SJ 20188-1992 半导体分立器件2CW3016~3051型电压调整二极管详细规范.pdf
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1、中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CW3016,- . 3051型硅电压调整二极管1 范围1. 1 主题内容详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage regulator diodes for types 2cW3016u3051 SJ 20188 92 本规范规定了2CW3016-3051型硅电压调整二极管(以下简称器件的详细要求。该种件按GJB3325C时,按8.OmW /C线性地 2 引用文件GB 6571一86GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 8
2、6 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求件的各项要求应按GJB33和本规范的规定。一一2 mm 低气压(Pa) 1066.5 SJ 20188 92 3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引线涂层引线表面涂层应为镀锡或浸旗焊料。在不影响器件性能或G标志的情况下,对涂层另有要求时,可在合饲或订货单中规定(见6章。3.3 GCT级的内部检查(封帽前和处理条件试验和筛选除全部恃性要求外,GCT级器件应按4.9条进行内部检查和工序检查、验和筛选
3、,3.4 标志器件上的标志应按GJB33的规定.4 保证规定4. 1 抽样和检样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应包括表1、表2和表3中规定的检验和试验。对于具体组或4.3.1中规定的电压组,鉴定检验要求进行最低电压组的最低和最高标称电压试验,以及其它各组的最高标称电压试验。制造厂有权选择提交样品,分别进行B组的6和7分组试验和C组的5和6分组试验F或进行加严组合试验,采用A等于5栏内的样品数进行1000h试验。低气压试验只要求对高标称电压型号的子批进行。除结构相似器件的检验程序不适用外,组的划分、各组待检验样品的数量、缺陷的判定以及缺陷数量均按GJB33的规定。其
4、它型号的10个样品应经受A组的2分组和C组的1分组检验(除低气压试验外。4.3 质量一致性检验一致性检验应由A组、B组和C组规定的检验和试验组成.A组检验和C组的1分组检验低气压试验除外应以子批进行。低气压试验应对最高电压型号的子批在6个月内进行。B组检验除6和7分组外和C组的2、3和4分组检验应按GJB33的规定检验批进行。B组的6和7分组及C组的5和6分组检验应对具有50%最高电压型号样品和50%最高容型号样品组成的批进行。一个批即为4.3. 1中规定的一个电压组各型号的组合。一个组内各电压型号的连续接收要对包括较高电压型号的批重新进行C组的5和6分组试验,该电压型号比最近6个月周期内进行
5、过1000h寿命试验的电压型号更高。4.3.1 按标准电压组检验只要工艺没变见4.3. 2) ,则应按表4所示的电压组选择和试验的样品进行检验。电压组内所有型号的接收应基于这些样品的批检验的园满完成。4.3.2 工艺更改定检验和质量一致性检验应以电压组为基础进行。在标准电压组内采用两种或多种工艺的制造厂或不生产特殊电压组的全部类型的制造厂,应在该标准组内确定一个新川出租司。4.3.3检当合同或订单(见第6章中规定时,与该器件检验批有关的质量一致性检验数据的复3一件,应随同器件提交.4.4 A组检验 SJ 20188 92 A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行.4.5 B组B组检验应按G
6、JB33和本规范表2的规定进行.最后测试和变范表4相应步骤的规定进行.4.6 c组检验()的要求应按本规C组检验应按GJB33相本规范表3的规定进行.最后测试和变化量的要求应按本规范表4相应步骤的规定进行.试验期间和此后直到25次循环期间发现的失效累计总数,应计为25次循环的接收判据.4.6. 1 寿命试验样品为了满足C组寿命试验的要求,经受了B组340h寿命试验的样品可以继续1000h试也这些样品应预先选定,并应在已经通过了B组340h接收判据之后,继续经受C组1000h接收评定.340h试验期间和此后直到1000h的试验期间发现的失效累计总数,应计为1000h的接收判1-1 4. 7 检验
7、和试验方法检验和试验方法应按表1、表2和表3及下述规定.4. 7. 1 浪涌电流(lZSM)应将表4第10栏中规定的电流加在器件的反向,并应将1分钟冲击5次的浪涌电流叠加在电流Jz(表4第5栏上.每个浪涌应等于持续时间为1/100s的半方波或相当于具有相同有效值电流的半正弦波.4.7.2 电压调整(Vz)应使电流维持在Jz(表4第8栏的10%达90士5s,并记录电压Vz然后将电流增加到Iz表4第8栏的50%,并保持此值达90士5s,在此期间电压的变化应不超过表4第9栏的规定.在该项试验期间,器件应借助于安装夹具用其引线悬挂,安装夹具内边离管体在9.53mm 和12.7mm之间,并应将安装夹具保
8、持在25C的温度下-4.7.3 标志的耐久性应按GJB128的1022方法对器件进行试验,并应符合下列要求za. 应将器件管体上已打标志的整个表面涂刷;b. 试验后的器件应无机械损坏痕迹,标志应保持旧町I 4.7.4 电压温度系数vz)在规定的环境温度下,读出工作电压前,器件应随所加电4.7.5 调整电压 在读出试验电压以前,应施加90士5s的试验电流表4第5栏).在该项试验期间,器件应借助于安装夹具用其引线悬挂,安装夹具内边离管体在9.53mm和12.70mm之间,并应将安具保持在25C的温度下.4.8 GT级工序检查、试验和对GT级的工序检查、试验和4.8. 1 质量保证批验证保证应按GJ
9、B33的规定.4一序应按4.8.1至4.8. 5. 3的规定. SJ 20188 92 4.8.2 高温贮存所有器件应在环境温度为175.C下至少贮存48h。4.8.3 热冲击温度循环)为一55.C、循环10次外,热冲击(温度循环应符合GJB128的方法1051试验条件F的要求.该试验可在任何循环点开始。应将所有器件保持在每一极限温度下直至热平衡,但15min.在每个极限温度转换之间,所有器件在室温下保持时间不大于5min.4.8.4 加速度下述情况外,所有器件均应按GJB128的方法2006规定进行加速度试验。试验仅在Y1方向进行1次,最小加速度为196000m/S2 (峰值。4.8.5 老
10、化试验前批中的所有器件应按表5的Vz和IR参数测量并记录。老化试验后所有器件应处理或核实以便可以确定最后变化量()。不满足这些要求的所有器件一开始就应从检验批中剔除,并将剔除的数量记入批史中。4. 8. 5. 1 老化试验(GJB128中试验方法1038的试验条件8或C)所有器件在下列稳定条件下至少工作96h:TA为25.C(最低Iz为表4第8栏的值4. 8. 5. 2 老化试验后老化试验后批中所有器件应按表5的Vz和IR参数重新测量并记录。在老化试验期间数测量从初始值变化不应超过下列规定值2.Vz=初1始值的士2.5%.IR=初始值的100%或2FOnA,取较大者。4. 8. 5. 3 老化
11、试验失效筛选超过4.8. 5. 2变化量极限(.)或表5极限的所有器件应从检验批剔除,剔除的数量不超过参加试验器件数量的10%,超过10%r20%的若无其它规定,可以重新提交老化,并采用不合格率为3%的加严检查检验重新提交批,如果失效数超过20%则整个检验批不能作为GT、GCT级产品接收。4.9 GCT级的内部目检(封帽前和工序检查、试验和筛选在封帽前应按GJB128的2072方法100%的进行内部目检。工序检查、试验和筛选应按4. 8. 1至4.8. 5. 3的规定。制造厂允许受权的试验机构与制造厂同时进行这些试验,试验以证明工序检查、试验及筛选是否符合要求。由制造厂通常作为标准生产进行的那
12、些检查及筛选检验,如果等于或严于本规范的规定,而且被试验机构接受的,则无需重复。一5一SJ 20188 92 表1A组GB 6571 符号方法条件A1分组5 外观及机IGJB 128 械检验I 2071 A2分组正向电压反向电流调整电压|(4.1.5) 微分电阻|拐点微分电阻检验或试验B1分组可焊住标志的耐久性B2分组热冲击热冲击应力试2电压(见4.1. 5) 反向电流电阻B3分组作寿命z (按B2分组6一3 2.2.6 IF盟200mAI VF 1 2.2.5 VR见表411栏的值IR 2.2.1.1 IIz见表45栏的Vz 2. 2. 2. 1 Ilz见表45栏的rz I电=10%lz2.
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