GB T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片.pdf

《GB T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GB T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片.pdf（8页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准GB/T 29508一2013300 mm硅单晶切割片和磨削片300 mm monocrystaIline silicon as cut slices and grinded slices 2013-05-09发布2014-02-01实施&.阳码.1.，f气孔 m些脚V幅刊白白畸A脑回.，.产法层茸茸负/中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局也士中国国家标准化管理委员会&叩G/T 29508-2013 前一一同本标准按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SACjTC203)提出并归口。本

2、标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。本标准主要起草人z同志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。I GB/T 29508-2013 300 mm硅单晶切割片和磨削片1 范围本标准规定了直径300mm，p型、晶向、电阻率0.50.cm-200 cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片，产品将进一步加工成抛光片，用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注

3、日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分z按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T 6624 硅抛光

4、片表面质量目测检验方法GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测试方法GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法GB/T 14140 硅片直径测量方法GB/T 14264 半导体材料术语GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法GB/T 29504 300 mm硅单晶GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法SEMI MF 1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法3 术语和定义GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。4 技术要求4. 1 物理性能参鼓硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、间隙氧含量、

5、代位碳含量应符合GB/T29504的规定。GB/T 29508-2013 4.2 几何参数硅片的几何参数应符合表1的规定。硅片所有在表1中未列出的参数规格，按供需双方协商提供。用户有特殊要求的，由供需双方协商提供。表1硅片几何参数要求项目硅片直径/mm直径允许偏差/mm硅片厚度(中心点)/m切厚度允许偏差/阳1割片总厚度变化忡翘曲度/日出/ / 崩边/mm切口硅片直径/mm直径允许偏差/mm磨硅片厚度中心点)/m削厚度允许偏差/m片总厚度变化/m翘曲度Jm崩边4.3 晶体完整性硅片的晶体完整性应符合Gl3/T29504的规定。 4.4 囊面取向4.4. 1 硅片的表面取向为。4.4.2 硅片表

6、面取向偏离不大于0.5004.5 基准标记直径300mm硅片切口的基准轴取向及尺寸应符合表2要求。表2硅片切口的要求项目切口基准轴取向及偏差深度/mm角度/C)一一2 指标301 士0.3910 土15 主主 20 、=二50 军二0.8 有300 士0.2820 士15军三1. 2 主二45 无指标土101. 00吁:1190士iGB/T 29508-2013 4.6 表面盾量4.6. 1 硅切割片崩边的径向延伸长度应符合表1的规定。每个崩边的周长不大于2mm，每片崩边总数不能多于3个，每批硅片中崩边硅片数不得超过总片数的3%。4.6.2 硅片不允许有裂纹、缺口。4.6.3 硅片经清洗干燥后

7、，表面应洁净、元色斑、无沽污。4.6.4 硅切割片不得有明显切割刀痕。4.6.5 硅磨削片表面应无划伤、亮点、刀痕、崩边。4.7 边缘轮廓硅片经边缘倒角，倒角后的边缘轮廓应符合YS!T26和GB/T2067的规定，特殊要求可由供需双方协商确定。5 试验方法/ / 5. 1 硅片导电类型测量按GBjT1550进行。5.2 硅片电阻率棚量按GB/T1551或GB/T6616进行。5.3 硅片径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。5.4 硅片间隙钮含量测量按GB/T1!57进行。5.5 硅片代位碳含量测量按GB/T1558进行。5.6 硅片直径测量按GBjT14140进行。5. 7 硅片厚度、

8、总厚度变化及平整度测量按GB/T29507进行。5.8 硅片翘曲度测量按SEMIMF 1390进行。5.9 硅片品体完整性检验按GB/T1554进行.5. 10 硅片表面取向测量按GB/T1555进行。5. 11 硅片切口尺寸的测量按GB/T26067进行e5. 12 硅片切口基准轴取向测量按GB/T13388进行。5. 13 硅片表面质量检验按GB/T6624进行。5. 14 硅片的边缘轮廓检验按YS/T26进行。Y二、6 栓验规则6. 1 检查和验收6. 1. 1 产品应由供方技术质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。6. 1.2 需方可对收到的产品按本

9、标准的规定进行检验。若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2 组批硅片以批的形式提交验收，每批应由按照用户要求的同一规格的硅片组成。6.3 撞验项目每批硅片抽栓的项目有z导电类型、晶向及其偏离度、电阻率及径向电阻率变化、厚度和总厚度变化、翘曲度、表面质量、直径、切口基准轴取向及切口尺寸、边缘轮廓、晶体完整性等。3 GB/T 29508-2013 6.4 抽样6.4. 1 对于非破坏性检测项目，抽样按GB/T2828.1一般检验水平11，正常检验一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。6.4.2 对于破坏性检测项

10、目，抽样按GB/T2828.1特殊检验水平5-2，正常检验一次抽样方案，或按供需双方协商确定的抽样方案进行。6.5 检验结果的判定6.5. 1 导电类型、晶向检验若有一片不合格，则该批产品为不合格。6.5.2 其他检验项目可以按照6.4抽栓，其接收质量限(AQL)值见表3.也可进行全数检验，或按供需双方协商的方法进行。表3硅片栓验项目及接收质量限序号检验项目接收质量限(AQL)1 电阻率1. 0 2 径向电阻率变化1. 0 3 间隙氧含量1. 0 4 代位碳含量1. 0 5 直径1. 0 6 厚度1. 0 7 总厚度变化1. 0 8 翘曲度1. 0 9 切口基准辅取向1. 0 10 切口尺寸1

11、. 0 11 边缘轮廓2.5 崩边1. 0 沾污1. 5 划伤、亮点2.0 12 表面质量裂纹、缺口1. 0 刀痕1. 0 色斑1. 0 累计2.5 7 标志、包装、运输和贮存7. 1 硅片用相应规格的盒子包装，每个片盒应贴有产品标签。标签内容至少应包括za) 产品名称(牌号); b) 产品规格、片数Fc) 产品批号sd) 出厂日期。4 GB/T 29508一20137.2 片盒装人一定规格的外包装箱，采取防震、防潮、防污染措施。包装箱内应有装箱单，外侧应有小心轻放、防潮、易碎等标识，并标明za) 需方名称、地点pb) 产品名称、牌号pc) 产品件数Fd) 供方名称。7.3 产品在运输过程中应

12、轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震、防潮措施。7.4 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。8 质量证明书每批产品应有质量证明书，其内容应包括zd 供方名称zb) 产品名称及规格、牌号Fc) 产品批号;d) 产品片数盒数); e) 各项参数检验结果和检验部门的印记:f) 出厂日期。5 2日|ommNH阁。华人民共和国家标准300 mm硅单晶切割片和磨削片GB/T 29508-2013 国中 中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里凋北街16号。0004日网址总编室:(010)64275323发行中心:(010)51780235读者服务部:(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销 印张o.75 字数12千字2013年7月第一次印刷开本880X 1230 1/16 2013年7月第一版 书号:155066. 1-47276定价16.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107打印日期:2013年7月31日F002