GB T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分;信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范.pdf

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1、I臼31.080.10L 41 组主、王王G/T 6589 2002/IEC 60747-3-2: 1986 QC 750005 代替GB/T6589一1986导开立)3-2部: 11=1号(压FH 笛基一出 -空Semiconductor Devices Discrete devices一Part 3-2 :Signal (including switching) and regulator diodes:-B1ank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excludi

2、ng temperature-compensated precision reference diodes) (lEC 60747-3-2:1986 ,IDT) 2002-12-04发布2003-05-01实施中华人国家质量监民共和国检验检疫总局发布G/T 6589-2002/IEC 60747-3-2,1986 GB/T 6589是等问采用IEC60747-3-2 , 1986(QC 750005).改为按GB!T 12560-1999，一一第8章中测试方法由按GB!T4936. 1一1985.改为按GB/T1256萨一1999半导体器件分立器件分规范，一一-第8章中抽样要求由按GB/T49

3、36.1-1985.改为按GB!T1256 1999 半导体器件分立器件分规范，一一郎、C8分组中电耐久性由按GB!T4938-1985.改为按GB/T 6571一1995，-B3、B4、B5分组和C3、C4分组试验由按GB/T4937一1985.改为按GB/T4937-1995，一一部分组中交变湿热由按GB/T2423. 4-198H电工电子产品基本环境试验规程变湿热试验方法机改为按GB!T4937一1995)句，向XOQUGB/T 6589-2002/IEC 60747-3-2,1986 E 一一GB/T12560-1999 半导体器件分立器件分规范(idtIEC 60747-11，198

4、5.代替GB/T12560-1990) 一-GB/T17573-1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分g总则(idtIE巳60747-1，1983)一-GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分s整流二极管(eqvIEC 60747-2,1983) 一-GB/T6571-1995半导体器件分立器件第3部分2信号(包括开关和调整二极管(idtIEC 60747-3 .1 985) 一GB/T6588-2000半导体器件分立器件第3部分s信号(包括开关)和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范(eqvIEC 60747-3-1，1986.代替G

5、B/T6588-1986) 一一GB/T6589-22半导体器件分立器件第3-2部?t，信号(包括开关)和调整二极管电压调整和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管空白详细规范(idt1配60747-3-2，1986.代替GB/T6589-1986) 一一-GB/TXX X X一XXXX半导体器件分立器件第4部分z微波二极管和晶体管(IEC60747-4 ,1991) 一-GB/T15291-1994半导体器件第6部分e品闸管(eqvIEC 60747-6 ,1 991) 一-GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分g双极型晶体管(eqvIE巳60747-7，1988.

6、代替GB/T4587-1984和GB/T6801-1986) 一一GB/T7576-1998半导体器件分立器件第7部分z双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范。dtIEC 60747-7-4，1991.代替GB/T7576-1987) GB/T 4586-1994半导体器件分立器件第8部分z场效应晶体管(凶IEC60747-8，1984.代替GB/T4586-1984) 一-GB/TX X X X - X X X X 半导体器件分立器件第9部分s绝缘栅双极型品体管(!EC60747-9 ,1998) 本部分引用的国家标准和IEC标准是gGB/T 2423.23-1995 电

7、子产品环境试验试验Q，密封(idtIEC 68-2-17 , 1978) GB/T 4937一1995半导体器件机械和气候试验方法(idtIEC 60749 ,1984) 一一GB/T6571-1995半导体器件分立器件第3部分z信号(包括开关)和调整二极管(idtIEC 60747-3 ,1985) 一-GB/T12560-1999 半导体器件分立器件分规范。dtIEC 60747-11 , 1985) 一一IEC60191-2，1966半导体器件机械标准化第2部分尺寸一一IEC60747-10(QC 700000) ,1 991 半导体器件第10部分分立器件和集成电路总规范本部分由中华人民

8、共和国信息产业部提出.本部分由全国半导体器件分立器件标准化技术委员会归口。本部分起草部位z中国电子技术标准化研究所(CESD.本部分主要起草人s赵英。本部分首次发布时间，1986年7月24日.(一一一G/T 6589-2002/IEC 60747-3-2.1986 冒l言半导体器件分立器件3-2部分:信号(包括开关)和调整二极电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受.本空白详

9、细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准和IEC标准一起使用.GB月12560-1999半导体器件分立器件分规范CidtIEC 60747-11:1985) IEC 60747-10CQC 700000):1991 半导体器件第10部分分立器件和集成电路总规范要求的资料本页及下页方括号内的数字与下列各项要求的信息相对应，这些信息应填人相应栏中。详细规范的iR别IJ授权发布详细规范的国家标准化机构名称.2J详细规范的lECQ编号。3J总规范、分规范的编号及版本号。4J详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何资料.器件的识别5J器件型号。6J典型结构和应用资料。如

10、果设计一种器件满足几种应用，则应在详细规范说明.这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足.如果器件对静电敏感，应在详细规范中给出注意事项。7J外形图和(或)引用有关的外形标准。8J质量评定类别.9J能在器件型号之间比较的最重要特性的参考数据.在本部分中，方括号里绘出的文字用于指导详细规范的编写，不应纳入详细规范中JC在本部分中，X表示应在详细规范中规定特性或额定值的lLJ一一一1 GB/6589-2002/IEC 60747-3-2: 1986 负责发布规范的国家机构IJ QC 750005- X X X 2J IECQ详细规范编号、版本号和(或)或团体的名称(地址).J日期.J评定电子元

11、器件质量的依据23J 详细规范的国家编号4J 总规范:IEC60747-10/QC 700000 如果国家编号与IECQ编号相同，则本栏分规范:GB!T 125601999半导体器件分立器件分可不填写J规范详细规范25J 有关器件的型号订货资料z见本部分第7章。机械说明2 简要说明外形标准g7J 电压调整二极管(Reg.); 6J IEC 60191亿电压基准二极管(Ref.) GB!T 7581一1987半导体分立器件外形尺寸(不包括温度补偿精密基准二极管)。半导体材料:SiJ.外形图封装:空腔或非空腔J.可以转到本部分的第10章给出更详细的外形图J引出端识别3 质量评定类别给出管脚排列分布

12、图，包括图形符号J按GB!T4589.1-1989的2.6.J 8J 标志:字母和图形或色码要求时，详细规范应规定标志在器件上的内容。参考数据9J 见GB!T4589. 1-1989的2.5和(或)本部分第6章如采用特殊方法，需标明极性巳按详细规范鉴定合格的器件的有关资料，见合格产品一览表。2 GB/T 6589-2002/IEC 60747-3-2: 1986 4 极限值(绝对最大额定值体系)除非另有规定，这些极限值适用于整个工作温度范围.只重复列出带有标题的条号.任何附加的值在适当的地方给出，不另列条号J曲线最好在本部分的第10章给出.J条号参数名称符号数值最小值最大值4. 1 工作环境温

13、度或管壳温度T arnbJ田曾X X 4.2 贮存温度T.,g X X 4.3 耗散功率z应规定通风和安装的特殊要求.J4.3. 1 最大耗散功率与温度的函数P.(T)或4.3.2 最高有效(等效)结温T问X 和最大耗散功率P骂X 4.4 适用时，最大正向电流lF X 4.5 适用时.是大反向直流电流lz X 本电流应分为两个部分给出E4. 5. 1 在Tb或T山=25C时，对于给定类型列出每个Vz电压5.6 V时，电压规定在VZmin的60%和85%之间当VZnorn5.6 V时，电压最好规定在VZmin的25%和50%之间5. 3 适用时，最大反向电流lR2 X X C2b 3 G/T 6

14、589-2002/IEC 60747-3-2: 1986 表(续)特性和条件基准二极管调整二极管试验条号除非另有规定，T.mb或TC8 = 25 ac 符号(Ref. ) I (Reg. ) (见总规范第4:1世)最小值最大值最小值鼓大值分组在高温和按5.2规定的电压下5.4 主主大微分电阻rz X X A2b 在5.1规定的电流下(直流或脉冲，在详细规范中规定)5. 5 适用时，最大微分电阻rZk X X C2a 在推荐的最小工作电流下5.6 适用时，最大正向电压VF X X C2a 在规定的正向屯流IF下5. 7 工作电压的温度系数的最大和鼓小但在整VZ X X C2a 个规定温度范围内和

15、5.1规定的电流下5.8 适用时，最大噪声电压V. X C2a 规定的工作电流、中心频率和带究5. 9 适用时，政大电容C101 X X C2a 在规定的反向电压VR下5.10 当引用有效结温为额定值时，Rh X X 纺到环境的最大热阪或结到管壳的段大热阻或纺到引线规定点的是大热阻6 标志除了前面第【7J栏(第1章)和(或总规范的2.5所纷出的外，任何其他特殊标志应在这里规定。7 订货资料除非另有规定，订购一种具体器件至少需要以下资料z准确的型号(如果要求，给出标称电压值)J 一一当有关时，带版本号和(或)日期的IECQ详细规范标准;一-GB/TI2560一1999的3.8规定的质量评定类别和

16、GB/T12560一1999的3.7规定的筛选顺序(如果要求时h一一其他特殊要求。S 试验条件和检验要求在下表中给出试验条件和检验要求，其巾所有数值和确切的试验条件，应按照给定型号的要求和按有关标准的有关试验的要求规定。【编写详细规范时，应选定可替换的试验或试验方法.J当在同一详细规范中包括几种规格的器件时，有关条件和(或)数值应以连续的方式给出，以尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。在以下各表中，除非另有规定，引用的章条号对应于总规范的章条号，其测试方法引自GB/T1256吐一1999的第4章。4 抽样要求，按照适用的质量评定类别，引用或重述GB/T12560一1999的3.8的数值J对于

17、A组，在详细规范中选择AQL或LTPD方案。C 飞-一A 逐组批GB/T 6589-2002/IEC 60747-3-2,1986 全部试验都是非破坏性的(3.6.6)检验要求条件极限引用标准检验或试验符号除非另有规定，T.rnb或T_25CGBjT 12560 见总规范第4章Ref.和Reg最小值最大值A1分组外部目检总规范4.2. 1. 1 极性颠倒gA2a分组或V，10V,_.J I 不能工作或1，1001，_.J.器件(除非另有规定A2b分组工作电压Vz D- 021 电流规定值，直流或脉冲条件按X X 规定微分电阻Yz D- 022 电流同上面V，的规定值，直流或X 脉冲条件按规定A

18、3分组反向咆流1 . D- 002 电压在详细规范中规定，X 当V，.，.拥5.6V时，电压规定在VZmin的60%和85%之间$当V.，.四;5.6V时.电压最好规定在V的25%和50%之间(见下反向电压V，的优选值表).J5 GB/T 6589-2002/IEC 60747-3-2,1986 反向电Biv.的优选值为了测量1Rl ，在5.2和A3分组中规定的电压VR只要有可能，就应从下列表中选取，其中(提)栏为优选值v,_ v, (V) v,_ v, (V) v_ v, (V) (E24)(V) (E24)(V) (E24)(V) 2. 4 0.6 6.8 4. 7 5. 1 43 30

19、33 2.7 o. 7 7. 5 5. 1 5. 6 47 33 36 3. 0 0.8 8.2 5. 6 6. 2 51 36 39 3. 3 1 9. 1 6.2 6.8 56 39 43 3. 6 l 10 6.8 7.5 62 43 47 3. 9 1 11 7.5 8. 2 68 47 51 4.3 l 12 8.2 9. 1 75 51 56 4. 7 1. 5 13 9. 1 10 82 56 62 5. 1 1. 5 15 10 11 91 62 68 5.6 1. 5 16 11 12 100 68 75 6. 2 3. 6 18 12 13 110 75 82 20 13

20、15 120 82 91 22 15 16 130 91 100 24 16 18 150 100 110 27 18 20 160 110 120 30 20 22 180 120 130 33 22 24 200 130 150 36 24 27 39 27 30 f本表是指导制定规范用，而不包括在详细规范里6 一一-GB/T 6589-2002/IEC 60747-3-2: 1986 B 组逐批对I类的要求，见总规范的2.的组A 据根值值值始限限初下上的的的件范范器规规= DL过wmu 只有标(0)的试验是破坏性的(3.6.6)。条件枪验要求引用标准传验或试验符号除非另有规定，T.mb或

21、T.25C 极限GB/T 4931 (见总规范第4章)最小值最大值BI分组尺寸总规范见本部分第1章4. 2. 2，附录叫部分组引出端强度力日.1.2J无损坏引线弯曲(D)rr. 1. 2 (适用时)B4分组按规定.最好用焊槽法润湿良好可焊性rr .2. 1 B5分组快速温度变化m .1 按规定继之以，交变湿热(D)m .4 按规定(对非空腔器件见表注IJ最后测试s或密封(对空腔器件)田.11. 3或1.4.1.5B8分组电耐久性GB/T 6511 高温反偏或工作寿命见表注2J068 h) 第V章最后测试2CRRL分组B3.缸，岛和B8分组的属性资料注1，最后测试， 对于电压调整二极管，按A2b

22、分组.对于电压基准二极管g rl1. 2 USL , 在规定的z下:对于允许偏差为土1%或严于土1%的器件，其!Vz11% IVD, 对于允许偏差大于士1%的器件，其It.V，1;2% IVD. 注2，电耐久性试验分组2按GB/T12560 1999中3.2.3.1的规定。7 4 GB/T 6589-2002/IEC 60747-H: 1986 C 用组期LSL规范的下限值:根据A组USL规范的上限值只有标(0)的试验是破坏性的(3.6.6)。条件引用标准符号除非另有规定，T.mb或T剑_25CGB!T 4937 (见总规范第4章)最小值cl分组尺寸总规范4.2.2.附录BC2.分组GB!T

23、12560 工作电压的温度系a IH23 测试电流在A2b分组中对X 数Vz规定的测试电流温度规定值噪声电压V. 1)-024 工作电流、中心频率和带宽(适用时)=【规定值正向电压V , )-001 E向电流I，规定值适用时)总电容C刷)-006 反向电压V，规定值(适用时)微分电阻r )-022 电流推荐最小工作电流(适用时)b分组高温下的! GB!T 12560 电压在A3分组巾对!反向电流)-002 规定的电压值J.温度高温值C3分组引出端数值规定值强度(D) 拉力n .1. 1 和(或转矩n .1. 4 a 对于特殊外形，例如超小型器件可以不要求.8 检验要求极限Ref. Reg. 最

24、大值最小值最大值见本部分第1章X X X X X X X X X X 无损坏一一一一一GB/T 6589-2002/IEC 60747-3-2: 1986 C组(续条件检验要求检验或试验号引用标准除非另有规定.T.础或T_25C极限GBIT 4937 Rel. Reg. (见总规范第4章最小值最大值最小值最大值c4分组ii!饵接热(0)II .2. 2 最后测试g见注IJ见注2JC6分组按规定机械冲击或II .4或振动II .3 继之以，C见注IJ见注2J恒定加速度n , 5 (仅1控腔器件)最后测试，C7分组稳态湿热(0)田.5按规定或交变湿热(0)田.4按规定扫t空腔器件见注IJ见注2J坦

25、后测试aC8分组电耐久性GB/T 6571 高沮反偏或工作寿命(最少1目xlh) 第V章见注IJ见注2JJ后测试gC9分组商温贮存(0)阻.2最少1000 h.TT.叫InuJ见注IJf见注2J最后测试2CRRL分组C2.口，C4，C6，C7和C9分组的属性资料.C8分组试验前后凡的测量数据。注1，电压基准二极管:rz1.2 USL , 在规定的1，下，对于允许偏差为土1%或严于士1%的器件，其It，v，11%IVD; 对于允许偏差大于土1%的器件，其It:,v, I ;2% IVD.J 注2，电压调整二极管g，;1.2 USL , 在规定的1，下，LSLV，;USL.J9 _,.,- 一一一

26、一GB/T 6589一2002/IEC60747-3-2: 1986 9 D组-鉴定批准试验当要求时，这些试验应在详细规范中规定J10 附加资料(不作枪验用)10 只有规定和器件应用需要时给出，例如z一一与极限值有关的温度降额曲线，一一测最电路或补充方法的完整说明，一一详细的外形图。6589-2002 L 中华人民共和国国家标准半导体器件分立黯件第3-2部分z信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范GB/T 6589-2002月EC60747-3-2 ,1986 蜂中国标准出版社出版北京复兴门外三里河北街16号邮政编码，100045电话，6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷新华书店北京发行所发行各地新华书店经售 开丰880X 1230 1/16 印张1字数23千字2003年6月第一版2003年6月第一次印刷印数1一1500 蜂网址版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533