SJ 20642.5-1998 半导体光电模块GH82型光耦合器详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL5 町2侃4215-1998半导体光电模块GH82型光藕合器详细规范semiInductor OP伽lectronicmodule 胁跑叩创ficationfor type GH820pmuplers 103 -11发布18-05翩01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准1 结固1.1 主题内容半导体光电模块GH82型光锅台器详细规范加回lducIroptoel悦tronicmodule Detail叩创画tionfor type GH82 叩啪couplers本规范规定了GH82型光榈合器(以下简称产品)的详细要求。1.2适

2、用范围本规范适用于产品的研制、生产和采购。2 引用文件GB 3431. 1 -82半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB 343982半导体集成电路1TL电路测试方法的荔本原理GB 11499 -89半导体分立器件文字符号B 150 86 军用设备环境试验方法日17986计数抽样程序及表GJB 3-87 电子及电气元件试验方法B548-88 微电子器件试验方法和程序SJ 2215 -82半导体光搁合器测试方法SJ 2;侃42-97半导体光电模块总规?在3 要求3.1 详细要求产品的要求应符合SJ2附和本规范的规定口中华人民共和国咆子工业部199803叩11发将SJ 2制21卜19佣1998叩

3、阳市01实跑时刻刷2/卜19983.2设计、外形结构和尺寸3.2.1 产品的设计应满足本规范对性能指标和技术图纸的规定。3.2.2外形结构为陶资金属封蝶，尺寸应符合困l的规定。D u 、可吨.J 叩嘟fH睛一C。e e el 尺寸符号A AI bl C e el L D Z 最小值 0.51 0.35 0.20 叫3.5 E 公称值 -叫2.54 7.62 也响-最大值5.5 0.59 0.36 -m 5.0 10.16 1. 27 因l外形尺寸3.2.3 电路阁见回203.2.4 引出端排列应符合图3的规定。2 -晴7 1汇+、，E、1 3 l组2电路图因3引出端排列俨、一一创划刷，2/卜1

4、9983.3外观质量产品的外表面应平整光洁，无毛刺、划伤、裂痕等影响寿命、使用或外观的缺陷。3.4 材料和元器件产品所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验的合格品。3.5 制造要求产品的制造应按有关工艺文件的规定执行。3.6 标志要增产品应有下列标志:型号、制造厂(所)标志，批识别代码。3.7 最大顿地值、主要光电特性和测试要求3.7.1 最大额定值应符合表1的规定。项目工作环境温度贮存温度隔离电l)红外发射二极管:反向电压正向电流2)集成电路:电源电3)输出电压输出电流选i撞端输入高电.ijZ电压选遇端输入低电平电压总艳散功率注:1)此H运50%，t = lmino 2) TA笛5O

5、1时，按O.6mA1C线性降额。3)时间不越过lmin表l符号TA TS!电V,o VR y V Vo Vo VEH VEL PIV1010 呻。隔离电睿C 日2215.121=1栅!Z，V = 0 - 5 pF 硝合摆开关特性:上升时间t , 臼2215.11IFP=IOmA, RL=3。叫50 ns 下降时间tr 1=1阳!Z，D: 111 , V，=5V - 20 ns 传输延退时间tM GB 3439 3.4 IFP= 1伽础，RL=3n -2 ns IIIL GB 3439 3.5 CL= 15庐，1=1阳!z由2 ns D: lIl, V，=5V 选通端传输跟迟tEIJI 附录AA

6、3IFP盟1仇nA，RL=3。-30 ns 时间tElL 附最AA3CL= 15pF, 1= 1MHz - 30 ns D: 1I1, VEH=3.0V VEL = 0.5V , Vcc = 5V a 红外发射工极管输入特性:反向电流1ft 句2215.4VR=5V m 1.0 PA iE向电ffiVF SJ 2215.2 lr= 1仇nA1.5 V 集成电路输出特性输出截止态电流10(椭1GB 3439 2.22 Vc盯=5.5V，Vo=5.5V 由l PA lr=挡。闷，VE=2.0V 输出电流10 附录AA4Vc= 5.5V, VE=2.0V 12 mA IF=lOmA, RL=3。输出

7、高电平电压V4 GB 3439 2.2 Vcc=4.75V , Iy= 1伽nA2.4 帽V VE=0.5V 输出低电平电压VOL GB 3439 2.5 Vcc=5.5V , 1.，嚣10mA- 0.6 V VE = 2.0V , lOL且4mA选通端商咆平电流IEH 附录AAl V=5.5V， VE=2.0V - mA 逃通端低电平电流IEL 附录AA2V=5.5V， VE=0.5V 币2mA 高电平电源电流I GB 3439 2.26 V= 5.5V , VE = 0.5V 5 mA IF=O 低电平电晦电流I:L GB 3439 27 Vcc=5.5V, VE=O.5V -5 mA l

8、r= 1nA 单位川Jmvvv最大值mN5QAPW协521OLl 最小值4J hHVOBAHV44 4丛寸T|斗|lil-llA符号EHlHr zrrFHfuraU F,IVVVVVV 3.8 推荐工作条件和真值表3.8.1 推荐工作条件如下:特性项目低电平时正向电流离电平时正向电流选通端低电平电压选通端商电平电压电游、电压一4一时刻642/5唰1侧3.8.2 真值褒如下:输入(V刷)她通(VE) 输出(VO) 日日L L 日H 日L H L L H 4质量保证规定4.1 抽样和检跄抽样和检验应符合SJ2侃42和本规施的规定。4.2筛选在提交鉴定检验和质最一致性检验前，产品应按SJ2创始2和本

9、规范表3进行筛选检验。不符合要求的产品应剔出。剔出的产品不能作为合格品交货。表3GJB548 愕号试验项目方法条件内部目检2017 2 稳定性烘蜡l(脱Ts飞g= 125C, t = 168h 3 温度循环1010 低温-55C，商温I吃，10次循环4 机械冲击2n 加速度1471仙n/!?-，脉冲宽度0.5阳5 粒子碰撞雌声检测2归。日(PIND) (适用时)6 光电测试红外发射二级智利集成电路特性应符合表2，测试方法及条件间表27 电老炼15 几=25土3吧，t = 96h，其余见4.2.18 终点光电涮试。除L:.IR= 1.0IVD或0.5件，取较大值;L:. IO( OFF) = 1

10、.0IVD或IVD+50件，取较大值外，其余参数的相对变化最为O.IIVD密封1014 9 a.细检漏A b.粗检漏C 10 外部自检2(盼见3.3注:1)构成一种典型失娥的PDA不允许翻过10%，否则拒收该批。剔除相过极限慎的产品。4.2.1 电老炼老炼电路如因4所示。4.3 鉴定检验鉴定检验应包括表4、表5、表6和表?中规定的检验。4.4 质量一致性检验一5一时刻嗣2/卜19锦Vcc= 15V, f= lkl旬，D: 1I1, RL嚣1.3kn电老炼:IF=仙时，稳寿命:IF=却mA阁4电老炼和稳态窍命试验电路几引1质量一致性检验应包括逐批进行的A姐、日组检验和周期进行的C组、D组检验。在

11、C组、D组检验合格的周期内，A组、B组检验均合格的批可以交货。4.4.1 A组检验每个检验批均应按我4的规定进行检验。4.4.2 B组检验每个检验批均应按表5的规定进行检验。4.4 .3 C组检验C组检验应按臼2创42的4.12.3条和本规帧6的规定进行。4.4.4 D组检验。组检瞌应按SJ2俑42的4.12.4条和本规范表7的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应符合本规拖表4、表5、我6和表7的规定。4.5.1 隔离电压的试验在进行A2分组检验时，应先进行高温隔离电压试验，再进行高温测试。高温隔离电压试验应将红外发射二极臂的正负极(2、3)短路连接;集成电路(5、6、7、8)短路

12、边接的条件下进行。将样品分成两个数量相等的组，其中一组样品红外发射二级管接VIO的阳极，集成电路接V)O的阴极;另组样品红外发射二极管接VIO的阴级，集成电路接V)O的阳极。试验条件:TA = 1吃，VIO = 4OOV, t = 24ho 4.5.2 红外发射二级管性能测试本试验应在集成电路输出开路的条件下进行。4.5.3 集成电路性能测试本试验应在红外发射二极管输入开路的条件下进行。4.2 .4 隔离电阻、隔离电容的测试时刻仰/5-1唰本试验应在输入端2、3和输出端5，6、7、8分别短路连接的条件下进行。表4A组检验分组试验项目试验方法条件失效州据抽样要求1)肌AQL 常温测试TA=25吃

13、粗过表2级日特性项目间表2限值为失娘1.0 测试条件间表2高温测试GJB 150.3 Ts地=1坦吧，贮存24hTA嚣lt.加咆lhH 1.0 2 Ir= 1州Vcc = 15V 1P.A IR 测试条件同表2超过表2极集成电路输出测试条件间表2限值为失嗷特性项目间表2低翻测试GJB 150.4 Ts愣=-55t.贮存24hTA=由552.4V Vr 测试条件间表2跑过表2极集成电路输出测试条件同表2限值为失效特性项目同表2注:1)见GJB1790 我5日组检验分组试验项目GJB 548 样本大小/方法条件(失效数)物理尺寸2016 2/ (0) 2 阴阳(适用时)2侃。B 5/ (0) 3

14、抗溶性。2015 南剂a2/ (0) 4 内部目检及机械检验2)2014 2/0 5 键合强度2)2011 15/ (0)3) 6 芯片剪切强度2)2019 2/ (0) 7 可焊性23 15/ (0)4) 髓封S)1014 15/0 8 细检漏A 粗检漏C 注:1)可用同一检验批中电特性不合格品。2)见Sj2刷2的4.12.2条。3)此样本大小/(失嗷数)为引线数，试验平均分配各种线径引线。4)此样本大小/(失放数)为引出端子数，至少检验2个样品。5)在筛选时，如在终点光电测试和外部自检之间进行了1000毛密封筛选，日8分组可不要求者样品数敢不足15只，则l%检验。一7一卿一验，二峨山一扣G

15、JB 548 样本大小/分组试验明自失效判据(失效数)方法条件外部自检立即5/(0) 温度循环1010 低掘申55吃，高温1t:lO次循环机械冲击立脱加速度147m;，脉冲宽度0.5ms暗封1014 细检漏A 租检漏c 目检10103.1 ,3.2 终点光电测试同褒2间表2集成电路输出趟过表2特性问我2极限值为为失效稳态寿命试验1(邸TA=25:!:3t:下1删h，其余见4.2.15/(0) 2 终点光电测试间表2间表2集成电路输出超过表2特性间表2极限值为失姓表7D组舱验1)GJB548 序号试验明目样本大小I(失效数)方法条件她冲击1011 A，15次3/(0) 2 稳定性烘蜡18 125

16、吃，lh3 引绒牢固性2)4 A 榄封1014 4 细检漏A 租检漏C 性:1)D组试瞌可用同一检验批中光电参数不合格的产品。5 交货准备5.1 包接要求包装要求应符合们刷忡5.1条的要求。5.2 贮存要求贮存要求应符合SJ2侃42中5.2条的要求05.3运输要求问2刷2/5叫1998远输要求T.i!l符合SJ20:凶2中5.3条的要求。6 说明事项6.1 预定用途符合本规范的产品可用于计算机中作倍号隔离使用，也可用于接口电路、天线转移开关等电路中。6.2 订货文件内容合同或订单中应改意下列订货文件内容:a.产品的型号、名称:b.本规范的编号和发布日期;C.应提供的试验数据;d.订货数量;e.

17、其它。6.3定义6.3.1 符号符号应符合GB114仰和本规范下列规定。6.3. 1. 1 lVD单个产品的初始值;6.3.1.2 R10隔离电阻;6.3.1.3 C10隔离电容;6.3. 1. 4 IEH选通端输入高电平电流;6.3.1.5 I肌逃涌端输入低电平电流;6.3.1.6 tELH滔滔端输出由低电平到高电1f-传输延迟时间;6.3. 1. 7 tEHL逃通端输出由商电平到低电平传输延迟时间;6.3.1.8 IEL低电平时.iE向时电流;6.3.1.9 IFH高电平时正向时电流。9 SJ刻刷2/.卜1998附录A测试方法的基本原理(补充件)A1 选通端输入高电平电流IEHA1.1 日

18、的在规定条件下，测试选通端输入商电平时的电流。A1.2 电路图见回Alo因AlA1.3测试步骤选通端加上规定的高电平，从电流表上读出的数值即为IEHoA1.4规定条件电E京电压Vcc逃通端电压VEA2 选通端输入低电平电流I也A2 .1 目的在规定条件下，测试选通端输入低电平时的电流IELA2 .2 电路即见图A20一l。一飞飞、-. 因A2( vm V川时刻刷，2/5-1998A2 .3 测试步骤选通端加上规定的低电平，从电流表上读出的电流即为hLOA2 .4 规定条件电源电服Vcc选通端电压VE3输出由低电平到高电平选通端传输延迟时间tE山，输出由高电平到低电平选通端传输延迟时间tE瓜。3

19、 .1 目的在规定条件下，测试选涌端传端延迟时间tEI1ltEHLo 3 .2 电路阁见图A3PEU V叫因A33 .3 测试步骤a.脉冲发生器输出频事为f、电事为规定值的脉冲到选通端;b.在示披器上读出输入脉冲由高电平到低电平(或低电平到高电平)的边沿和对应的输出脉冲边治上两规定的参考电平间的时间延迟，即为tEHl.tElllo被形如下:Jii;i且lM输入脉11因A411一A3 .4 规定条件输入电流IF负载电阻RL脉冲频事f;和脉冲电平hM输出电流10A4 .1 目的时刻刷.2/19佣在规定条件下，测试光梢合器输出为低电平时，最大输出电流。A4 .2 测试电路阁见图A50A4.3测试步骤光柑1I、hw 揣图A5a.输入端施加规定的电流，使输出端为低电耶;b.读出输出端电流表的值，即为输出电流100A4 .4 规定条件正向电流IF电源电vcc 选通端电压VE负载电阻RL附加说明:本规范由中回电子技术标准化研究所归口。本规范白电子工业部第四十四研究所负责起草。本规范主要起草人:王两苏、李成辉。计划项目代号:B 510400 一口一-.