SJ 20181-1992 半导体分立器件.3CT107型反向阻断闸流晶体管.详细规范.pdf

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1、1 范围中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3CT107型反向阻断阐流晶体管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for reverse-blocking thyristor for type 3CT107 1. 1 主题内容SJ 20181- 92 本规范规定了3CT107型反向阻断闸流晶体管以下简称器件的详细要求，该种器件投GJB 33Y，和Y2方向，每个方向各5次变频振动2056 98m/s2 恒:加速度2006 24500m/s .儿.y 1和Y2方向.最后试2按表4.步骤l、3、5和6 C4分组15 盐气

2、(侵蚀)(适用时1041 一一C5分组15 低气压1001 VDM=VDI时.VRM=VRRM.t=60s 2000Pa C6分组=10 y仙V)=50A 间歇工作寿命1036 ton=50min 7c=80土5.CtoU= 10min Tc不控制最后1试z按表4.步骤2、4、5和7一-8一-SJ 20181 92 表4A组、B组和C组检验的电测试步SJ/Z 9014.3 极限自主在检符号位方法条件最小值最大l 反向重复峰值电流4. 1. 3.1 VRM=VRRM J剧之Ml5.0 i r且Af=50Hz 2 反向重复峰值电流4. 1. 3. 1 VRM=VRRM IRRM1 10. 0 I

3、mA f=50Hz 3 断态重复峰值电流4. 1. 6. 3 VOM=VORM lDRMI 5.0 mA f=50Hz 4 断态重复峰值电流4. 1. 6. 3 VOM=VORM IORM1 10.0 ml也f=50Hz 。控制极触发电压和电流4. 1. 7 Vo=GV VGT! 3.0 V R1=10n IGT; 5 70 mA R2=25n(max) 6 通态电压4. 1. 2. 3 In.l=150A VT.M 2. 1 V tp10ms 占空因数2%7 通态电压4.1.2.3 hM=150A VTM 2. 3 V tr三二10ms占空因数主主2%5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应

4、按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6说明事项GJB 33中规定的说明适用于本规范。9 - A1 目的SJ 20181 92 附录A控制极反向电流测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的控制极反向电压下测量器件的控制极直流反向电流。A2 测试电路选择R以限制超过控制极反向击穿电压时的电流。D. lI.T A R / v 注2电流表两端之间应呈现短路，否则应对电压表读数作电流表压降方面的修正.图Al控制极反向电流测试电路A3步节规定的控制极反向电压并读出控制极反向电流。A4 规定条件控制极直流反向电压应在详细规程中加以规定。附加说明:本标准由中国电子工业总公司科技质量局提出。本标准由中国电子技术标准化研究所归口。本标准由中国电子技术标准化研究所、青岛电器元件厂共同起草。本标准主要起草人:金贵永、陈熙春、郭美琪。计划项目代号:B91016*。一-10-明