SJ 20185-1992 半导体分立器件2DW232～236型硅电压基准二极管详细规范.pdf

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1、FL 5961 ，、7 ) 2 口口/鸟、_主Semiconductor discrete device Detail specification for silicon SJ 20185 92 自d voltage reference diodes for types 2DV232-236 1992-11-19发布1993-05四01实施中国电子工业总公司批准 1 范围1. 1 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2DW232r 236型硅电压基准二极细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silicon v

2、oltage reference diodes for types 2DW232 -236 内容SJ 20185 92 本规范规定了2DW232-2DW236型硅电压基准二极管以下简称器件的详细要求。该器件按GJB33b主bz D D1 J h L LI lZM (mA) 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计结构和外形尺寸-2一A3-02B 口unnom max 6.10 6.60 5.08 1. 01 0.407 0.508 8.64 9.39 8.01 8.50 0.712

3、0.787 0.863 0.740 1. 14 12.5 25.0 1. 27 功率降TA25C时(mW/C) 试方法SJ 20185 92 设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.2. 1 引线材料和涂层引线材料应是可伐(铁、镇、钻合金、杜美丝铜被铁镇合金或铜丝等材料。引线涂层应镀金或镀银，亦可镀锡或漫锡。选用的材料和涂层可在订货单或合同中规定见6.2)。3.2.2 器件内部结构芯片与支架采用冶金烧结，芯片与内引线末端采用超声键合工艺。3.3 测试方法测试方法应按GB6571及本规范的规定。3.4 标志器件上的标志应符合GJB33及本规范的规定。3.4. 1 极性器件的阴极

4、以该极近旁的白色色点表示。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应符合GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级筛选应符合本规范的规定。电特性测量应按本规范表4的规定进行，超过本规施表4中极限值的器件不出明队。筛选序号项目试验方法(GJB 128) 条牛要求极限l 内部目检(封帽前)2073 100% 2 寿命1032 150C士2C、96h100% 3 |热冲击1051 温度:一55士3C100% 度环)+125士2C循环5次25C时明显厅隅极限度下t10min4 加速度(离心加速度2006 Yj方向196000m/sz1

5、00% 20st60s 5 密封1071 a.试验条件H最大漏泄率:5mPacm3/s100% a. 。D f牛C一3一序号项目8 电老化9 I :最后Vz rz lR avz 11 外观检查4.4 质量一致性检验SJ 20185 92 (GJB 128) 1038 2071 续表条试验条件Bt=96h 件掉老化条件之后96h内完成全部参数测试。按表4步z=10mA VR=3.6V Tj=2SC I T2=7SC 打标志之后进行，用10倍双吕立体显微镜检查器件外观质量，剔除管壳、管腿生锈、变形、开裂及有其它缺陷的器件质量一致性检验应按GJB33及本规范表1、表2和表3的规定进行。4.4.1 A

6、组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验要求极限值100% 1100%、不超过表4的极限100% B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量)的要求应符合本规范表4有关步骤的规定。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行，最后测试和变化量的要求应符合本规范表4有关步骤的规定。4.5 检验方法检验方法应符合本规范相应的表和以下规定。4. 5. 1 电压一温度稳定性每个型号器件的基准电压在各个规定的温度下测量，测量时应记录，对于每个器件从测出的最高电压减去测出的最低电压，获得Vz值，该Vz值应在本规范规定的极限内。其测温度

7、不能姐过规定的极限温度(55u100C)的选围。4.5.2 基准电压基准电压应加试验电流达到平衡(至少15时，在读出基准电压前达到热t剧。被试器件的安装:将器件引线夹在夹座的内侧，并距管身10mm.夹座的温度应维持在25习。-4一SJ 20185 92 表1A组检验GB 6571 极符号方法条件最A1分组5 外观及机械检验|B128 I用10倍2071 A2分组基准电压反向电流微分电阻A3分组电压温度系数B2分组热冲击密封a.细b.粗最后测试zB3分组度稳态工作寿命最后测试zB4分组开帽内部目检度B5分组不适用部分组寿命非工作最后测试E2. 2. 1. 1 2.2.5 2. 2. 2. 1 2

8、. 2. 3. 1 Iz=lOmA VR=3.6V 直流法gIz=10mA TA1=25C TAZ=75C 直流法z5 5 Vz 5 1栏-31R rz VZ IZ2见表5第6栏表2B组检验1051 TA1=一55士3C.TAZ=125士2C环25次1071 件HC. 碳化合物见表4的l、2和3步1027 1 TA=25土3C.t=340h 2075 2037 IzM=30mA，Vz见表5第1栏见表4的1、2和5步1032 1 TA=150C .t=340h 见表4的1、2和5步值单位最大值5第1栏+3%1V 5第5栏5 3栏5第6栏 A 。叫/C10 5 每批一只，0失效20(C=0) 7

9、一一5一SJ 20185 92 一表3C组检一一检验或试验GJB 128 LTPD 方法条bT a咱tC1分组外形尺寸15 2066 I见图l力引拉10 2036 I试验条件A，静负荷重，W=20Nt=5s 密封1071 a. b.粗外部目检最后测试sC3分组冲击按B2按B2分组2071 I按A1分组E见表4的13和310 动恒定加速度最后测试gC4分组盐气(侵蚀C5分组不适用C6分组作寿命2016 I非工作p加速度14700m/s2,e=O. 5s X，、Y，方向冲击各5次2056 I非工作2006 I 196000m/ SZ ,X Y 1方向按表4的1、2和3步15 1041 =10 最后

10、测试21026 I TA=25C ，IzM=30土1.5mAVz见表5第1栏按表4的1、2和5步表4B组和C组的最后测试最极限值最大值单位GB 6571 步骤|检验或试验方法条件符号1 I 电压2. 2. 1. 1 直流法，z=10mAVz 栏表l栏v 2 I 电阻2. 2. 2. 1 Z=1伽nArz 初的1.2倍|。3 I 电压2. 2. 3. 1 直流法;VZ 表5的第6栏110-1/C系数TA1=25.C TAZ=75.C 4 I反向电流I2. 2. 5 I IR I l表5的5栏|A VR见表5的第4栏TA=25士3C 5 I 电压2. 2. 1. 1 直流法s变化TA=25土3Ct

11、lVz 初始值的的V lz=10mA 一1%+1% 一6一SJ 20185 92 表5电参数规程表栏号1 2 3 4 基准电压试电流微分电阻反向电压电参数Vz Id rZ VR (V) (mA) (0) (V) 牛I=Iz1 I=Iz1 型号20W232 6. 2 10 10 3.6 20W233 6.2 土3%10 10 3. 6 20W234 6.2 10 10 3. 6 20N235 6. 2 10 10 3.6 20W236 6. 2 10 10 3. 6 5 交货准备5. 1 交货要求包装、贮存和求应符合GJB33的规定。6 说明事项6. 1 说明在GJB33中规定的说明适用于本规范。6.2 订货资料订货单中可以规定引线材料和镀层(见3.2.1)。附加说明:本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。5 反向电流IR A)V=VR l 1 l 1 1 本规范由中国电子技术标准化研究所、杭州无线电二厂负责起草。本规范主要起草人:王董文、于志贤。计划项目代号:B91020。6 电压系数一一一VZ lz, (10-6/C) (mA) I=z, 5 5.0 5 7.5 5 10.0 5 12.5 5 15.0 一7一