QJ 2802-1996 无线电高度表设计规范.pdf
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1、内部Q.J 中国航天工业总公司航天工业行业标准QJ 2802-96 无线电高度表设计规范1996-03一旦发布1996 10-31实施中国戴天工业总公司发布目次工主题内容与适用范吕.u . (1) 2 引用标准江3术语、符号.(1)3. 1 7壮语(1) 3.2符号(1)4设计依据.(11)5 设计准则H(11)6 设计内容(127 设计程序H(12)7.1 可行性论证H.“.(12)7.2 方案设计h(12)7.3 工程设计.(12)7.4 设计定型Q约8 设计方法.,(13)东1总体技术参数.(13) 8.2 发射机压控振荡器)的设计.“.05) 8. 3 词带i器的设计H(2砂8.4 平
2、衡混频器的设计.H.(27)8. 5 美频放大器的设计.(30)8.6 信怠处理电路的设计.,(33)8. 7 天线设计,.(37)8. 8 高度表核发馈线的设计.60 (42) 8.9 定向糯合器的设计. (42) 8. 10 隔离器的设计(45)8. 11 稳压电凉的设计.(48)8. 12 可靠性设计“H(48)8 13 电磁兼容性设计HU约8. 14 维修位设计.(52)9 设计验证试验项吕及要求.4 . (52) 中国航天工业总公司航天工业行业标准无线电高度表设计规范QJ 2802 96 1 主题内容与适用范围本标准规定了无线电高度表(以下简称高度表)的设计依据、准则、内容、程序、方
3、法及设计验证试验项目与要求。本标准适用于调频连续波高度表的设计。2 51用标准GJB 150 军用设备环境试验方法GJB 151 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求GJB 368 装备的维修性通用规范GJB/Z 55 宇航用电子元器件选用指南半导体分立器件GJB/Z 56宇航用电子元器件选用指南半导体集成电路QJ/Z 76 印制电路板设计规范QJ 165 航天电子电气产品安装通用技术条件QJ 1186 自动驾驶仪术语QJ 1302 设计评审规范QJ 1417 元器件可靠性降额准则QJ1714.6航天产品设计文件管理制度设计文件的完整性QJ 1874 接地搭接和屏蔽的设计应用3 术语、符号3.
4、 1 术语本标准涉及的术语按QJ1186的规定。3.2符号本标准涉及的主要符号含义如下:Ac一常数,Ac=J:A。一一振荡强度。AoA 运算放大器的开环增益。中国航天工业总公司199603 21批准1996 10-31实施1 气 QJ 2802 96 a 波导的竞边,cm。B 接收机智宽,kHz,BA一一被誉天线的带宽,MHz,BLg 振荡器端接电纳,sBL一一输入端呈现最大负电纳时的端接电纳,S0Bi隔离器的带宽,MHz,B1m 隔离器的最大带宽,MHz,b一t皮导的窄边,cm,B, 环形结的归一化电纳斜率,B,Yc/4。b1ub12句,b,一一分别为导纳YnY12Y口,y,阵元的虚部,s,
5、Bm 集电极与发射极之间的反I起击穿电压,V。C一一电磁波传播速度,km/s。c. 管子空间贮存区引起的集电极电容,pF,Co 变容二极管电容,pF,CDm四一变容二极管电容变化的最大值,pF。Cnm一变容二极管电容变化的最小值乡pF。Cix; 垂直速度电路的微分电容,F。CnF一垂豆速度电路输出端并联反馈电容,pF。已变容二极管的结宅容,pF,c, 变容二极管零偏压对的络电容,pF,C 变容二极管力Ot宿压时的结电容,pF,C,一一二端网络约稳定因子c,一:极管的输出电容,pF,CTmox一一串联回路的最大变化电容,pF,CT mi 事联西路的最小变化电容,pF,C, 计数器电路输入精串联电
6、容,F,C,一一计数器电路输出埃并耳其电容,严.F,C(的,C(v)菲涅尔余弦积分和正弦积分。C一一定向幸离合器的事离合度,dBoCET 等效到词谱电路变容二极管两端电容,pFoc,一一变容二极管管壳封装电容,pF,c,m一并联谓i皆因路的最大电容,pF。C, 并联满i皆因路的最小宅容,pF,D 喇叭天线的方向系数,dB,Du 双缝费支带天线的方向系数,dB,D臼本振与信号端口约隔离度,dBoQJ 2802雪6D艺一一喇叭天线E西方向系数,dBD写一一制叭天线H西方向系数,dBDL一一本援与信号端口的隔离度,扭。D,一一单缝隙微带天线的方商系数,dB。队一一喇IJll天线HOO内的口王军尺寸,
7、Cill0D2 喇叭天线E面内的口面尺寸,cm也dm 敛带线环形绪的直径,mmod, 带线隔离器铁氧体片的直径,mm0D 定向藕合器的方向哇。E。工作电源电压,VoEx X方向电场矢量由主分量。f 漓锵器的振荡频率,Hzo飞一一但定差拍部基准频率,kHz,fb 差抬频率,kHz,fb皿x最大高度对应的差拍频率,kHz,Jbmio 最小高度对应由号差拍频率,kHzofHL 最大高度对应的主主抬频率与最小高度对应的频率之差,kHz,f., 相对最短距离的差抬频率,kHzoF 高度的妇一化面数。co 变容二级管自甘截止频率,GHz,f世变容二极管的工作频率,GHzofci 计数电路输入信号的频率,k
8、Hz0fen一一微分电路接入R臼后产生的极点缀率,主Hz,f由微分电路接入CnF后产生的极点频率,主Hz,ID一一数分频率,kHz,F只高度表的噪声系数,dB,FNA 放大器的串串声系数,dB,FNm 中频放大器的噪声系数,dB,F用混频器的噪声系数,dR,f-i周谐回路的最犬振荡频率,GHz,/mln 调谐回路的最小振荡频率,GHz,Im 调说i频率,Hzofm再一一三极管的最大振荡频率,G施。Fow一一微带天线工作的中心频率,GHz,Joo一一定向藕合器工作的中,心频率,GHz,Jo:一隔离器工作中心频率,GHz03 4 QJ 2802-96 f吁在阻最大相对词谱带宽,对Hz,t!.fm
9、最大相对满频带宽,MHz,!./,min 最小相对调频带宽,MHz,Mi周频频倦,M尬。F(的一接收信号的功率语密度。fr一一二极管的辛苦征频率,GHz,G 天线增益,dB乙Gnp 垂直速度电路前环路培益,dB。GE 两个辐射缝隙之间相互锅台的互电导,s。G.激带天线有效增益,dB,Gh一一用功率因数表示的刺叭天线增益系数,dB。G一一环形节的输入电导,s。GL一一给定端接导纳的实部,s。Gn一妇一化谐振电导,s。gu ,g12 ,g,口g22分别为导纳Yu Y12 Y21 Y22阵元的实音,SoH一一高度表的测量高度,m,h一一介茨基片的厚度,mm,hA 天线到地茵的高度,m,Hm报最大可浏
10、高度,血。H皿E一一最小可测度高度,眶。hm徽带隔离器铁氧体困盘的厚,度,mm,t!.H一一阶梯误差,血。h,一一带线隔离器铁氧体困盘的高度,mm。J,., 射极跟随器基极电流.mA。I岱集电极静态电流,mA,I一一输入电流,mA,I叹一一射极跟恒器的射极电流,mA。I凹一射极跟随器的输出电流,mA。In一流过微分电路并联电也RDP的主辈道电流,血A,I且一一流过高度装定电路并联反读电阻R盟的电流,mA。I,由一一集电极发射极反向截止电流,血A。h ,J,; .I,; 分别为流过车I!:输入电怪的电流,mA,1,一一为输入导纳(Y川Yzi)的虚部,s。p p 输出电流的峰峰值,rnA,I, 微
11、带天线的辐射电流,rnA。Im 流过微带传丰富线的电流,mA,K一一张量磁导率的非对称分量。K 自由空间波数。k识分裂园子。K旷一单级放大器的增益,dBoKr: 放大器的放大倍数,dBoKP一放大器的功率增益,dBk一玻耳兹曼常数,JK。L一一外部路损耗,dB。QJ 2802-96 L一一位x/4对应的带线的实际长度,阻阻。L一一3gx是对应的带线的实际长度,m血。LDL一一混频二极管的结损耗,担。LIE一一相对理想情况的外界及内部的全部信号损挺,dBL,隔离器的插入损耗,担。一二1/4波长交换段微带线部长度,扭扭。LM 微带天线元贴片的长度,mm。6.L徽带天线元贴片长度的伸长量,mm,Lm
12、x一一混频器的变频损耗,dBL= 混频器的净变频损耗,dBoLp 混频器的失配损耗,dBoL呼一i题谐开路徽带线的长度,mm,L咄端接短路微带线的长度,E血。L,接收电缆的长度司即从收发单元到接收天线的距离,血。L, 发射电缆的长度,即从收发单元到发射天线的距离,m。Lv 走向藕台前销合区长度,m血。l 传输线的长度,mm.n一计数电路输入信号跳变的次数。fiA 放大器的级数。No 输出噪声信号功亘在,mW。王差拍信号每衫、通过零点的平均数杰出。P一拉氏变换因子。Pm 放大器输出信号的总功率,mW。Pew:集电级最大耗散功率,W。P,h一一混频器输入高频功率,mW。P,.放大器输入信号功率,m
13、WoP1一一本振端口输入的信号功率,血飞亏。p,一本振泄漏至5混频器接收端的功率,mW。5 6 QJ 2802 96 P, 管子输出功率,mW,PoM 混频器输出主告中频功率,mW。PoN、放大器输出的总噪声信号功率币W。P,一一高度表的发射功率,mW。P, 微带天线幅射功率,mW,P四定向搞合器端口1的输入功率,mW,Pan 定向藕合器端口3的输出功率,mW。几D定向藕合器端r:l4的输出功率,mW。P i.1 贝塞尔函数,Pi.工l.部。P四信号源输入的噪声功率,血W,Qu 隔离器的有载品质因数。Q, 近似等于铁氧体的品质因数。电一徽带天线的填充园子。QT 徽带天线总的品质因数eQ, 变容
14、二极管的品质因数。Q,一一与辐射电阻有关韵品质IZ5l数。RA一一基被下储量电阻,kD.,RAL 放大器负载电阻,kD.,Tb 管子基被电阻,kD.,Rb一基极上偏置电阻,kD.,扎一一三极管集电极电阻,kD.,r, 交容二极管最大电容与最小电客变化之比。玄CE调浩田路也感两端的有效电容比。R出微分电路输入端串联电题,kO.,rd一变容二极管本身的变容比。R,发射极电阻,主D.,R一射极跟随器的负载电阻,kD.,R由射极跟褪器的输出电!里,kO,R., 射极跟随器的输入阻抗,kn,R口一一锅耗等效电JLO,Roi.一介质损耗等效电阻。n,R一一定向幸离合器的电压幸澳台系数。R 铁氧体圈盘半径,
15、m血。r 与参杂有关的变容二极管的指数。fL 变容二极管调频线J险指数。RLC 津j波电路的负载电眩,kO,QJ 2802 96 R,A一一运算放大器反馈电阻,G。R;一一为输入导纳(Y12,Y21)的实怒,S0R,(Y;)叫一一二端口网络输入端呈现的最大负电导,LR; 大信号输入阻抗kn.Ro(Yo)m,.一一二端口网络绘出端呈现的最大负电导,LR一输出电题,Q。RrL兰极管输入精损耗电陋,涵。rpE一一并联满i皆因路的有效电容变化比。PsE一一变容管词谱电路电感两端的有效变容比会R, 自1波电路的降压电阻,主Q。R回信号源内阻,a。R, 微带天线韵辐射电醒,怠。Rli ,R21 ,R 分别
16、为高度装定电路的输入电题,k!1.儿,几分别为H织在盖面,E级裁军宫内的喇叭长度,cm.RT 微带天线总的辐射电阻,a。Rn 变容二极管始串联电阻,a,武p一计数电路输出端并联电在巨.ka,RDP一一微分电路输出端并联反馈电阻,k!1。Rei一一电容电荷分配电路输出端并联反馈电阻,k!1,S一一定向娟合器的藕台缝隙,mm。So 定向事离合器的隔离度,dB。(SNR)。输出端信噪比,dB。(SNR)星一一放大器输入端的信嗓比,dB,Sv一一电压驻波比。s,一一隔离器的隔离度,dB,s,输出信号功率,mW511 ,S12 SZJ ,Szz 与“Y”导纳矩阵元旦斤对应的“S参量。T一一绝对温度,K,
17、Tci一计数电路输入信号的周期,s,Tc一一与较正高度相对应的较正漓司的周期,s。Tm 调制jE司鳞,阵合之m混频器的有效噪声温度比。t. 输入矩形脉冲的宽度,问。TmHL询和j周期T口的变化范围,严sTmx一一消制周期Tm的最大值,声。Tmmin 诱哥哥周期Trn前最小徨用。1 8 QJ 2802 9岳让一一相速。UAD一一装定高度电路的输出电压,V。Uru 放大器革命入信号的幅度,Vo巳飞。放大器输出信号的幅度,vl或C,。对,晶体管等效网络的输入端所接电纳z当Ge十g22台时,CL+ g Z2 I; ( .Y12Y21) BL= b,十.(22)R;(y,y,.)十IY12Y主,I 当G
18、e+g,O时,R;(Y)=,= Y12Y21 i R,(yy,) 十gll(24)幻CLg22)当CL十g,-z2-2 2-s hu叶EA-ir 、Jd12-1 2-s 二十亏主72飞(- - 俐vd(28) 2 2 5 2 1 5 2 2-z e-s of十川U 一、, 一1一二 S 一-1l 一(2 - y (29) y,三一(1十Sn)(1十Szz)SIZS2l (1十s11)Cl-s22lS12S21Y旦二(l十Sn)(1十Szz)-S12Sn Cl YulOY22) 7 Y12Y21 Si:百三卡Yn)红十y川YIZY1 2yiz 12二三工豆三百干豆1)Y12Y21 2s, (30
19、) (31) 32)(33) 18 QJ 2802 96 二Zy,S21 = (1十Yn)(l +y,)-Y12Y21 (34) (1十Y11HlY22)-C-Y12Y21 S江百平王三E丰王三士王豆豆. (35) 表1共基、共发和共集组态Y参数间变换关系;以kbY YO)霄,可以直接利用晶体管的潜在不稳定性构成振荡器;若g口O(g22O)cl 可榕成B 振荡器G (c) Gn口(或G,C (或G,o)c。可构或(d) Gu白或GnO,用开路传输线对按式39计算传输线的长度L,2rL, L,=Y.,乞an(丁:b. 当BL,m Cob十Cnm.xccm问公m Cot+Cn国巳21 QJ 280
20、2 96 变容二极管调谐电路电J惑两端的有效变容比为z对于并联变容比为2CT,且尸Ir胁rsEr1C晶.(47) 70 wC0btanL, d. 变容管i司i皆电路谐振频率的计算:根据端接情况,晶体三极管输出导纳的虚部为容性e为使其谐振,调谐电路应该是感洼的应采用变容管调谐,所以必须经过一段传丰富线再接三极管的集电毅,将其容住宅抗变化,转变为惑性电抗变化。如图7Jj斤示,当变容二极管接在传输线的中间位置时从变容管内左看去的电抗按式48计算g22 QJ 2802 96 4 争,.g图7变容二极管按在传输线中i同位置;二泣。tariP1 X1=Z。一一二一一一一Z&i:;_tanIP 从变容管向右
21、看去的电抗为2(48) X,=jZ。tan争z. . . . . ( 49) 当变容营的电抗X十几与变容管的容抗相等时,那达到谐振,按式50计算几十X,二i主.“制当变容管的电容量Cn和振荡器中端接晶体管等效网络的输出电容C呻满足式51关系时,才能维持角频率为甜的振荡。1 r wZ0C0b +tan告1 D= ;z:L再可;豆豆瓦石豆瓦三lJ . (51) 变容管在传输线上的位置为了提高变容管的词谱能力,变容管应放在调谐传输线的中间,若考虑到晶体管基极引线也是满谐传输线前一部分,此时,变容管可置于基极引线与内导体的连接处。如果变容管接在其它位置峙,既要求的变容比将增大。当变容管接于传输线的始端
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