SJ 20187-1992 半导体分立器件.2CZ5550~5554型硅整流二极管.详细规范.pdf
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1、中,、FL 5961 SJ 20187 92 /h、_2去I)I Semiconductor discrete dcvice Detail specification for silicon rectifier diodes for types 2cz5550 through 2CZ5554 1992-11-19发布1993-05-01实中国电子工业总公司批准1 范围1.1 主题内容中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CZ5550 . 5554型硅整流二极详细规范Scmiconductor discrete device Detail specification for silico
2、n rectificr diodes for types 2CZ5550 through 2cz5554 SJ 20187 92 本规范规定了2CZ55505554型硅整流二极管以下简称器件的详细要求。该种器件按GJB 33(半导体分立器件总规范的规定,提供产品保证的三个等级(GP,.GT和GCT级)。中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实一l一 SJ 20187 92 .2 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581(半导体分立器件外J尺寸的D2-10BJTI.见因1.L G L Ll 。i. 1 2 L量丑号D2-10B 符号?称值最大值#z 1. 1 1.3 1D 5.
3、0 G 7.0 L 25 Ll 1.5 Lz 16 Lfz为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向民度。图1外形图1.3 定值V( 8R)mjn VRWM 101 1.M T咆Top 低气压TA=40C 10土2A型号tp=1/100s TA=40C (V) (V) (A) (A) (C) (C) (Pa) 2CZ5550 240 200 2CZ55!5 1 480 400 1066.5 2CZ5S52 660 600 3. 0 80 一55-十175-55-+150 、2CZ55S3 880 800 4400 2CZ5554 1100 1000 诲.l)TA40C时,按27.3mA/C线性降额.
4、2一SJ 20187 92 1.4 主要电特性(TA25.C) VFMl IRl IRZ IFM=9.0A VK=VKWM VR=VRWM 型号TA=lOOC (V) (A) (A) 最小值最大值最大值2CZ5550 2CZ5551 2CZ5552 0.6 1.5 3.0 50 2CZ5553 2CZ5554 2 引用文件半导体分立器件第2部分整流二极管GB 4023 86 GB 6571 86 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件3 要求3.1 详细要求各项要求应
5、按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1 引线涂R(由)-a(C!W) 最大值37 引线表面应镀锡。在不影响器件的合格产品性能或G标志的情况下,对引线涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条).3.2.2 在芯片的两面和引线之间采用高温冶金键合结构。3.3标志件标志应按GJB33的规定,型号标志可不限于一行内。制造厂可根据自己的意图省略下列标志.a. 制造厂的识另Ij; b. 检验批识别代码zc. 型号命名中的2C部份.3.3.1 极性器件的负极端应采用鲜明的色带标记,以示出器件的极性。4质规定-3
6、一SJ 20187 92 4. 1 检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定.4.3 筛选(仅对GT和GCT级筛选应按GJB33表2和本规范的规定.下列测试应按本规范表l进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除.选)j! 试或试且GJB33表2)5 不要求8 见4.3.19a 本规范表1的A2分组s6.IRI =初始值的100%或300nA.取较大者s4.3.1 功率老化试验条件功率老化试验条件如下zTA 2SC ,VR=VRWM 10 3.0A.f-SOHz. 4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定4.4.1 A组检6.VF1 =士O.lV
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