SJ 20182-1992 半导体分立器件.3CT682、683、685～692和3CT5206型反向阻断闸流晶体管.详细规范.pdf

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1、1 范围中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3CT682、683、685692和3CT5206型反向阻断闸流晶体管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for reverse-blocking thyristor for types 3CT682 , 683 , 685r J 692 and 3CT5206 ,. , 主题内容SJ 20182 92 本规施规定了3CT682、683、685;692和3CT5206型反向阻断闸流晶体管以下简称器件的详细要求，该种器件按GJB33Tc=125C, VRM=VRRM ,V

2、OM=VORM 9.最后测试本规范表l的A2分组zIRRM=初的100%或0.4mA，取较大者s, loRM=初始值的100%或0.4mA，取较大者s4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定，由A组、B组和C组检验或试验组成.4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规施表2的规定进行，4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.4.4 检验和试验方法检验和试验方法应按GJB128和本规范表1、表2、表3的规定。表1A组检验SJ/Z 9014.3 LTPD 符号方法条JL A1分组5

3、 外观及机械GJB 128 2071 A2分组5 反向重复电流4. 1. 3. 1 V民M=VRRM IRRM1 f=50Hz 断态重复电流4. 1. 6. 3 VOM=VDRM IORM1 f=50Hz 控制极触发电压和电流4. 1. 7 Vo=6.0V ,R1=50,o VGT1 R2=20,o Cmax) IGn 极限单位最小值最2.0 mA 2.0 mA 3.0 V 50 mA 一5一SJ 20182 92 续表lS1/2 9014.3 值值一大一最限T|-值极一小最单位检验或试验方法条件LTPDI符号通态il1辈值电压I 4. 1. 2. 3 !hM=50A VTM 2.0 V tp

4、10ms 占空因数2%维持电流4.1.5 Vo=24V, IH 50 mA h=3A 控制极反向电流| 附录AIVG=一5VIG I - 300 I mA A3分组5 高温工作2 Tc=125 C 反向重复峰值电流14. 1. 3.1/VRM=VRRMI I 1 RRM2 I 5.0 mA f=50Hz 断态电流4. 1. 6. 3 VOM=VDRM; I IORM2 5. 0 mA f=50Hz 控极不触发电压4. 1. 8 VO=VOHM VGO 0.25 V R2=20!1 低温工作g反向重复dI革值电流I 4. 1. 3. 1 IV HM = V RHM , I 1 HRM3 I 2.

5、0 mA f=50Hz 断态重复峰值电流14. 1. 6.3 VoM=V川3I IORM3 I 2. 0 mA f=50Hz 控制极触发电压和4. 1. 7 Vo=6V, VGT3 3.0 V 电流R1=50!1 IGT3 100 mA R2 = 20!1 (max) , A6分组10 电流4.3.3 I-rsM=150A 每分钟l次，共10次Tc=125C VRM=VRHM 浪涌持续时间=7ms(rnir最后测试s|按表4、1、3、5和16 A7分组10 断态电压临界上升率4.1.11 lc=12SC VO dvldt=25V Is 试验持续时间=15s3CT682 45 V VlJM=50

6、V 3CT683 95 V VDM=100V 3CT685 190 V 一6一SJ 20182 92 续表lSJ/Z 9014.3 极限值试验LTPD 符号单位方法条牛最小值最大值VoM=200V 3CT686 240 V VoM=250V 3CT687 280 V VoM=300V , 3CT688 370 V. VoM=400V 3CT689 470 V VoM=500V 3CT690 570 V VoM=600V 3CT691 660 V VoM=700V 3CT692 760 V VoM=800V 3CT5206 950 V VOM= 1000V 电路换向关断时间4. 1. 10 丁、

7、c=120C;hM=10At. tp二月0sdi/dt=8A/s(max) VRM =V RRM I 重复率60ppsdv/dt=20V/阳VOM=VDl!M; 控极偏置条件s控制极电源电压=ov控制极电电阻=100.03CT682-688 30 s 3CT689-G90 40 s 3CT691-692 60 司3CT5206 60 s 控制极控开通时间4. 1. 9 lTM=10A hM=150mA t . 5 s 控制极电流脉冲g上升时间0.5持续时间20问重复率60ppsdi/dt5A/ 3CT682,Vo=50V 3CT683-692, VO= 100V 3CT5206 Vo=100V

8、 一7一SJ 20182 92 一表2B组检验GJB 128 极R 单检验或试验LTPD 符号方法条件最小制最大值位B1分组15 可焊性2026 |控制极引出端焊片部分留时间=10士ls标志的耐久性1022 B2分组10 热冲击温度循环)1051 低，-55C，其余按试验|条件F.锚环10次密封s1071 5X 10-2 Pacm勺sa.细检漏b.粗最后测试g按表4.步1、3、5和6十B3分组5 交流阻断1040 试验条件ATc=125C.t=170土24hV;也M=VRRMVDM=VDIM ，RGK= 最后测试E|按表4.步骤2、4、5和7B4分组批1个|开帽内直观设计2075 器件/0检验

9、失效B5分组15 热阻SJ/Z 9014.3 Tl = 16A ;1. = 125C (max) R , 2.0 C/W 4.2.2 Tg=保证完全导通的是低B6分组7 高温寿命1032 TA=150C ;t=340h (非工作状态)最后测试g|按表4.步2、4、5手日78一检验或试验C1分组外形尺寸C2分组热冲击(波璃应力)引出度弯曲应力转短密封za.细检b. rl- / 度周 外观检验最后测试gC5分组低气压C6分组间歇工作寿命最后测试sSJ 20182 92 表3C组检验GJB 128 方法条件12叫按图1件B20.3fi |试验条件F.方法B阴极端:W=230gt=15土3s- I 控

10、制极端:W=230gt=15士3sI s试验条件D，; 转矩=2.5Nmt=15土3s五1102112071 按表4.步骤1、3、5和610011 VDM=V l)IM ,VRM=VRRM.t=60s 气压:2000Pa(200V 600V) 4000Pa(700V 1000V) 10361IT(Av)=4A ton=50min Tc=100土5CtoH = 10min Tc不控制按表4.步骤2、4、5和7极限值LTPDI符号最小值|最大值I 15 十单位I 15 X 10 I Pacm3/s 15 =10 9一SJ 20182 92 表4A组、B组和C组检验的电测试检验符号限值i单最小值丁最

11、大值i位步SJ/Z 9014.3 方法条品Taa咽1 l反向电流4. 1. 3. 1 VHM=VHRM I lRRM1 I 2.0 I mA f=50Hz 2 1Ei.向重复电流4. 1. 3. 1 VHM=VHRM I lRRM1 I 4.0 I mA f=50Hz 3 l断态重复电流4. 1. 6. 3 VOM=VORM I loRM1 I 2.0 I mA f=50Hz 4 |断态重复电流4. 1. 6. 3 VOM=VO民MI 10刷1I 4.0 1 mA f=50Hz 5 极触发电压和电流4. 1. 7 V ,=6.0V VGT1 3.0 v R1=50!l h Tl 50 I mA

12、 Rz=20!l(max) 6 |通电压4. 1. 2. 3 hM=50A VTM 2.0 v tl10ms 占空因数2%7 态峰值电压4. 1. 2. 3 ITM=50A VTM 2.2 V tl)主10ms占空因数2%5 交货准备5.1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项GJB 33中规定的说明适用于本规范。一10-A1 目的SJ 20182 92 附录A控制极反向电流测试方法(补充件一本测试的目的是为了在规定的控制极反向电压下测量器件的控制极直流反向电流。A2 测试电路选择R以限制超过控制极反向击穿电压时的电流。D.U.T A R -/ V 注g电流表两端之间应呈现短路，否则应对电压表读数作也流表压降方面的修正.因Al控制极反向电流测试电路A3步调节规定的控制极反向电压井读出控制极反向电流。A4 规定条件控制极直流反向电压应在详细规延中加以规定。附加说明:本标准由中国电子工业总公司科技质量局提出。本标准由中国电子技术标准化研究所归口。本标准由中国电子技术标准比研究所、青岛电器元件厂负责起草。本标准主要起草人g金贵永、郭美琪、陈熙春。计划项目代号:89080.一一11-一