SJ 20308-1993 半导体分立器件FH1030型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范.pdf
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1、中电FL 5961 、曰目吕SJ 20308 93 Detail specification for type FH 1025 NPN silicon power Darlington transistor 1993-05-11发布1993-07-01 中华人民共和国电子工业部批准1 范围1. 1 主题内中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范Detail specification for type FH1025 NPN silicon power Darlington transistor SJ 20308 93 本规范规定了FH1025型
2、NPN硅功率达林顿晶体管以下简称器件的详细要求。每件按GJB 33P :;., C B q U E D t.1飞b, 叫中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布1993-07咱们实施一1一号l 主nun 主A #J, #Jz 0.966 ;D d F L 8 L , ;P 3. 84 q 29.90 R, R2 S U, U2 图1FHI025外形图1. 3 最大额定值PH tu. Vc酣VCEO Tc=2SC (W) (V) (V) 250 1200 8S0 注l)Tc25C时,按1.67W /C 1. 4 主要电恃性(TA=25C)hFE SJ 20308 93 B2-01D no
3、m f 5.46 16. 89 VE回1c (V) (A) 8 20 VCE( . 。(V) VcE=5A 1c=10A 1c=5A 18=lA 最小最大值最大值50 600 2.2 一2一mm max 12.19 1.52 引出端识别:1. 092 22.86 电极3.50 13.9 1. 52 4.21 30.40 13.58 4.82 40.13 27.17 18 Top T咆(A) CC) CC) 10 一55-175-55-175 / V8E(.) VF (V) (V) 4 1c=10A 1c=10A 18=lA 最最大值2. 5 4.0 C也(pF) VcE=lOV IE=O f=
4、lkHz 600 2 引用文件GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 3 要求3. 1 详细要求SJ 20308 93 td t , t. s)(s) (s) Ic=10A IB1=一IB.=lAO. .3 1. 8 双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件5.0 各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸tf s)1. 8 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出线材料和涂层、R.阳性(C!W) VcE=10V Ic =2A 0.6 引出线材料应为可伐。
5、引出线表面应为锡层或镰层。对涂层有选择要求时,应在合同或订货单中予以规定。3.3 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样相检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规程表I的规定进行,超过本规程表l规定极限值的器件应予剔阳。筛选测试或试验(见GJB33的表2)GT和GCT级7.中间电参数测试Ic削和hFE18.功率老化见4.3.1, 9.最后测试g按本规范表1的A2分组zt,.I c旺31=初的100%或300A,取较大者MFE1=初始
6、值的土20%一3一SJ 20308 93 4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:Tj-162.5士12.5.CPtot-注125W. VcE=20V 4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4. 1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行.4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规程表2的规定进行.4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定14. 5. 1陈冲测试冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1条的规尼。4. 5. 2 热阻热阻测试应按GB4587的2.10
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