SJ 20642.3-1998 半导体光电模块GD83型PIN-FET光接收模块详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准町，“2侃42/31998半导体光电模块GD83型目N-FET光接收模块详细规范Semiconductor 01胁时electronicm伽leDetail叩创ficationfor type GD83 PIN - FET opto-m创vermodule 199嗣11发布1998”05-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和固电子行业军用标准半导体光电模块GD83B型PIN叩FET光接收模块详细规范制时con由ctoropto - electronic module I沁刷specifi侃tion for守peGD83 PIN - FET op

2、阳receiver module 1 范围1.1 主题内容本规范规定了GD83-B型PIN-EE1、光接收模块的详细要求。1.2适用范围创2侃42/3一1998本规范适用于GD83呻日型PIN叩阳r光接收模块（以下简称模块）的研制，生产和采购。按SJ2刷2半导体光电模块总规范1.1条的规定，提供的质盘保证等级为M1和M2二级。1.3绝对最大额定值绝对最大额定值如下：数值项目符号单位最小最大贮存温度Ts惊呻4085 ：耗散功率P101 - 0.2 w 正电源电压Vool 帽5.5 v 负电掘电压Voo2 精5.7 v 1.4 推荐工作条件推荐工作条件如下：规班值项目符号单位最小最大工作环境温度T

3、A -25 70 正电掘电吁：Vool 4.75 5.25 v 负电掘电压Vnn2 明4.95-5.45 v 工作搜长i 1.29 1.33 问n中华人民共和国电子工业部1998响。3叩门发布1998叩05-01实施. “2侃42/3-1侧2 引用文件GJB 128-86半导体分立器件试脆方法GJB 150 86 军用设备环境试验方法GJB 17986计数抽样程序及表GJB 548- 88 微电子器件试验方法和程序GJB 915佣纤维光学试验方法SJ 20642-97半导体光电模块规范3要求3.1 详细要求各项要求成按SJ2侃42和本规范的规定。3.2设计、外形结构和尺寸3.2.1 设计模块的

4、设计应满足性能指标和技术图纸的规定。3.2.2外形铺掏和尺寸模块的外形结掬和尺寸应符合阁l的规定。、D1 羊毛D D1 D2 E A L 数值最小500 4 公称(mm) 最大却.816 12.8 5.7 i e 2.54 图l外形尺寸3.2.3质最（蠢蠢） ei z b c d 7.6 3.0 0.55 10.5 5.0 即刻嗣2/3-1师8模块的质量最大30g3.2.4 引出端排列引Hi端排列应符合剧2的规定。Vr1112 I l vm 阁中引出靶，4接Voo2;10接V001;7输出仆，5,8接地其它是空脚。阁2引出端排列罔3.2.5 电路图电路因应符合随3的规定。1 +Sv out 叫

5、5.2v -5. 2v 3.3外观质最模块的外表面应平整光洁、；吃毛刺、凹痕、划伤等影响海命、使用或外观的缺陷。3.4 材料和元器件模块所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验合格的产品。3.5 制造要求模块的制造按有关工艺文件的规定执行。3.6标志要求模块应有下列标志：型号，承制方标志。3.7 光电性能及测试要求光电性能及测试赘求应符合表1的规定。回3电路图一3 咿一参数称符号测试方法颇率响应Bw 本规施附录A带宽响应度Re 本规范附录E噪声电ffiVn ( r) 本规拖附最E有放值功态拖围Dr 本规拖附录I4 质量保证规定4.1 抽样和检验制刷42/3-1唰表l光电性能条件除非另有规

6、定TA=25吧V001=5V Voo2=-5.2V 田lW A= 1.3lm Vool嚣5VTA口25Voo2甲5.2可m= lW t呻ll册b12 ). = 1.3lm TA=70, -25 Vool = 5V Voo2帽5.2VV001=5V V0o2 = 5.2V A= l.31m i码创2；NR2，码BER= 10 “ 9 抽样和检验庇符合SJ2刷2和本规疏的规定。4.2师选规范值单位最小最大45 MHz 7.0x Hf w 飞j飞45.0xH.f 时500 V 16 叩dB 在提交鉴定检验和质最致性检验前，产品应按臼2侃的和本规范表2，表3进行筛选检验。不符合要求的产品店剔除。剔除的

7、产品不能作为合格产品交货。表2筛选要求ff号试验试验方法条件要求GJB 548 M2 Ml 密封前者化1030 不适用不适用2 非破坏性键合拉力2出3l(X)q毛不适用3 内部目枪2017 100% 100% 4 稳定性棋烤1（削85，2h 100% 100% 5 温度循环1010 叩40阳85，lOtX循环100% 100% 6 机假械定加冲i击草或皮2(脱A 100% 100% 2001 7 粒（阴子ND碰）撒噪声检测2020 B 100% 不适用8 光电测试本规范附放日Re符合表1100% 100% 9 老炼1005 TA= 70，96h, V001 盯l仪）%1以）%Voo2= -5.

8、2V 10 最终光电测试本规植附录自表4Al分组及A参数100% 100% II 密封粗检漏方GJB法128 1071 。，乙二醉随度降至85100% 100% 12 X射线照相2012 IY方向100% 不适用13 外邵阳检2仪渺100% 100% 4 回到刷.2/3一1唰4.2.1 老炼试验除者炼试验条件应符合表2的规定外，者炼线路应符合阁4的规定。HJhm dn vht 凡，J因4咆老炼和工作寿命试验线路阻4.2.2 4极限值4极限值应符合表3规定。表3A极限值符号变化最tl&!Re 却%注：跑过规榄值的棉件应剔除4.3鉴定检验为了进行鉴定检验，模块应进行筛选（见4.2条），并按表4、5

9、,6、7规定的A、日、C、D级检验。4.4质最一致性检验质量致性检验应按臼加42和本规范的规定。质最一致性检验包括选批进行的A组、日组检验和周期检验的C组、D细检验。在C组、D组检验合格的周期内，A组、日组检验均合格的挝可以交货。4.4.1 A组检验每个检验批均应按表4的规定进行检验。4.4.2 8姐检验每个检验批均应按表5的规定进行检验。4.4.3 C组检验C组检验应按SJ2创始2的4.12.3条和本规帧6的规定进行。4.4.4 D组检验D组检验成按臼2侃42的4.12.4条和本规施表7的规定进行。4.4.5重新提交的批应按SJ2侃42的4.7条的规定进行。一5一分组试验试验方法常温测试见表

10、12 高温测试GJB 150.3 4.2 3 低植测试GJB 150.4 4.2 搁一4表制侧一验一一榄条件几出2S吧，光电性能符合表lViDl口5VVooZ叩5.2VTA需70加电lh，h符合表1Vool = +5V 电Vfii-5.2V TA古时2S加Re符合表l抽样要或I)乱AQL II 1.0 II 1.0 II 1.0 注：1）见GJB179 表58组捡验分等敬GJB 548 组试验”（。）M2 Ml 方法条件x x 物理尺寸2016 2 (0) 2 x PIND 2020 B 5 (0) 3 x x 抗榕性I)2015 溶剂a2 (0) 4 x x 内部目检及到机械检脆2014 2

11、 (0) 5 x x 键俞强度2)2011 D; F自30mN15 (0)3) 6 x x 芯片剪切强度2)2019 2 (0) 7 x x 可悍性。2003 245士5，10s15 (0)4 8 x 精封5）粗检漏方GJB法1D 15 (0) 能：I)可用问一检验批中电特性不合格品。2）见日京剧2的4.12.203）此样本大小（接收数）为引钱数。试验应平均分配各种钱径的引线烹少检验两个样品。4）此样本大小（接收撒）为引出端子数，3在少检验工个样品。5）如在最终电试验和外部自坡之间进行了100%密挝筛选IB8分组可不要求，若样品数不足15只，则100%检验。粗检漏乙二醇温度降茧85。一6一分等

12、敬组M2 Ml x x x x x x x x x x x x x x x 3 x x x x 试验外部自撒温度循环帽机械苦苦恼冲击硫或111 路纤、缆张力负荷密封I）翻检漏X射线照相目峨终点光电测试稳态寿命试瞌终点光电测试时刻刷2/3-B附表6c细检验方法2(朋1010 脱I 方G法:JB 915 3010 贺G路:JB 128 1071 2012 1010 2条3.1. 3 附录B1(阳本规拖附录8ti: 1）粗检漏乙：二醇温度可降至邸。表70组检验。? 等级组试验阳Ml 方法x x 热冲击1011 2 x 稳定性烘炜1（削3 x x 引线牢固性2)4 4 x x 带封.2）粗检漏并GJ泱

13、B1 性：1)D组检瞌可用间一幢瞌批中电参散不合格的器件。2）租检漏乙二醇撒度可降至自吧。5 3l货准备5.1 包装要求包装要求应符合SJ2刷2第5.1的要求。5.2 贮存要求贮存要求应符合SJ2刷2第5.2条的要求05.3运输要求运输要求应符合川嗣2第5.3条的耍求。GJB 548 n (c) 条件5 (0) -40 85吧，107.XA F=3N t =Smin D Y方向h符合我l最高工作土3掘吃度下或1 Tc=70X)h 5 (0) Vool出SvVoo2 = - 5.2v Re符合表4.1参数GJB 548 n (c) 条件。85吧，15?X 3 (0) 85，lh 3 (0) Bi

14、 3 (0) D 3 (0) ? 6说明事项6.1 订货文件内容订货文件应规定以下内睿：a.模块的型号、名称；b.详细规租的编号和发布日期；c.结构要求；d.订货数量；e.其它有关要求和特殊要求。一8一时2Q642/3-1姗A1 测试阔的时刻刷2/3-19)8 附录A光搬收模块频事晌应带珑的测量（补充件）在规定的条件下，测量光接收模块的频率响应带览。A2. 术烧和符号频率响应带宽Bw：光接收模块牺频特性曲线下降3dB所对应的频率宽度。单位为MHzoA3测试植朋吗跑回甲甲品隘丽酌画严频率跟踪樱i晦攫金回到因Al测试框因M测t步骤a.将环境温度调至规定值；b.按图连接好电路、光路；光衰减器输出端C

15、与A点相连；c.调节光源也源和光衰减器使光功率计指示为输入平均光功率in;d.将光衰减器输出端C与B点相迹，调节模块电源使待测模块的偏置电服为规定值；e.校推频谱分析仪；f.在频谱分析仪显示的曲钱上读出待测模块频率响应带宽Bwo/J5规定条件a.环境温度TA（见A4.a);b.输入的平均光功率in（见A4.c);c.偏置电压（见）（见A4.d)9一SJ2刷42/3-1”$附录日光接收模块晌应度的测量（补充件）自1测试目的在规定的条件下，测最光接收模块的响应度。日术语和符号响应度Re：在规定的调制遮嘟下，光接收模块的输出电压与输入光功率之比。单位为kV/Wm测试梅阁匮画画年际班回函最画oC OB

16、命中一斑图Bl测试框罔84 测1世步醋a.将环境植庶几调查规定值；b.按图连接好电路、光路，光源输出端C与A点相连；c.接通光源、电源使方被倍号熏复频率rep和占空比D为规定值；调节光源发射强度使光功率计指示的人射光拍事阳为规定值；d.调节模块电撒使待测模块的偏置电II为规定值，将光源输出端C与B点相连；e.在示波器上读出方诚的峰值电压；f.由下式计算出模块的响应度：Re= Vp-p骨DIin.(Bl) 出规定条件a.环境温度TA（见B4.a);b.方放信号的重复频率rep均占空比D（见阳.c);c.输人人平均光功率in（见B4.c);d.偏景电压（见B4.d)一10一C1 测试目的时刻刷2/

17、3-1唰附景C光接收模块噪声咆底有就值的测量（补充件）在规定的条件下，测量光接收模块噪声电压的有效值。C2 术语符号蹦声电压有效值VNnns：光接收模块在加规定的工作电压，没有人射光照射时的输出电压的有效值。单位为Vo测试榷固醺黠画画画一有效值电脱图Cl测试榷图C4测量步骤a.将环境温度TA调至规定值；b.按阁迎接好电路；c.调节模块电源使待测模块的偏童电压为规定值；d.在有效值噪声电压表上读出电压数即为噪声电压有效值。cs规定条件a.环境温度TA（见C4.a);b.偏童电压（见C4.c）。一ll一01 测试阔的SJ20“i2/3-l唰附景。光接收模块动态范跑的测量（补充件）在规定的条件下，测

18、最光接收模块的动态范围。口2术语和符号动态拖阔Dr：光接收模块在规定的码裂和规定的速率下，满足一定的误确率要求时，输入的最大亭均光功率imn点（dBm）与最小的事均光功事inmin(dBm）之楚。单位为dBom测试梅朋睡最踊回D1测试榷罔04测量步骤a.将环境温度TA调至规定值；b.按朋连接好光路、电路，将光衰减器输出C点与日，点相连；c.将模块电源调至规烧的偏援电压；d.将误码仪设毁在规定的码型和速率下，在误码仪上监视误码率，逐渐减小光衰减器的衰减量，直到误码仪测出的误码率为规定的值为止，此时把光衰减糯输出C点与A相迹，用光功E郭计测量待测模块的输入最大平均光功率i阳n翩e.将光亵减器输出C点与B点相连，在误码仪上监视误码率，逐渐增加光衰减器的衰减量，直到误码仪测出的误码事为规定值为止。此时，把光衰减器输出C点与A相连，用光功事计测最待测模块的输入最大平均光功率i仰。f.依下式计算出待测模块的动态泡围Dr z川剧inmm.(Dl) 一12D5 规定条件a.环境温度几（见D4.a);b.偏置电压（见D4.c);c.码型和速率（见D4.d);d.误码事（见。4.d）。附加说明：时刻泌42/3-1师8本规范由中国电子技术标樵化研究所归口。本规范由电子工业部第十三研究所起草。本规范主要起草摆：顾振球、常利民、朱晓东、魏最新。计划项目代号：8510630一13一