SJ 20642.6-1998 半导体光电模块GH83型光耦合器详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5980 创2侃42/618半导体光电模块GH83型光藕合器详细规范semiIndUC伽Irop伽Iectronicml创由De创l叩创ftcatiODfor type GH830p伽muplers1998-11发布1998 -05幡01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 范阁1.1 主题内容半导体光电模块GH83型光锅台器详细规范阳时倒tductoropt嗣k比例时cmodule E刷l叩创如翩翩fortype GI四1。p阳明叩，lers本规范规定了GH83型光梢合器(以下简称产品)的详细要求。1.2适用范围本规拖适

2、用于产品的研制、生产和采购。2 Im文件GB 4587制双极型晶体管测试方法GB 11499 -89半睁体分立器件文字符号GJB 15086军用设备环境试验方法GJB 179 -86计数抽样程序及我B 360- 87 电子及电气元件试验方法GJB 548 -88微电子器件试验方法和程序SJ 221582半导体光祸合器测试方法SJ 21侃42一叨半导体光电模块总规范3要求3.1 详细要求产品的要求应符合SJ2侃42和本规范的规定。3.2 设计、外形结构和尺寸中华人民共和国电子工业部1998咱-11发布时2佣4216-19拥1998叩05血01实施SJ2刷凶2旷6币1师83.2.1 产品的设计应满

3、足本规施对性能指标和技术图纸的规定。3.2.2外形结构为陶黯金属封袋，尺寸应符合图l的规定。蜘，尺寸符将A AI bl C e el 最小债4 0.51 0.35 0.20 如-公称值- -四叩2.54 7.62 最大值5.1 0.59 0.36 叩D C e I e 因l外形尺寸3.2.3 电路图见图203.2.4引出端排列应符合图3的规定。5 4 1. 2 3 L 3.5 5.0 el 阁2电路即因3引出端排列3.3外观质最D Z - -半10.16 1.妇C 产品的外表因应平?在光沛.X毛剌、划伤、裂痕等影响寿命、使用或外观的缺陷。3.4 材料和元器件产品所使用的材料和元器件是按军用标准

4、或有关规定检验的合格品。时刻刷，21，1唰3.5 制造要求产品的制造应按有关工艺文件的规定执行。3.6标志要求产品应有下列标志:型号、制造厂(所)标志，批识别代码。3.7最大额定值、主要光电特性和测试要求3.7.1 最大额定值应符合表1的规定。表l项目符号数值工作环境温度TA -55阳100贮存温度TSI - 55 -125 隔离电压1)V10 2(XX) 红外发射二极管:反向电压VR 5 正向电流2)lF 40 光敏晶体管:集电极由发射极电压V:0 50 集电极电流lc 30 总辑散功率3)Ptot 75 注:1)朋运到%，t = 1mino 2)几嚣m制1时，按0.6mA1t钱性降额。3)

5、凡坦35-1时，按1.伽lW/t线性降额。3.7.2 主要光电特性和测试要求应符合表2的规定。表2测试条件特性符号测试方法除非另有规定，几昂25C躏合器特性:隔离电阳RIO SJ 2215.13 V盼坦5v隔离电睿CIO SJ 2215.12 f= 1MHz, V=。电流传输比cm SJ 2215.10 V=10V，IF口1仙nA上升时间tr 坷2215.11lFP=2仇nA，RL= 5创1下降时间tf f= lkJ毡，D: 1110 红外发射二极管输入特性:反向电流lR SJ 2215.4 VR=5V 正向电压VF SJ 2215.2 lF= lOmA 光敏晶体管输出特性:集电极且发射lrm

6、 白2215.9V= lOV. lF=O 极截止电流集电极响发射V(唰)SJ 2215.8 lr;: lOmA, lc = 1.仙nA极饱和电压集电极刷发射V(BR)CEO 白2215.7极击穿电压单位电:吧v V mA V mA mW 极限值单位最小最大1010 。叫3 pF 1% 甲由5 ns 甲5 ns 白1.0 A 1. 3 V l nA 0.2 V 50 V 一3一SJ2制42/6-19984 质最保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验应符合512创始2和本规疏的规定。4.2 筛选在提交鉴定检验和质最一致性检验前，产品应按5J:2刷2和本规范表3进行筛选检验。不符合要求的产品应剔出。剔

7、出的产品不能作为合格品交货。表3序号试瞌项目GJB548 方除条件内部自检2017 2 稳定性烘蜡1)8 Tstg= 125吧，t百1创h3 温度循环1010 低翻白55吃，商榄1t，10次循环4 机械冲击2n 加速度147脚叫，脉冲宽度0.5ms5 粒子碰撞噪声检测(附D)(适用时)2归。B TA = 1吧，Ir =O , V1=40V，烹少48h。在规6 高温反偏定的高温试验时间的终了，应降低环境温度，保持产品上的试验电压直到TA=30士5t，然后7 光电测试IR、VF、Icro、Vc颐瞄)、n应符合表2，测试方法及条件问表18 电老炼15 几=25士3吧，t = 96h，其余见4.2.1

8、L:./R = 1.0IVD或O.俐，取较大值iL:. VF=0.2阳9 终点光电酬试1)L:. /cro = 1.0IVD或州，取较大值;L:. V，(皿)=0.2阳;L:.CTR=0.2阳测试方法及条件问7密封1014 10 a.细检漏A b.粗检漏C 11 外部目检2仅涉见3.3一1)构成一种典型失般的PDA不允许跑过10%，沓则拒收该批。剔除跑过极限值的产品。4.2.1 电老炼- 4 :t;炼电路如阁4所示。J: -咽时加642/6唰1州唱. 啕. R P1=75土SmW电老炼:IF=4伽吭，稳态寿命:IF = 20rnA 阁4电老炼和稳态寿命试验电路4.3 鉴定检验鉴定检验应包括表4

9、、表5、我6和表7中规定的检验。4.4 质戴一致性检验质最一致性检验应包括逐批进行的A姐、日细检验和周期进行的C组、D组检验。在C组、D组检验合格的周期内，A组、日组检验均合格的批可以交货。4.4.1 A组检验每个检验批均应按我4的规定进行检验。4.4.2 B组检验每个检验批均应按表5的规定进行检验。4.4.3 C细检验C细检瞌应按臼2刷2的4.12.3条和本规范表6的规定进行。4.4.4 D组检验D组检验应按臼2俑42的4.12.4条和本规范表7的规定进行。4.5检验和试磁方法检验和试验方法成符合本规施表4、表5、表6和表7的规定。4.5.1 隔离电压的试验在进行A2分组检段时，应先进行商温

10、隔离电压试验，再进行高温测试。高温隔离电压试验应将红外发射二极管的iE负极(l、2)短路迎接;光敏晶体管的集电极和发射极(4、5)短路连接的条件下进行。将样品分成两个数囊相等的组，其中一姐样品红外发射二级管接VIO的阳极，光敏晶体管接V10的阴极;另一组样品红外发射二极管接V10的阴级，光敏晶体管接V10的阳极o试验条件:TA = 1t， V10 = 320V , t = 24ho 4.5.2 红外发射二银管性能测试本试验应tE输出端光敏晶体管开路条件下进行。4.5.3 光敏晶体管性能测试一5一SJ到嗣2/1998本试验E旨在输入端红外发射二极管开路的条件下进行04.5.4 隔离电阻、隔离电窑

11、的测试本试验应在输入端1、2和输出端4、5分别短路边接的条件下进行。表4A组检验分组试验项目试验方法条件失效判据常温测试TA =25吧跑过表2极特性项目网表2测试条件问我2限值为失效高温测试GJBl50.3 T啕=125t，贮存24hTA = 1吃，加电lh2 IF = 1伽吭，Vcc嚣lOVIc 测试条件间我21A R 翻试条件同表2HXX)A 低温测试GJBI50.4 Ts惚Z叩55t.贮存24hTA = -55吧，加电lh.3 Ir= 1臼nA，Vcc= lOV ClR 测试条件间表21.6V 法:1)见GJBl790表5日细检验GJB 548 分组试验项目方法条件物理尺寸2016 2

12、PIND(适用时)2020 B 3 抗搭性1)2015 梅荆a4 内部自检及机械检验2)2014 5 键合强度3)2011 6 芯片剪切强度2)2019 7 可焊性23 密量才5)1014 8 细检漏A 粗检漏C 注:1)可用同一检验批中电特性不合格品。2)见臼灿灿的4.12.2条。3)此样本大小1(失娟敝)为引线数，试验平均分配各种线径引线。4)此样本大小I(失放数)为引出端子散，至少检翰2个样品。抽样要求1)IL AQL E 1.0 E 1.0 H 1. 0 一样本大小/(失效数)2/(0) 5/(0) 21(0) 2/0 151(0)3) 2/(0) 15/(0)4) 1510 5)在筛

13、选时，如在终点光咆测试和外部目检之间进行了l)%密封筛选，因分组可不要求。若样品数最不足15只，则l%检验。一6一圳一验，二峨山一如GJB 548 样本大小/分组试验项目失放判据(失放数)方法条件外部目检茧灿51 (0) 翻度循环1010 低温甲55吧，离祖l(:10次铺环机械冲击2002 加班度147惦I时，脉冲宽度0.5ms密封1014 细检漏A 租检漏C 目检10103.1 , 3.2 终点光电测试Icro 划2215.9V坦IOV，lF=O 1nA 口RSJ 2215.10 Vcc=lOV，ly=1nA 0.2V lR 臼2215.4VR=5V 1.0A 稳寿命试瞌lC阳TA=挡土3吧

14、，t = 1000h 51 (0) 其余见4.2.12 终点光电测试Icro V= lOV, lr=O 2nA SJ 2215.9 划2215.1080% R V= lOV, lF= 1仇nA帽-我7D组检验。GJB 548 序号试验项目样本大小1(失放数)方法条件热冲击1011 A, 15次3/(0) 2 稳定性烘蜡l)8 125吧，lh 3 引线牢固性京剧A 嘴封1014 4 I细检漏iA |粗检漏I I c : 1) D组试验可用间一检验批中光电参数不合格的产品。5 货准备5.1 包装要求包装要求应符合512伽2中5.1条的要求。5.2 贮存要求贮存要求应符合SJ2侃42中5.2条的要求

15、。7 创到刷2/6-19985.3 运输要求运输要求应符合SJ202中5.3条的要求。6 说明事项6.1 预定用途符合本规施的产品主要用于各种舰艇的声纳系统。也可用于电子计算机输入、输出接口，不同电位回路问信号传递以及各种控制器中。6.2 订货文件内容合同或订单中应注明下列订货文件内容:a.产品的型号、名称;b.本规范的编号和发布日期;C.应提供的试验数据;d.订货数最;e.其它。6.3定义6.3.1 符号符号应符合GB11499和本规拖下列规定。6.3.1.1 II岱单个产品的初始值;6.3.1.2 CTR 咆流传输比的静态值;6.3.1.3 RIO 隔离电阻;6.3.1.4 CIO 隔离电容;附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第四十四研究所负资起草。本规范主要起草人:王丽苏、李应辉。计划项目代号:B 51041 0 一8一