOms.每向隔lmin1 次,共10次表2B组检验方 2026 1022 1051 1032 GJB 128 条件除低温为一55.C.循环10次外,其余同试验条件8TA=130C 单位V A A LTPD 15 10 7 SJ 20065 92 表3C组GJB 128 方法条件Cl 外形尺寸2066 见图1C2 引A 2036 FD E理处四预E略W省qzuAU AV A旬,外观及机械最后测试gA2分组LTPD 15 10 C3分组10 冲击2016 2056 最后试gA2分组C6分组工作最后测试gA2分组见4.5.1条5 交货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33的规定.5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定.5.3运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定.6.2 如需典型特性曲线,可在合同或订货单中规定.10 -5一SJ 20065 92 加附本本本 E 由中国电子工业总公司科技质量局提出.范由中国电子技术标准化研究所归口.由国营人七七厂和中国电子技术标主要起草人g张模、金贵永. 计划项目代号IBOI005.-6一


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