SJ 20642.1-1998 半导体光电模块GD81型DIN-FET光接收模块详细总规范.pdf

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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL59， SJ2侃42/1-18半导体光电模块GD81型PIN -FET光接收模块详细规范semiIndUC，r op明d创址。，nicmodule De创1叩创B.tionfor type GD81 P剧-FETop叫receiverml叫ule18-栅门发布1998翩05翩01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电模块GD81型PIN -FET光接收模块详细规范加n刷刷刷Irop-electronic module 沁tail吨则自创onfor type GD81 PIN皿FETop阳四川泪ivermoduIe 1

2、范围1. 1 主题内容本规范规定了GD81型PIN-阳r光接收模块的详细要求。1.2适用范围旧2侃42/119拥本规施适用于GD81型P阴阳阳r光接收模块(以下简称模块)的研制，生产和采购。按SJ2刷2(半导体光电模块总规施)1.1条的规定，提供的质量保证等级为M1和M2二级。1.3 绝对最大额定假绝对最大额定值如下:数值项自符号单位最小最大贮存温度Ts锦40 85 施散功率p协t- 0.2 w 正电源电压Vvvl 由5.5 V 负电源电压Vvv2 由5.7V 1.4 推帮工作条件推荐工作条件如下:规藏值项目符号单位最小最大工作环境温度TA 明2570 iE电源电压Vool 4.75 5.25

3、 V 负电源电压Voo2 叫4.95呻5.45V 工作披长A 1. 29 1.33 11m 中华人民共和国电子工业部1998可03叩11发布1998甲05吨。1实施时刻)642/1一19982 引用文件GJB 128 -86半导体分立器件试验方法GJB 150 - 86 在用设备环境试验方法GJB 179 -86计数抽样程序及我GJB 548 -88微电子锦件试验方法和程序GJB 91590纤维光学试验方法5J 2刷2仰半导体光电模块规范3 要求3.1 详细要求各项要求应按5J2刷2和本规范的规定。3.2设计、外形结构和尺寸。3.2.1 设计模块的设计应满足性能指标和技术图纸的规定。3.2.2

4、外形结构和尺寸模块的外形结构和尺寸应符合图l的规定。，DI 导D DJ D2 E A L 数值最小5 4 公称(nU11) 最大20.8 16 12.8 5.7 e 2.54 因l外形尺寸3.2.3 质最(重量)D el z b c d 7.6 3.0 0.55 10.5 5.0 时却刷.2/1-1998模块的质量最大30go3.2.4 引出端排列引出端排列应符合朋2的规定。可)1J2I 罔中引出靶.4接Voo2j10接VDI)l;7输出j3, 5, 8接地其它是空脚。因2引出端排列图3.2.5 电路图电路图应符合圈3的规定。| uaL测。一5.2v因3电路阁3.3外观质量模块的外表团应事整光

5、洁、;也毛刺、凹痕、划伤等影响寿命、使用或外观的缺陷。3.4 材料和元器件模块所使用的材料和元器件是按牢用标准或有关规定检验合格的产品。3.5 制造要求模块的制造按有关工艺文件的规定执行。3.6标志要求模块应有下列标志:型号，承制方标志。3.7 光电性能及棚试费求光电性能及测试要求应符合表i的规定。一3一+5v out 叫5.2参数名称符号测试方法频率响应带宽Bw 本规拖附录A响应度E坠本规拖附录E噪声电压Vn (r) 本规范附录C有敢值动态范围Dr 本规范附录E4 质量保证规定4.1 抽样和检瞌SJ2侃42/11998表1光电性能条件除非另有规定TA = 25t V1 = 5V VD02=四

6、5.2Vh目l，uW = 1.31 flII1 V1=5V Voo2 =-5.2V fD啕h=zE1/lU腼ZW EZ Aa131四Vool =5V Voo2 =-5.2V TA = 25t TA =70 , -25t Vool=5V Voo2= -5.2V=1.3编1阳码fP啕N$码8.0Ml内CMI码或IDl日2匀即1BER = 10-9 抽样和检验应符合5J21侃42和本规范的规定。4.2 筛选规范值单位最小最大10 E MHz 1.5x 1(ii 申V/W 1.0 x l(ii 600 V 16 m dB 在提交鉴定检验和质景一致性检验前，产品应按臼肌42和本规帧2，和进行筛选检膛。不

7、符合要求的产品应剔除。剔除的产品不能作为合格产品交货。表2筛选要求F字号试验试验方法条件要求GJB548 m Ml 密封前老化1030 不适用不适用2 非破坏性键合技力2出3l% 不适用3 内部目;脸2017 l% 1% 4 稳定性烘烤18 85吧，2h l% 1% 5 温度循环1010 响40-85t, 10次循环1% l% 6 机恒械定加冲击速就度2n A 1% l% 2l 7 粒(阴子阳础)撞噪声检测组)20B l% 不适用一8 光电测试本规范附录BRe符合表l100% l% 9 老炼15 TVnAd Z7z0m5，.29V 6h, Votlz5V l% l% 10 最终光电测试本规范附

8、录自表4Al分组及A参数J(泊%l% 11 商封粗检糯方G桂JB 128 1071 D，乙二醇温度降至85C1c沁%l)% 12 X射线照相2012 Y方向不适用13 外部目检2f) l% 100切一一4一时加642/11唰4.2.1 老炼试验除老炼试验条件应符合表2的规定外，老炼线路应符合图4的规定。阿)/)2,A vm 阁4电老炼和工作寿命试验线路图4.2.2 极限值A极限值应符合表3规定。表3极限值符号变化量.Re/Re 20% 泼:跑过规施值的器件应剔除4.3鉴定检验为了进行鉴定检验，模块应进行筛选(见4.2条)，并按表4、5，6、7规定的A、B、C、D组检验。4.4 质量一致性检验质

9、撒一致性检验成按臼硝42和本规范的规定。质最一政性检验包括逐批进行的A组、日组检验和周期检验的C组、。组检验。在C细、D组检验合格的周期内，A组、日组检验均合格的批可以交货。4.4 .1 A组检验每个检验批均应按表4的规定进行检验。4.4.2 B组检验每个检验批均应按表5的规定进行检验。4.4 .3 C细检验C细检验成按5J2例42的4.12.3条和本规范表6的规定进行。4.4.4 D组检磁。组检验应按SJ2侃42的4.12.4条和本规范表7的规定进行。4.4.5 重新提交的批应按5J2侃42的4.7条的规定进行。-5一分组试验试磁方法常温测试见表l2 高温测试GJB 150.3 4.2 3

10、低温测试GJB 150.4 4.2 时2俑42旷1-1唰表4A组检验条件凡=25C.光电性能符合表lVlJI)l = + 5V Voo2=甲5.2V几嚣70C加电1h.Re符合表1V1= +5V Voo2= -5.2V 几Z也25C加电1h.Re符合表1抽样要求。E AQL H 1.0 B 1.0 H 1.0 注:1)见GJB179 我5日组检验分等级GJB548 组试验n (c) m M1 方法条件X x 物现尺寸2016 2 (0) 2 x PIND 2o B 5 (0) 3 X x 抗槽性1)2015 溶剂a2 (0) 4 X X 内部自检及2)机械检验2014 2 (0) 5 x X

11、键合强度2)2011 D; F= 3OmN 15 (0)3) 6 X x 芯片剪切强度2)2019 2 (0) 7 X X 可焊性。立M3245土5C，108 15 (0)4) 8 X 密挝粗检漏5)方GJB法128 1071 D 15 (0) 按:1)可用同一检瞌批中电特性不合格品。2)见日2嗣2的4.12.203)此样本大小I(接收数)为引线数。试验应平均分配各种线径的引钱至少检验两个样品。4)此样本大小I(接收数)为引出端子数，至少撒验二个样品。5)如在最终电试验和外部目检之间进行了1%密封筛选，阳分组可不要求，若样品数不足15只，则1%检验。槌检漏乙二醇诅度降烹85吧。6 附一验工脱刷

12、一川一表时一分等级GJB548 组试验n (c) M2 Ml 方法条件X X 外部目检2(朋5 (0) X X 温度循环1010 阳4阳85(;，1O?X X X 恼机械省加冲击冻或陪2002 A 2l X X 尾纤、缆张力负荷方G法m9301510 F=3N t = 5min X X 密封1)粗检漏1G7m法128 D 1071 x X射线照相2012 Y方向x x 目检3.l 1i0310 .2条X x 终点光电测试附录BRe特仓表l最高工作土3温吃度下或l 5 (0) 3 X X 稳寿命试验H阳Tc;70仪XlhVDDl = 5V VD02 =5.2V X x 终点光电测试本规施附录BR

13、e符合表41参数注:1)相撒漏乙二醇温度可降至部吧。表7D组检瞌1)分等级GJB 548 组试验n (c) M2 Ml 方法条件X X 热冲击1011 。何85吃，15次3 (0) 2 X x 稳定性烘烤18 85吃，lh 3 (0) 3 X x 引线牢朋憔2仅)4.2 3 (0) 4 X x 暗时，1)租检漏方GJ法B 128 。3 (0) 1071 泼:1) D组检验可用同一检验批中电参数不合格的器件。2)粗检漏乙二醇温度可降至85吧。5 交货准倚5.1 包装要求包装要求应符合旧创始2第5.1的要求。5.2 贮存要求贮存要求应符合SJ2嗣2第5.2条的要求。5.3 运输要求运输要求应符合S

14、J20创第5.琐的要求。一7一6 说明事项6.1 订货文件内容订货文件应规定以下内容:a.模块的型号、名称:b.详细规范的编号和发布日期;。结构要求;d.订货数最;e.其它有关要求和特殊要求。-8一SJ2侃42/1-1998A1 测忧目的阳到1642/1- 1998 附录A光接收模块频率响应带宽的测量(补充件)在规定的条件下，测量光接收模块的频率响应带宽。A2. 术语和符号频事响应带宽Bw:光接收模块幅频特性曲线下降3dB所对应的频事宽度。单位为MHzoA3 测试榄朋l频率跟踪和|频谱分析仪|图Al测试框罔A4 测量步骤a.将环境温度调蓝规定值;b.按图连接好电路、光路;光亵减器输出端C与A点

15、相连;C.调节光源电源和光衰减器使光功率计指示为输入平均光功率in;d.将光衰减器输出端C与B点相迹，调节模块电洒、使待测模块的偏置电压为规定值;e.校准颇谱分析仪:1在频谱分析仪示的曲钱上读出待测模块频率响应带宽Bw。A5 规定条件a.环境温庶几(见A4.a);b.输入的事均光功率in(见A4.c)i C.偏置电1I(见)(见A4.d)- 9 日1测试目的时汕642/1-1唰附录自光接收模块晌应度的测量(补充件)在规定的条件下，测最光接收模块的响应度。日a术语和符号响应度品:在规定的调制遮盖挥下，光接收模块的输出电压与输入光功率之比。单位为kVlWo日3测试框闺品c 困Bl测试框因B4 测量

16、步黯a.将环境温度TA调至规定值;b.按图连接好电路、光路，光源输出端C与A点相连;C.接通光源、电摞使方波信号建复频率frep和占空比D为规定值;调节光游、发射强度使光功率计指示的人射光功率h为规定值;d.调节模块电源使待测模块的偏景电压为规定傻，将光源输出端C与B点相连;e.在示披器上读出方波的峰值电压;f.由下式计算出模块的响应度:Re = Vp_p骨D/in .,.,. (Bl) 85 规定条件a环城淑庶几(见日4.a)ib.方波倍号的重复频率frep与占空比D(见日4.c)jC.输入的平均光功率in(见日4.c)jd.偏最电压(见B4.d)一10一C1 制试目的时却)642/1-19

17、佣附录C光接收模块噪声咆压有效值的测1世(补充件)在规定的条件下，测量光接收模块噪声电压的有效值。c2 术诺符号噪声电压有效值VN(nns):光接收模块的日规定的工作电压，没有人射光照射时的输出电压的有效值。单位为Vo 则试梅朋睡画画画一刷刷c4 测量步骤a.将环境描庶几调茧规定值;b.按图连接好电路;图Cl测试框图C.调节模块电源使待测模块的偏置电应为规定值;d.在有效值噪声电压表上读出电数即为噪声电压有效值。c5 规定条件a.环境温度TA(见C4.a);b.偏置咆压(见C4.c)。一11一01 测试目的SJ2刷2/1-1998附录D光接收模块动态范围的测量(补充件)在规定的条件下，测最光接

18、收棋块的动态榄围。D2 术语和符号动态范围Dr:光接收模块在规定的码型和规定的速率下，满足一定的误码事要求时，输人的最大平均光功率inmax(dBm)与最小的平均光功率inmin(dBm)之援。单位为础。m 测试梅图匮画画陋到匾握国啤回图Dl测试概因。4测量步骤8.将环境温度TA调至规定值;b.按图迎接好光路、电路，将光衰减器输出C点与B点相连;C.将模块电糠调烹规定的偏景电压;d.将误码仪设置在规定的码裂和速率下，在误码仪上监视误码率，逐渐减小光衰减器的亵减置，直到误码仪测出的误码率为规定的值为止，此时把光衰减器输出C点与A相连，用光功耀计测量待测模块的输入最大平均光功率inmaxoe.将光衰减器输出C点与日点相连，在误码仪上监视误码率，逐渐增加光衰减器的衰减章，直到误码仪测出的误码率为规定值为止。此时，把光衰减器输出C点与A相迹，用光功事计测量待测模块的输入最大平均光功率inm础。1.侬下式计算出待测模块的动态范围Dr江lJ1川1一12一即规定.件a.环境撒庶几(见D4.a);b.偏摄电压(见D4.c);C.码盟和迷惑(见。4.d);d.误硝率(见D4.d)。附力日说明:SJ2刷2/1-1998本规范由中国电子技术栋准化研究所归口。本规拖由电子工业部第十三研究所起草。本规范主要起草望寄:顾振球、常利民、朱晓东、魏爱新。计划项目代号:8510620 一13一