SJ 20187-1992 半导体分立器件.2CZ5550～5554型硅整流二极管.详细规范.pdf

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1、中，、FL 5961 SJ 20187 92 /h、_2去I)I Semiconductor discrete dcvice Detail specification for silicon rectifier diodes for types 2cz5550 through 2CZ5554 1992-11-19发布1993-05-01实中国电子工业总公司批准1 范围1.1 主题内容中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CZ5550 . 5554型硅整流二极详细规范Scmiconductor discrete device Detail specification for silico

2、n rectificr diodes for types 2CZ5550 through 2cz5554 SJ 20187 92 本规范规定了2CZ55505554型硅整流二极管以下简称器件的详细要求。该种器件按GJB 33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP，.GT和GCT级)。中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实一l一 SJ 20187 92 .2 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581(半导体分立器件外J尺寸的D2-10BJTI.见因1.L G L Ll 。i. 1 2 L量丑号D2-10B 符号?称值最大值#z 1. 1 1.3 1D 5.

3、0 G 7.0 L 25 Ll 1.5 Lz 16 Lfz为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向民度。图1外形图1.3 定值V( 8R)mjn VRWM 101 1.M T咆Top 低气压TA=40C 10土2A型号tp=1/100s TA=40C (V) (V) (A) (A) (C) (C) (Pa) 2CZ5550 240 200 2CZ55!5 1 480 400 1066.5 2CZ5S52 660 600 3. 0 80 一55-十175-55-+150 、2CZ55S3 880 800 4400 2CZ5554 1100 1000 诲.l)TA40C时，按27.3mA/C线性降额.

4、2一SJ 20187 92 1.4 主要电特性(TA25.C) VFMl IRl IRZ IFM=9.0A VK=VKWM VR=VRWM 型号TA=lOOC (V) (A) (A) 最小值最大值最大值2CZ5550 2CZ5551 2CZ5552 0.6 1.5 3.0 50 2CZ5553 2CZ5554 2 引用文件半导体分立器件第2部分整流二极管GB 4023 86 GB 6571 86 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件3 要求3.1 详细要求各项要求应

5、按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1 引线涂R(由)-a(C!W) 最大值37 引线表面应镀锡。在不影响器件的合格产品性能或G标志的情况下，对引线涂层另有要求时，应在合同或订货单中规定(见6.1条).3.2.2 在芯片的两面和引线之间采用高温冶金键合结构。3.3标志件标志应按GJB33的规定，型号标志可不限于一行内。制造厂可根据自己的意图省略下列标志.a. 制造厂的识另Ij; b. 检验批识别代码zc. 型号命名中的2C部份.3.3.1 极性器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4质规定-3

6、一SJ 20187 92 4. 1 检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定.4.3 筛选(仅对GT和GCT级筛选应按GJB33表2和本规范的规定.下列测试应按本规范表l进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除.选)j! 试或试且GJB33表2)5 不要求8 见4.3.19a 本规范表1的A2分组s6.IRI =初始值的100%或300nA.取较大者s4.3.1 功率老化试验条件功率老化试验条件如下zTA 2SC ,VR=VRWM 10 3.0A.f-SOHz. 4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定4.4.1 A组检6.VF1 =士O.lV

7、A组检验应按GJB33和本规范表l的规定进行.4.4.2 B组B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行.最后测试和变化量()的要求应按本规范表4相应步骤的规定。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行.最后测试和变化量()的要求应按本规范表4相应步骤的规定.4.5 检验和试验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定.4.5.1 稳态工作寿命在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不大于180。不小于150.。4.5.2 脉冲测试冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1的规定。-4一A1分组外正向电压反

8、向电流A3分组作g反向电流正向电压低作g正向电压正向电压A4分组反向恢复时间A6分组浪涌电流最后试gSJ 20187 92 表lA组检验T GB 4023 方法条I G.肌28I 2071 1V-川3I脉冲lFM =9. OA tp=10rns 占空因数:;2%1V-1. 2.1 直流法lF=1.5A 1V-1. 4.1 |直流法V民=VRWMI TA=100C 1V -1.4.1 |直流法VR=VRWM 1. |脉冲法lFM=9.0A tp=10rns 占空因数:;2% TA=-55C 1V -1.2.3 I脉冲法lFM=9.0A tp=10rns 占空因数2%lV -1. 2. 1 I直Y

9、 =1.5A GB 6571 I lF=50rnA 2.1.4.2.2 I VR=10V RL=750 极LTPD 符号单位最小值最大值5 5 I V FMl I O. 6 I 1. 5 I V I V F! I o. 5 I 1. 1 I V I 1 Rl I I 3.0 IA 十5 I lRz 1 50 |A IVFMZI 0.4 I 1.5 I V I VFM3 I I 1. 8 I V VFS I 0.5 1.3 v 5 t 一3.0 s I 10 lV -3. 1 11酬=80脉宽10rns，每间隔1rnin次浪，共10次，在10I I =2A上叠加，VRM=VRWMI (见1.3)

10、汀AZ40|见表4，步1、2一5一SJ 20187 92 表2B组检验GJ Jj 128 极限值检验或试验LTPD 符号单位方法条件最最大、B1分组15 可焊性2026 标志的耐久性1022 斗B2分组10 热冲击1056 条件B最后测试g且表4.步l和3B3分组5 作寿命1027 Io=3A;/=50Hz TA=25士3.CVR=V民WM最后测试s按表4.步骤1、2、3和4B6分组7 寿命1032 TA盟175C(非工作状态最后试g见表4.步1、2、3和4表3C组检验GJB 128 限LTPD 符号单位方法条牛最小值最大值+ C1分组15 外形尺寸2066 见图lC2分组10 热冲击1056

11、 试验条件B引出端2036 牛A拉力F=2I、1mt=158 弯曲试试验条件E综合度/温度周!试验1021 省略预处理外l!及机械2071 最试g见表4.步1和2C4分组15 盐气侵蚀)(适用时1041 C5 :5t组15 低气压1001 气压(且1.3) t=1min -6一SJ 20187 92 续表3GJB 128 极限或试LTPD 符号单位方法条牛最最大间测试g反向电流GB 4023 VR=VRWM 1Rl 3.0 A IV-1.4.1 C6分组=10 作寿命1026 10= 3A;/= 50Hz 1A=25土3C，VM=V民WM最后试2见表4.步1、2、3和4表4A组、B组和C组检验

12、的电测试GB 4023 极检符号单位方法条件最小值最大.值1 正向电压IV-1. 2.3 脉冲法1.M=9.0A VFM1 0.6 1. 5 v tv=10ms 占空因数2%2 正向电压IV-l.2.1 直流?去VFi 0.5 1. 1 v 1.=1. 5A 3 反向电IV -1. 4. 1 直流法1MI 3.0 A V民=VMWM4 反向电流变化1:.1 Rl1l 初的100%或300nA.取较大者.注:1)本A组极限值的器件不应接收 5 交货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。 6说明6.1 订货资料合同或订货单中应规定引线的涂层。6.2 如需典型特性曲线，可在合同或订货单中规定。-7一SJ 20187 92 附加说明z本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出.本规艳由中国电子技术标准化研究所归口.本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七三厂共同起于.本规范主要起草人:金贵永、刘东才.项目代号IB91007.-8一