SJ 20642.2-1998 半导体光电模块GD82型PIN-FET光接收模块详细规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准虹，创2倒，21219佣半导体光电模块GD82型目N-FET光接收模块详细规范Semicond阴阳。，”el1侃仕创cm幽幽胁”曲”创伽硝onfor type GD82 PJN-F.即01翩翩四创附m蛐de19903-11发布1998-05-01典施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和回电子行业车用标准半导体光电模块GD82型PINFET光接收模块详细规范Semiconductor op阳叩electronicmodule Detail s1附：itkationfor type GD82 p剧FETop协receivermodule 1 范围1 .1

2、主题内容本规程规定了GD82型PIN时阳r光接收模块的详细要求。1.2适用植围时20642/2一1998本规？在适用于GD82型凹Nm阳r光接收模块（以下简称模块）的研制，生产和采购。按SJ2嗣2华导体光电模块总规范1.峭的规定，提供的质最保证等级为Ml和M2二级。1.3绝对最大额在擅绝对最大额定值如下：数值项目符号单位最小最大一一贮存温度r.地币4-085 气：耗散功率?kt 叩0.2 w 正电掘电压Vool 5.5 v 负电源自压Voo2 申5.7v 1.4推荐工作条件推荐工作条件如下：项目符号单位最小最大工作环境温度TA -25 70 气：正电掘电压Vool 4.75 5.25 v 负电

3、源电压Voo2 由4.95-5.45 v 工作搅任; 1.29 l.33 pm 中华人民共和国电子工业部1998币03叩门发布199805一01实撒fiJ 2桶421219982 引用文件臼B128-86半导体分立器件试验方法GJB 150-86军用设备环境试验方法GJB 17986计数抽样程序及表GJB 548-88微电子器件试翰方法和程序GJB 915一佣纤维光学试验方法SJ 20642- 97 半导体光电模块规拖3 事求3.1 详细要求各项要求应按SJ2侃42和本规范的规定。3.2设计、外形结构和尺寸3.2.1 设计本模块的设计应满足本规范对性能指标和技术图纸的规定。3.2.2外形结构和

4、尺寸模块的外形结构和尺寸应符合阁l的规定。. . . 三) l /)I 问D 导鸟D D1 D2 E A L e e1 z b c d 数值| 公最称小500 4 轩”一叶2.54 7.6 （川）最大加.816 12.8 5.7 3.0 0.55 10.5 5.0 因l外形尺寸3.2.3 质最（重量）模块的质量最大30g3.2.4 引出端排列引出端排列应符合图2的规定。SJ 2制42121师31:11J2 0 ；1111 圈中引出端l,4接Voo2;10接Vool;7输出；3,5, 8接地其它是脚阁2引出端排列阁3.2.5 电路回电路困m.符合阁3的规定。斗J 5.2v 3.3外观质盘阁3电路

5、回+Sv out 喃S.2v棋块的外表团应平整光捕、元毛刺、凹痕、划伤等影响寿命、使用或外观的缺陷。3.4材料和元器件模块所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验合格的产品。3.5制造要求模块的制地按有关工艺文件的规定执行。3.6 标志要求模块应有下列标志：那号，承制方标志。3.7 光电性能及测试要求光电性能及测试要求应符合表l的规定。条件参数名称符号测试方法除非另有规定凡25吃帧且在响应本规拖附录AV001=5V V0o2 = - 5.2V 带宽Bw ID= l!W , = 1.31/fill Vool =5V TA= 25C Vno2= -5.2V 响应度Re 本规拖附录EID= l

6、!W 呻11阳h/2 , :. 1.31 /fill TA:.70，”25 噪声电压Vn ( r) 本规施附录（Vnol = 5V 有放值Voo2 z币5.2VV001=5V Vmi2 = - 5.2V K但1.31问n动态拖罔Dr 本规范附录Ef呻139Mh/s NRZ问PN码2刀叩lBER= 10町94质量保班规定4.1 抽样和检验抽样和检验应符合SJ2刷2和本规范的规定04.2筛选规施债单位最小最大90 1.0 x l(f 由V/W 7.0x HY 400 1-lv 16 dB 在提交鉴定检验和质量一致性检验前，产品应按SJ2嗣2和本规程表2，表3进行筛选检验。不符合要求的产品应剔除。剔

7、除的产品不能作为合格产品交货。表2筛选要求序号试验试验方法条件要求GJB 548 阳Ml 畸封前者化1030 不适用不适用2 非破坏性键合拉力2归3100% 不适用3 内部目榆2017 100% 100% 4 稳定性烘烤1008 85. 2h l）% 100% 5 翻股循环1010 咄咄阳85，10次循环100% 100% 6 假机定械加冲速击度战2仪丑A 100% 100% 2001 7 拉（P子M碰）撞曝商检测202。日100% 不适用8 光电测试本规范附录BRe符合表1100% 100% 9 老炼1(阳TA= 70吧，96h,V001=5V 100% 100% Vvo2= -5.2V 1

8、0 最终光电测试本规范附录8表4Al分组及A参数100% 100：毛11 密封粗检漏方GJ法B 128 1071 D，乙二醇温度降至85C100% 100% 一一12 X射线照相2012 -r主向100% 不适用13 外部目检2” 100% 100% 4一SJ 2制42/2-1”84.2.1 老炼试验除老炼出验条件应符合表2的规定外，：注炼钱路应符合图4的规定。马1p2j nv rnuv lp 阁4电老炼和工作寿命试验线路附4.2.2 4极限值4极限值应符合表3规定。参数名称响应度变化率表34极限值符号变化最tille!Re 20% 注：超过规施值的器件应剔除4.3 鉴定检验为了进行鉴定检验，

9、模块应进行筛选（见4.2条），并按表4、5,6、7规定的A、日、C、D组检验。4.4质量一致性检验质量一敢性检验应按SJ21伽2和本规班的规定。质量一致性检验包括逐批进行的A组、日组检验和周期检验的C组、D组检验。在C组、D组检验合格的周期内，A组、B组检验均合格的批可以交货。4.4.1 A组检验每个检验批均应按表4的规定进行检验。4.4.2 日细检验每个检验批均应按表5的规定进行检验。4.4.3 C组检验C组检验应按SJ20642的4.12.3条和本规范表6的规定进行。4.4.4 0组检验D组检验应按SJ2刷2的4.12.4条和本规范表7的规定进行。4.4.5 重新提交的批应按SJ2侃42的

10、4.7条的规定进行。-5一分组试验试瞌方法常温测试见我12 高温测试GJB 150.3 4.2 3 低温测试GJB 150.4 4.2 时糊糊J.l-1唰我4A组检验条件凡坦妇吧，光电性能符合表1Vool = + 5V Voo2 = - 5.2V TA=70吁：加电lh,Re符合表1Vool= +5V 电Vfii白，由5.2VTA Z呻2.5加Re符合表1抽样要求。比AQL II 1.0 II 1.0 II 1.0 注：1）见GJB179 我5日细检验分等级JB 548 组试3盘n (c) M2 Ml 1f法条件x x 物理尺寸2016 2 (0) 2 x 囚ND2（朋B 5 (0) 3 x

11、x 抗晦性I)2015 陪剂a2 (0) 4 x x 内部目检及2）机械检验2014 2 (0) 5 x x 键合强度2)2011 D; F=30mN 15 (0)3) 6 x x 芯片剪切强度2)2019 2 (0) 7 x x 可焊性I)2003 245士5吧，10s15 (0)4) 8 x 密封粗检漏S)方G法JB1 。15 (0) 性：1)可用同一检验批中电特性不合格品。2）见SJ2嗣2的4.12.203）此样本大小（接收数）为引线数。试验应平均分配各种钱径的引线烹少检验两个样品。4）此样本大小（接收数）为引出端子数，直少检验工个样品。5）如在最终电试验和外部目检之间进行了100%槽封

12、筛选，回分组可不要求，若样品数不足15只，则100%检验。粗检漏乙二醇温度降至邸。一6分等级组M2 Ml x x x x x x x x x x x x x x x 3 x x x x 试验外部自检掘度循环百相破帘加碎币冻或陪路奸、缆张力负荷管？封I)粗检漏X射线照相目检终点光电测试稳态寿命试验终点光电测试叫一扣阴一验一一础方法200 1010 2(脱2001 方G法JB 915 3010 方G法JB 128 1071 2012 3.1.10i2条附录Bl)5 本规范附录B注：1）粗检漏乙二醉温度可降至85。表7D组检验I)分等级组试验M2 Ml 方法x x 热冲击1011 2 x 稳定性烘烤

13、1008 3 x x 引残牢固性京剧4 x x 密封2）粗检漏方GJB法128 1071 ti: 1) D组检验可用司一检验批中电费数不合格的糯件。2）粗榆捕乙二醇温度可降至85。5 交货准备5.1 包装要求包装要求应符合SJ2嗣2第5.1的要求。5.2贮存要求贮存要求应符合SJ2阳第5.2条的要求。5.3 运输要求运输要求应符合SJ2嗣2第5.3条的要求。GJB 548 条件n (c) 5 (0) -40-85，10次A F = 3N t = 5min 。Y方向Re符合表1最几高71工0作士3温吃度下或（削h5 (O) V001=5V Voo2=-5.2V Re符合表41参数GJB 548

14、条件n (c) 。85吧，15次3 (0) 85，lh 3 (0) Bi 3 (0) D 3 (0) 一76 说明事项6.1 订货文件内容订货文件成规定以下内容：a.模块的型号、名称：b.详细规范的编号和发布日期；c.结楠要求；d.订货数最；e.其它有关婴求和特殊要求。一8一时3侃42/2-1唰A1 削试目的SJ脱42/21圳附录A光接收模块频率晌应带宽的测量（补充件）在规定的条件下，测量光接收模块的频率响应带宽。A2. 术语和符畴频率响应带宽Bw：光接收模块嗣频特性曲线下降3dB所对应的频率宽度。单位为MHzoP:3测试框阁晴雨副随军到晦县画品国刮r啊因Al测试框图A4测量步骤a.将环境温度

15、调至规定值；b.按图连接好电路、光路，光衰减器输出端C与A点相连；c.调节光源电掘和光衰减器使光功率计指示为输入平均光功率in;d.将光衰减器输出端C句8点相连，调节模块电源使待测模块的偏景电压为规定值；e.校准频i曾分析仪；f.在颇谱分析仪显示的曲线上读出待测模块频率响应带宽BwoA5 规定条件a.环境嗣度TA（见A4.a);b.输入的平均光功率in（见A4.c);c.偏置电压（见）（见A4.d）。一9一创刻嗣2/2-1”8附录B光接收模块晌JiY.度的测量（补充件）日1测试目的在规定的条件下，测量光接收模块的响应度。四术语和符号响应庶Re：在规定的调制速度下，光接收模块的输出电压与输入光功

16、率之比。单位为kV/Wo四测试摧固阪画画年啤盟副啤蝠蝇oC oBo命中一幅图Bl测试框图84 测量步辙a.将环境温度几调至规定值；b.战图连接好电路、光路，光源输出端C与A点相连；c.接通光源、电掘使方波倍号囊复频率f即和占空比D为规定值；调节光源发射强度使光功旦在计指示的人射光功率in为规定值；d.调节模块电濒使待测模块的偏置电压为规定假，将光游、输出端C与B点相连；e.在示被器上读出方披的峰值电.ffi;f.由下式计算出模块的响应度：Re立vp-p骨DIin.(Bl) B5 规定条件a.环境温度TA（见B4.a);b.方波倍号的重复频率re：、与占空比D（见B4.c);c.输入的平均光功率

17、in（见B4.c);d.偏置电压（见B4.d）。一IOC1 测试目的SJ 2制42/2-1”8附策C光接收模块噪声电应有效值的测最（补充件）在规定的条件下，测最光接收模块嗨阳电压的有效值。C2术语符号噪声电压有效值VN1111l!：光接收模块在加规定的工作电眩，没有人射光照射时的输出电压的有效值。单位为Vo测试概圈瞌蝠画画画一有效值电压表因Cl测试框图C4测量步骤a.将环境嗣庶几调至规定值；b.按即连接好电路；c.调节模块电师、使待测模块的偏置电压为规定值；d，在有效值崛向电ff我上读出电ff数即为噪声电应有效值。cs 规定条件a.环境温度TA（见C4.a);b.偏置电ff（见C4.c）。11

18、 。1测试目的时2阳说2/2-1卿附录D光接收榄块动态范围的测量（补充仲）在规定的条件下，测撒点接收模块的功态范围。四术语符号动态范围Dr：光接收模块在规定的码型和规定的速率下，满足一定的误码事要求时，输入的最大平均光功事inm平（dBm）与最小的平均光功率inmin( d日m）之援。单位为dBom测试榷朋匮届国医盟副隘国图。1测试框图D4测撒步骤a.将环境温度TA调至规定值；b.按图连接好光赂、电路，将光衰减器输出C点与日点相连；c.将模块电糠调至规定的偏慧电压；d.将误码仪设盟在规定的畸型和速事下，在误码仪上监视误码率，逐渐减小光衰减器的衰减最，直到误码仪测出的误码率为规定的值为止，此时把

19、光衰减器输出C点与A相迹，用光功率计棋最待测模块的输入最大平均光功率inn础。e.将光衰减器输出C点与B点相连，在误码仪上监视误码事，逐渐增加光衰减器的衰减盏，直到误阴仪测出的误码事为规定值为止。此时，把光衰减器输出C点与A相连，用光功旦在计测量待测模块的输入最大平均光功率irunaxo f.依下式计算出待测模块的动态范围Dr 2in阳明irunin. . t . (Dl) 12一05规定条件a.环境温度TA（见04.a);b.偏景电压（见。4.r);c.码础和迷惑（见川.d);d.误码率（见。4.d）。附加说明：SJ 2俑42/2-1师8本规施由中罔电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第十三研究所起幕。本规范主要超幕要：顾振球、常利民、朱晓东、魏荒新。计划项目代号：B51063o一13