GB T 12273-1996 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第1部分;总规范.pdf

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1、前言本标准等同采用国际电工委员会 石英晶体元件 规范第部分总规范这样 使我国石英晶体元件国家标准与 电子元器件质量评定体系中标准相一致以适应此领域中国际技术交流和经济贸易往来迅速发展的需要便于我国生产的这类产品进行认证并在国际市场流通本标准与下述四项国家标准和电子行业标准构成石英晶体元件质量评定的完整系列标准石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第部分分规范能力批准石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第部分分规范鉴定批准石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第部分空白详细规范能力批准石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第部分空白详细规范 鉴定批准本标准自实施之日起 同时废止 石英晶体元件总

2、规范本标准由中华人民共和国电子工业部提出本标准由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会归口本标准起草单位电子工业部标准化研究所本标准主要起草人王毅邓鹤松前言国际电工委员会 是由各国家电工委员会 国家委员会 组成的世界性标准化组织的目的是促进电工电子领域标准化问题的国际合作 为此目的 除其他活动外 发布国际标准国际标准的制定由技术委员会承担 对所涉及内容关切的任何 国家委员会均可参加国际标准的制定工作 与 有连系的任何国际 政府和非官方组织也可以参加国际标准的制定 与国际标准化组织 根据两组织间协商确定的条件保持密切的合作关系在技术问题上的正式决议或协议 是由对这些问题特别关切的国家委员会

3、参加的技术委员会制定的对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见这些决议或协议以标准 技术报告或导则的形式发布以推荐的形式供国际上使用并在此意义上为各国家委员会认可为了促进国际上的统一各 国家委员会有责任使其国家和地区标准尽可能采用 标准标准与相应国家或地区标准之间的任何差异应在国家或地区标准中指明国际标准 是由 第 技术委员会频率控制和选择压电器件和介电器件 制定的本标准部分技术内容依据 制定本标准构成石英晶体元件 规范第部分总规范构成分规范能力批准构成空白详细规范 能力批准构成分规范鉴定批准构成空白详细规范 鉴定批准本标准文本以下列文件为依据国际标准草案表决报告表决批准本标准的详细资料可

4、在上表列出的表决报告中查阅本标准封面上的 号是 规范号中华人民共和国国家标准石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第部分 总规范代替国家技术监督局 批准 实施总则范围本标准按 第 章规定了采用能力批准程序或鉴定批准程序评定质量的石英晶体元件的试验方法和通用性要求引用标准下列标准所包含的条文通过在本标准中引用而构成为本标准的条文 本标准出版时所示版本均为有效 所有标准都会被修订 使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第部分分规范能力批准石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第部分分规范鉴定批准和 成员国存有现行有效国际标准目录电气术语用文字符号国

5、际电工技术词汇环境试验 第 部分总则和导则环境试验 第 部分各种试验试验 寒冷环境试验 第 部分各种试验试验 干热补充环境试验 第 部分各种试验试验 稳态湿热第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 及其导则振动正弦第 次修订第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 及其导则稳态加速度第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 温度变化第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 密封第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 锡焊第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 引出端及整体安装件强度第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 及其导则 冲击环境试验 第 部分各种试验试验 及其导则碰撞环境试验

6、 第 部分各种试验试验 及其导则 循环湿热 循环第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 自由跌落第 次修订环境试验 第 部分各种试验试验 及其导则在清洗剂中浸渍频率控制和选择用石英晶体元件第部分标准值和试验条件第 次修订频率控制和选择用石英晶体元件第部分标准外形及插脚连接第 次修订第 次修订第 次修订工作频率达 的压电振子的标准定义和测量方法计数检查抽样方案和程序型网络零相位法测量石英晶体元件参数 第 部分 型网络零相位法测量石英晶体元件谐振频率和谐振电阻的基本方法型网络零相位法测量石英晶体元件参数 第 部分 测量石英晶体元件动态电容的相位偏置法型网络零相位法测量石英晶体元件参数 第 部分有

7、并电容 补偿的 型网络相位法测量频率达 的石英晶体元件两端网络参数的基本方法型网络零相位法测量石英晶体元件参数 第 部分频率达 石英晶体元件负载谐振频率 负载谐振电阻 的测量方法和其它导出值的计算方法电气图用图形符号电子元器件质量评定体系 基本章程电子元器件质量评定体系 程序规则鉴定合格产品清单导则 电子元器件质量评定用规范结构鉴定批准和能力批准国际单位及其倍数单位和某些其他单位用法的建议技术细则优先顺序各标准中 无论何种原因引起的不一致之处应以下列优先顺序来评判详细规范分规范总规范任何其他被引用的国际标准 如 标准上述优先顺序适用于等效的国家标准中单位符号和术语概述单位图形符号文字符号和术语

8、应尽可能从下列标准中选取以下各条为适用于石英晶体元件的补充术语晶片 白片切成规定几何形状 尺寸并相对于晶体结晶轴有一定取向的压电体电极与晶片表面接触或接近的导电板或导电薄膜 通过它给晶片施加电场晶体振子随电极之间交变电场振动的已装架晶片支架支撑晶体振子的部件 晶体盒内晶体盒保护晶体振子和支架的外壳晶体盒型号有确定密封方法的规定外形尺寸和材料的晶体盒晶体元件晶体振子安装在晶体盒中的整体插座供插入晶体元件使其固定并提供电连接的元件振动模式由于振动体受到外部应力作用使各质点所产生运动的模型振荡频率以及存在的边界条件 常用的振动模式为弯曲伸缩面切变厚度切变基频晶体元件晶体振子设计工作在给定振动模式的最

9、低阶次上的晶体元件泛音晶体元件晶体振子设计工作在比给定振动模式最低阶次高的阶次上的晶体元件泛音次数将给定振动模式的逐次泛音从基频作为 开始分配以一系列递增的整数 这些数就是泛音次数 对于切变和伸缩模式其泛音次数是接近泛音频率与基频频率之比的一个整数晶体元件等效电路是一个预定在谐振频率或反谐振频率附近具有与晶体元件相同阻抗的电路 它由一个电感 电容和电阻的串联臂再与晶体元件两端的电容并联来表示 串联支路的电感电容和电阻分别以 和表示 并且把它们称为晶体元件的动态参数 并电容用 表示见图注等效电路未代表晶体元件的全部特性和 在谐振频率附近变化迅速 其中振子等效电路串联电阻振子等效电路串联电抗振子等

10、效电路并联电导振子等效电路并联电纳图 谐振频率附近压电振子的符号和等效电路动态电阻等效电路中动态 串联 臂的电阻动态电感等效电路中动态 串联 臂的电感动态电容等效电路中动态 串联 臂的电容并电容等效电路中与动态臂并联的电容谐振频率在规定条件下晶体元件电气阻抗呈电阻性的两个频率中较低的一个频率谐振电阻晶体元件在谐振频率 时的电阻反谐振频率在规定条件下晶体元件电气阻抗呈电阻性的两个频率中较高的一个频率负载电容与晶体元件一起确定负载谐振频率 的有效外接电容负载谐振频率在规定条件下晶体元件与负载电容串联或并联 其组合电气阻抗呈电阻性的两个频率中的一个频率 负载电容串联时负载谐振频率是两个频率中较低的

11、而在负载电容并联时 负载谐振频率则是其中较高的见图注图 和图 所示的负载电容是相等的见 和图 谐振频率 反谐振频率和负载谐振频率对某一给定的负载电容值 就实际效果这些频率是相同的并表示为注在 和 所定义的频率是最常用的术语 有关石英晶体频率很多应参见 所给出的详细解释要求较高准确度或要由频率测量推导出间接数据如晶体元件动态参数值 时 应查阅 和负载谐振电阻晶体元件与规定外部电容相串联 在负载谐振频率 时的电阻注 值与 值密切相关 近似表达式为标称频率制造商赋予晶体元件的频率工作频率晶体元件和与其配合的电路一起工作的频率负载谐振频率偏置其值可由下式近似计算应用中为标明某负载电容实际值单位 对已给

12、定负载电容值的负载谐振频率偏置 可写为 或相对负载谐振频率偏置其值可由下式近似计算相对负载谐振频率偏置也可写为 以表示负载电容为 时的相对负载谐振频率偏置频率牵引范围其值可由下式近似计算频率牵引范围也可写为 以表示 和 负载电容之间的频率牵引范围相对频率牵引范围其值可由下式近似计算相对频率牵引范围可写为 以表示 与 负载电容之间的相对频率牵引范围频率牵引灵敏度频率牵引灵敏度可写为 以表示 负载电容的频率牵引灵敏度工作温度范围是一在晶体盒上测得的温度范围 在其范围内 晶体元件必须工作在规定频差之内可工作温度范围是一在晶体盒上测得的温度范围 在其范围内晶体元件必须工作 但不一定工作在规定频差之内并

13、不出现永久损坏贮存温度范围在晶体盒上测得的最低温度和最高温度 在这两个温度下贮存晶体元件应无性能退化或损坏基准温度进行晶体元件可信测量的温度 对温控晶体元件基准温度为控温范围的中点 对非温控晶体元件基准温度通常为激励电平施加于晶体元件的激励条件的量度 激励电平可用通过晶片的电流或晶片耗散功率表示激励电平相关性激励电平相关性 是晶体元件谐振电阻随激励电平条件变化的效应 该参数可用两个规定激励电平所对应的电阻之比来确定 该比值由下式表达式中 为较低激励电平时的电阻为较高激励电平时的电阻无用响应晶体振子与有关工作频率不同的谐振状态频差由规定原因或综合原因引起的工作频率的最大允许偏差 频差一般以标称频

14、率的百万分之一表示注 通常 采用下述几种频差规定条件下基准温度时工作频率相对于标称频率的偏差整个温度范围内的工作频率相对于规定基准温度时工作频率的偏差规定条件下由时间引起的频率偏差各种原因引起的工作频率相对于标称频率的偏差 总偏差优先额定值和特性各种值应优先从下述条款中选取适合于大气条件工作的温度范围适合于恒温器控制的高温范围频差电路条件负载电容负载电容负载电容负载电容负载电容串联谐振激励电平厚度切变电流功率弯曲和面切变电流伸缩电流激励电平相关性谐振电阻 电阻比气候类别要求晶体元件工作温度比 宽时应规定与工作温度范围相一致的气候类别碰撞严酷度沿三个相互垂直轴的每一个方向在峰值加速度 下碰撞 次

15、见脉冲持续时间振动严酷度位移幅值峰值或加速度幅值峰值位移幅值峰值加速度幅值峰值三个相互垂直轴的每个方向上见三个相互垂直轴的每个方向上见随机振动严酷度在考虑中冲击严酷度除详细规范另有规定外 峰值加速度为 持续时间为 沿三个相互垂直轴的每一个方向冲击三次见 波形为半正弦波漏率标志标志给出的内容从下述项目单中选取每一项目的相对重要程度由其在项目单的位置表明详细规范规定的型号名称标称频率 或制造年和周 用四位数字制造厂识别代码制造商名称或商标合格标志采用合格证者除外晶体元件上应清楚地标出上述 和 项并应尽可能多地标出其余的项目 晶体元件上的标志内容应避免重复小型化晶体盒的可利用表面积使标志数量受到实际

16、限制时详细规范中应给出使用标志的说明包有晶体元件的初级包装应清楚地标志 所列的全部内容应采用不致引起混淆的任何附加标志质量评定程序评定质量的石英晶体元件的批准现有两种方法 它们是鉴定批准和能力批准初始制造阶段按 的 规定初始制造阶段是晶片的最终表面加工注 晶片最终表面加工可以是下列研磨 抛光腐蚀 抛光片的清洗工序中的任何一种结构类似元件供鉴定批准能力批准和质量一致性检验用的结构类似元件的划分应在有关分规范中规定分包分包程序应按 的 规定但是晶片的最终表面加工及所有后续工序应由已授权批准的制造商进行制造厂批准为获得制造厂批准制造厂应满足 的 要求批准程序概述为鉴定石英晶体元件可采用能力批准程序或

17、鉴定批准程序 这些程序符合 和中的规定能力批准当结构类似石英晶体元件以共有的设计规则为基础 采用一组共有的加工工艺制造时 适合采用能力批准能力批准详细规范分下述三种类型能力鉴定元件经国家监督检查机构认可的每种能力鉴定元件应制定详细规范 详细规范应能辨别 的意图并包括所有相关应力水平和试验限值标准元件当能力批准程序已包含的元件有意要作为标准元件时应遵守空白详细规范编写详细规范 这种规范应由 注册并将其列入 合格产品清单定制石英晶体元件详细规范的内容应由制造厂和用户按 的 协调确定有关详细规范的更多内容包括在分规范 中产品和能力鉴定元件 按组合形式试验并根据批准的设计准则 工艺和质量控制程序 给予

18、制造设施批准 进一步的内容规定在 和分规范 中鉴定批准鉴定批准适用于标准设计所生产的元件并且已确立了生产过程且遵守已发布的详细规范要鉴定的石英晶体元件按 和分规范 规定直接采用适合的评定水平和严酷度等级 按详细规范确定试验大纲 方案能力批准程序概述能力批准程序应按 规定能力批准资格制造厂应遵守 的 和本总规范 初始制造阶段规定的要求能力批准的申请制造厂为获得能力批准应采用 的 规定的程序规则能力批准的授予在成功地完成 的 规定的程序后应授予能力批准能力手册能力手册的内容应符合分规范要求 国家监督检查机构应将能力手册作为保密文件 若制造厂有愿望时可以将能力手册的部分内容或全部内容透露给第三方鉴定

19、批准程序概述鉴定批准程序应按 规定鉴定批准资格制造厂应遵守 的 和本总规范 初始制造阶段规定的要求鉴定批准的申请制造厂为获得鉴定批准应采用 的 规定程序规则鉴定批准的授予在成功地完成 的 规定的程序后应授予鉴定批准质量一致性检验和分规范一起使用的空白详细规范应规定质量一致性检验一览表试验程序所采用的试验程序应从本总规范中选取需要的试验若未包括在总规范中 那就应在详细规范中规定筛选要求用户要求对石英晶体元件筛选时 应在详细规范中规定筛选要求返工和修理返工返工就是纠正加工差错 若分规范中禁止采用 就不应进行返工 若对具体元件进行返工之处的频数有限制 则应在分规范中进行规定所有返工应在按详细规范要求

20、的检验批构成之前进行以上返工程序应在制造厂制定的有关文件中详细叙述并在总检查员的直接参与下进行不允许返工分包修理修理是元件交给用户后对其缺陷的修正 经过修理的元件不能再作为制造厂的代表产品且不能按电子元器件质量评定体系放行证明合格的试验记录应采用 第 章的要求当按鉴定批准用分规范和用户要求规定证明合格的试验记录时应摘要提供规定的试验结果延期交货保存期限超过两年的晶体元件以后的交货检验应按 和 规定的电气试验重新检验放行前还要按 中 进行抽样试验发货放行石英晶体元件应按 的 规定放行不检查的参数只有详细规范中已规定并已通过试验的元件参数才能保证是在规定极限之内 不能保证未被规定的任何参数对每个元

21、件都是不变的 若必须对更多的参数加以控制 则应采用新的涉及面更宽的详细规范 任何附加的试验方法都应叙述完整并应规定相应的极限值 值和检查水平试验和测量程序概述试验和测量程序应按有关详细规范规定进行替代的试验方法各种测量都应优先采用规定的方法进行 除有争议外可以采用能得出等效结果的其他方法注 等效 的意思是采用其他方法得到特性值落在用规定方法测量时的规定极限内测量准确度详细规范规定的极限值是真值 在判断结果时 测量不准确度应被计算在内应采取措施将测量误差减至最小试验的标准条件除非另有规定所有试验都应在 中 规定的试验的标准大气条件下进行温度相对湿度气压有争议时 采用的基准的标准大气条件是温度相对

22、湿度气压测量前晶体元件应在测量温度下放置足够时间以使晶体振子达到测量温度为了有助于干燥 控制恢复条件和标准条件按 中 的规定应记录测量期间的环境温度并在试验报告中注明外观检验除非另有规定外部的外观检查应在正常的工厂照明和目视条件下进行目检应对晶体元件进行目检以确保其状态 加工质量和表面质量是否良好 标志应清晰目检应在 倍放大的条件下对晶体元件进行目检 玻璃应无裂纹或无引出端损伤 弯月面楔形边沿周围的细小剥片不算裂纹目检应对晶体元件进行目检 应无腐蚀或其他很可能削弱正常工作的退化 标志应清晰尺寸检验和规检程序尺寸检验适用时 应采用 中规定的量规检查各引出端的尺寸间距和定位并应符合规定值尺寸检验应

23、测量尺寸并符合规定值尺寸按 和适合的规检程序一起规定或在详细规范中规定电气试验程序频率和谐振电阻除非详细规范另有规定对非温控制的晶体元件应在 条件下进行测量而对于温控晶体元件则应在温控范围中点 进行测量应按详细规范规定的条件测量晶体元件的频率和谐振电阻并应在规定极限内注 根据被试晶体元件的频率 应规定 和 中的优先测量方法任何其他测量方法可以采用但测量结果要与采用优先方法所得结果有相关关系激励电平相关性当规定激励电平相关性试验时 重要的是这项试验应在晶体元件预活化后至少五天进行应在两个规定的激励电平上进行 规定的测量 通常这两个激励电平由规定低激励电平到规定高激励电平除非另有规定低激励电平应不

24、大于 而高激励电平应不低于 谐振电阻的变化应不超过详细规范规定极限值频率和谐振电阻随温度的变化注 仅在试验 是随连续变化温度进行 且在工作温度范围的低端或 取较低者开始试验时试验 和试验 可合并进行在基准温度下激励电平和负载电容应置于详细规范规定的等级 试验期间不允许再调整试验设备试验晶体元件从工作温度范围的任一极限值开始试验在整个规定温度范围各测量温度间隔不超过让晶体元件在每个测量温度达到热平衡测量频率和谐振电阻 见如果试验表明所选择的温度变化率使获得的结果与用温度步进变化测得的结果有足够相关时 可在连续改变温度的情况下测量晶体元件本试验期间晶体元件应在规定极限值内试验晶体盒的温度应在不超过

25、 的时间内从 升到 本试验期间 应从 或更低到测量频率和谐振电阻 见 以提供连续读数 频率和或谐振电阻应无不连续变化 这种不连续变化表明晶体盒内存在湿气注 湿气的存在仅能在正温度变化得以验证无用响应在详细规范规定的范围内扫频的同时以详细规范规定的激励电平监测晶体元件主响应的电阻任何无用响应的谐振电阻与有用谐振频率下响应的谐振电阻之比应不小于详细规范的规定值 换言之无用响应的谐振电阻应大于详细规范规定值并电容应在低于晶体元件基频谐振频率处测量并电容 见图 在此处 晶体元件无振荡响应 除非详细规范另有规定晶体盒 若为金属壳 应接地注 没有精密测量 的直接方法 然而几乎所有实际情况将 看成是两个并电

26、容值的平均值 这两个并电容值由在谐振频率 上下等距离的两个频率点测得为使阻抗与任何响应无关这两个频率点充分远离是振子两电极之间的并电容 但必须指出在许多网络和频率控制应用中 两电极对地的电容都是重要因素因此 一般情况下有必要将晶体元件作为三端网络考虑并求出 和当作两端口器件时 采用常规技术在开路和短路测量的两电极对地的分布电容除非详细规范另有规定在求出振子参数所要求的整个一连串测量期间 晶体盒应正电位接地 为此 玻璃盒晶体元件应带有金属屏蔽罩负载谐振频率和负载谐振电阻负载谐振频率和负载谐振电阻的测量方法按 规定频率牵引范围应采用 规定的方法或任何替代方法确定两个规定负载电容谐振频率之差 替代方

27、法在符合所要求的准确度的一定程度上给出频率相关性动态参数动态参数的测量方法按 和 的规定绝缘电阻除非详细规范另有规定 绝缘电阻应用 直流电压测量 或者若读数稳定则小于电压施加在与外壳绝缘的引出端连接在一起的引出端与外壳金属件 若存在间绝缘电阻应不小于注 进行本试验时应注意保证在外壳上不要留有前面试验的任何湿气机械和环境试验程序引出端强度破坏性的引出端拉力试验和推力试验本试验应按 中试验 拉力和试验 推力 进行除非详细规范另有规定质量负荷依次为插针 插入式引出端 推力插针 插入式引出端 拉力线状 焊接式引出端 拉力线状引出端的可弯曲性本试验应按 中试验 弯曲 进行除非详细规范另有规定负荷应限制在

28、距晶体元件本体 处开始弯曲所加质量负荷为 弯曲次数为 次引出端的弯曲试验只对切槽插针式的用任何方便的方法固定或夹紧晶体元件本体或底座 使用所示 见图 弯曲工具弯曲插针切槽段以外的引出端部分注 为保证弯曲在切槽部位最先出现 可将一有两个插针孔的垫板放置在插针上部该垫板的厚度可达到包括插针切槽段的一部分用弯曲工具将插针沿一个方向弯曲 接着沿相反方向弯曲 再向起始位置弯曲结束 每个方向上的弯曲速度大约为采用本试验时插针引出端不应有裂纹标称直径图 引出端弯曲试验工具密封试验非破坏性的粗检漏试验本试验应按 中试验 的方法 或方法 规定程序进行方法液体应是去气的水 且水面的气压应降至 或更低 真空中断前不

29、必排水或将试样从水中取出方法除非有关详细规范另有规定外 液体应保持 的温度 浸入时间应为后晶体元件应从试验箱中取出 并暴露于 中 规定的控制恢复条件下本试验期间应无来自晶体元件内部气体或空气排出 形成连续气泡的现象应为泄漏细检漏试验本试验应按 试验 中方法 的 进行 除非详细规范另有规定 压力容器的压力应为除非详细规范另有规定最大漏气率不应超过 的规定值真空晶体元件的真空度试验仅对玻璃壳型晶体元件真空度应采用取自泰斯拉线圈的不超过 的峰值电压进行检查为避免损坏晶体元件 试验电极的施加点应尽可能远离晶体振子和其引出端 为便于观察产生的放电现象 试验应在半暗情况下进行 晶体盒内不应有飞弧现象 在有

30、均匀的放电发生之处 应出现浅兰色光注 本试验应在尽可能短的时间内完成因为本试验可能造成被试晶体元件标称频率改变锡焊 可焊性和耐焊接热 破坏性的可焊性本试验应按 试验 的方法 进行 为防止元件受到焊槽直接辐射热的影响 应采用绝热材料屏蔽板 除非详细规范另有规定 屏蔽板应便于引出端浸入焊液至元件本体 处 应检查引出端以引出端湿润焊料的自由流动来说明包锡良好耐焊接热本试验应按 试验 方法 进行 除非详细规范另有规定浸渍时间应为应采用绝热材料屏蔽板以防止焊槽内直接辐射加热元件 除非详细规范另有规定 屏蔽板应便于引出端浸入焊液到元件本体 处快速温度变化 两箱法 非破坏性的本试验应按 试验 进行 元件应承

31、受一次循环即从 经 后直接降至保持规定转换时间的快速温度变化 非破坏性的本试验应按 试验 进行对非温控晶体元件试验箱的低温和高温应是详细规范规定的工作温度范围两个极限温度 对温控晶体元件低温和高温应分别是 和除非详细规范另有规定晶体元件应在每个极限温度保温晶体元件应承受 次完整温度循环 然后暴露在标准大气条件至少恢复碰撞 破坏性的本试验应按 试验 进行 晶体元件应用夹具夹持本体固定 要施加碰撞的三个相互垂直的轴向包括与引出端平行的轴向与晶片安装构件垂直的轴向除非详细规范另有规定严酷度应按 规定振动破坏性的振动正弦本试验应按 试验 进行 晶体元件应用夹具夹持本体固定 要施加振动的三个相互垂直的轴

32、向包括与引出端平行的轴向与晶片安装构件垂直的轴向严酷度应按详细规范规定随机振动在考虑中冲击 破坏性的本试验应按 试验 进行 晶体元件应用夹具夹持本体固定 要施加冲击的三个相互垂直的轴向包括与引出端平行的轴向与晶片安装构件垂直的轴向除非详细规范另有规定严酷度应按 规定自由跌落破坏性的本试验应按 试验 的程序 进行 除非详细规范另有规定应借助于引出端将晶体元件悬挂于 高处跌落两次稳态加速度 非破坏性的本试验应按 试验 进行 晶体元件应用夹具夹持本体固定 试验程序和严酷度应按详细规范规定到一定的严酷度时 本试验可以认为是破坏性的干燥 非破坏性的本试验应按 试验 进行 试验应在规定的气候类别上限温度进

33、行 持续时间为循环湿热破坏性的本试验应按 试验 类型 进行 采用严酷度 次循环寒冷 非破坏性的本试验应在规定气候类别下限温度按 试验 进行持续时间为气候顺序破坏性的试验和测量应按下述顺序进行干热见循环湿热见 仅第一次循环寒冷见循环湿热见 其余的次循环在气候顺序中允许任何试验之间有不超过 的间隔但循环湿热第一次循环 和寒冷试验之间除外在这种情况下在规定的循环湿热恢复周期后应立即转入寒冷试验稳态湿热破坏性的除非详细规范另有规定本试验应按 试验 进行在清洗液中浸渍 破坏性的本试验只适用于外表面标志为了验证标志的耐久性 本试验应按 试验 的方法 进行 详细规范应规定所采用的溶剂标志应清晰耐久性试验程序

34、老化 非破坏性的晶体元件应在 非振荡条件下连续存放 频率和谐振电阻的测量时间间隔应不超过一周 频率和谐振电阻的初始测量应在第一个 结束时进行 最后测量在 试验结束时进行初始老化测量温度与后续试验测量温度之差应不超过 激励电平应按详细规范规定 除在下应进行测量外 其余测量应按 规定进行最高频率与最低频率测量值之差应不超过规定值谐振电阻应不超过详细规范规定值测量系统频率再现准确度应为 或允许老化的 但取其较小者扩展老化非破坏性的除连续周期应按详细规范规定为 或 外本试验应按 进行 本试验只被用作资料用除应在 或任何其他规定的基准温度下测量外 其余测量应按 规定进行注 进行这些试验只是为了提供信息 用于这些试验的晶体元件不应提供给任何用户