【考研类试卷】南京航空航天大学硕士研究生入学考试初试致电离辐射探测学真题2014年及答案解析.doc
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1、南京航空航天大学硕士研究生入学考试初试致电离辐射探测学真题2014 年及答案解析(总分:150.00,做题时间:180 分钟)一、选择题(每题 6 分,共 30 分)(总题数:5,分数:30.00)1.气体探测器在测量电离辐射时,产生的电压脉冲信号是由 (分数:6.00)A.电极完全收集电子和离子后形成的;B.电极收集电子和离子过程中,电极上感生电荷的变化形成的;C.收集快电子形成的;D.收集慢离子形成的。2.下列哪个效应产生 射线能谱上的全能峰? (分数:6.00)A.光电效应;B.康普顿散射;C.电子对效应;D.特征 X 射线。3.用电离辐射探测器测量 射线能谱时,在全能峰与康普顿边缘之间
2、除了本底造成的计数外,下列哪个因素产生计数? (分数:6.00)A.光电效应;B.周围材料的康普顿散射;C.探测材料中多次康普顿散射;D.康普顿背散射。4.造成 G-M 管死时间的原因是 (分数:6.00)A.电子雪崩产生的大量的电子,削弱阳极的电场强度;B.电子雪崩产生的大量的正离子,削弱阳极的电场强度;C.猝熄分子终止放电;D.猝熄抑制正离子的发射。5.在半导体探测器中,PN 结区的厚度决定探测器的探测效率和测量能量范围,如何增加结区的厚度? (分数:6.00)A.增加 P 区和 N 区的厚度;B.增加加载在 PN 结上的偏压,增加半导体材料的杂质浓度;C.增加加载在 PN 结上的偏压,减
3、小半导体材料的杂质浓度;D.减小加载在 PN 结上的偏压,增加半导体材料的杂质浓度二、简答和计算题(每题 15 分,共 60 分)(总题数:4,分数:60.00)6.哪些主要因素导致 PN 结漏电流的产生?(分数:15.00)_7.用正比计数管测量辐射如示意图,画出测得的微分能谱 (分数:15.00)_8.简述正比计数管中的雪崩现象。 (分数:15.00)_9.用分辨时间为 350s 的 GM 计数管测量放射性样品,发现实际测量计数率 n 是真实计数率 m 的 1/2,请根据漏计数校正的两个模型分别给出真实的计数率 m。(ln2=0.693)(分数:15.00)_三、分析题(每题 30 分,共
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