SJ 20174-1992 半导体分立器件3DK2221（2221A、2222、2222A）型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.pdf

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1、1. 1 中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DK2221、3DK2221A、3DK2222、3DK2222A型NPN硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of types 3DK2221、3DK2221A3DK2222 and 3DK2222A 内容SJ 20174 92 本规范规定了3DK2221、3DK2221A、3DK2222和3DK2222A型NPN硅小功率开关晶体管以下简称器件的详细要求。每

2、种器件按GJB33b吁份2;D ;D、J K L L、号寸nun 三4.32 0.407 5.31 4.53 0.92 0.51 12.5 引出端极性g1.发射极2.基极3.集电极mm A3-01B nom max 斗5.33 2.54 1. 01 0.508 5.84 4.95 1. 04 1. 16 1. 21 25.0 1. 27 2一-SJ 20174 92 1.3 大额定值Pto.l) P to.2) Vc皿VCI皿型号TA=25C Tc=25C (W) (W) (V) (V) 3DK2221 60 30 3DK2222 0.5 1. 8 3DK2221A 75 50 3DK2?22

3、A 注:1) TA25C时，按2.85mW IC的速率线性降.2) Tc25C时，按10.3mW/C的速率线性肝酬1. 4 主要电特性(TA-25C)参数型号符号(单位试条件3DK2221 、VcE=10V 3DK2222 hFE1 Ic=O.lmA 3DK2221A 3DK2222A 3DK2221 VCE=10V 3DK2222 hFE2 Ic= 1. OmA 3DK2221A 3DK2222A 3DK2221 VcE=10V 3DK2222 hFE3 Ic=10mA 3DK2221A 3DK2222A 3DK2221 VcE=10V 3DK2222 hFE 1) Ic=150mA 3DK

4、2221A 3DK2222A 3DK2221 VCE=10V 3DK2222 h. l) FE5 Ic=500mA 3DK2221A 3DK2222A f=100MHz fT(MHz) VcE=10V Ic=20mA 所有型号f=lMHz Cobo(pF) Vc8=10V IE=O 所有型号L 3一-VE回Ic T啕和Tj(V) (mA) (C) 5 800 -.65-+200 6 限最J|、20 35 30 50 25 150 50 325 35 150 75 325 35 75 40 100 于40 120 100 300 40 120 100 300 20 30 20 30 250 8

5、SJ 20174 92 续表参数型号符号单位测试条件3DK2221 3DK2222 lc=100mA Z咀(ns) l=l伽nA3DK2221A 3DK2222A 3DK2221 lc=100mA 3DK2222 tolf (ns) l1=l2=1仇nA3DK2221A 3DK2222A 3DK2221 3DK2222 lc=150mA (V) V . t)1 1) l=15mA 3DK2221A 3DK2222A 3DK2221 lc=50仇nA3DK2222 V四圃t)z1) (V) l=50mA 3DK2221A 3DK2222A 3DK2221 lc=150mA 3DK2222 VBE

6、(l1 1) (V) l=15mA 3DK2221A 3DK2222A 3DK2221 3DK2222 lc=500mA VE(凰山1) (V) l=50mA 3DK2221A 3DK2222A 、注，1)见4.5.1).2 引用文件3 GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法极值最最大值40 35 250 300 0.4 0.3 1. 6 1. 0 0.6 1. 3 0.6 1. 2 2.6 2.0 一一4 SJ 20174 92 3. 1 详细要求GJB 33和

7、本规范的规定.3.2 设计、结构和扑形尺寸件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定.3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡.对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定见的.3.3 标志件的标志应按GJB33的规定。4 4. 1 抽样和检验检验应按GJB33和本规范的规定.4.2 鉴定鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级按GJB33表2和本规范的规定.下列应接收.试应按本规范表1进行，超过规定极限值选见GJB33表2)7. 中间参数测试8. 功率老化9. 最试4.3. 1 功率老化条件TA-

8、25士3(;VCB 24V(3DK2221、3DK2222)试或试GT和GCT级Ic蹈、ICBOl和hFEC见4.3.1本范表l的A2分组sI:JCBOI =初的100%或5nA，取其较大者sMFEC=士15%V30V(3DK2221A、3DK2222A)Pto,-400mW 注g不允4.4 质量一致性或强迫风冷.质量一致性检验应按GJB33的4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规4.4.2 B组一-5 -一定进行.1的规定进行。SJ 20174 92 B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行.表4的步骤进行.4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行.表4

9、的步辄N1 J D 4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定. 4. 5. 1 脉冲测试冲测试应按GJB128中3.3. 2. 1的规定。4.5.2 输入电容本试验应按本规范附录B规定的方法进行.检A1分组A2分组方GJB 128 2071 电极一基极击穿电压I 2. 9. 2. 1 3DK2221、3DK22223DK2221A、3DK2222A 发射极一基极击穿电压I 2. 9. 2. 2 3DK2221、3DK22223DK2221A、3DK2222A 集电极一发射极击穿电压!本规拖附录A3DK2221、3DK22223DK2221A、3DK2222A 集电极一发

10、射极截止电3DK2221、3DK2222 3DK2221A、3DK2222A 电=. 3DK222i、3DK22223DK2221A、3DK2222A 发射极一基极截止电流2.14 2.1 2.2 表1A组检验GB 4587 条件发射极一基极开路Ic=10A 电极一基极开IE=10A 发射极一基极开路Ic=lOmA 脉冲法(见4.5.1)VcE=30V VcE=50V 发射极一基极开路VcB=50V VcB=60V 电极一基极开路VEB=4V 测试和变化量范试和变化量()要求应按本规范5 5 符号V(酬)C皿V(盹)E田V(阻)C四IcES 最60 75 5 6 30 50 Ic盹一IE皿 单

11、位一一一飞J一飞J一飞J一飞J一IVIV 1 IA 10 I nA 10 I nA 一一6 方法正向电比2.8 3DK2221 3DK2222 3DK2221A 3DK2222A 正向比2.8 3DK2221 3DK2222 3DK2221A 3DK2222A 正向电比2.8 3DK2221 3DK2222 3DK2221A 3DK2222A 正向电比2.8 3DK2221、3DK2221A3DK2222、3DK2222A 正向电流比2.8 3DK2221、3DK2221A3DK2222、3DK2222A 集电极发射极饱和压降2.3 3DK2221 , 3DK2222 3DK2221A、3DK

12、2222A 集电极发射极饱和压降l2.3 3DK2221、3DK22223DK2221A、3DK2222A 基极发射极饱和压降2.4 3DK2221、3DK22223DK2221A、3DK2222A 基极发射极饱和压降2.4 E 3DK2221、3DK22223DK2221A、3DK2222A 7 一一SJ 20174 92 续表1A组检验GB 4587 条件VcE=10V /c=0.1mA VCE罩10V/C=l. OmA VcE=10V /c=1伽nAVcE=10V /c=150mA 脉4. 5. i) VcE=10V /c=500mA 脉冲法(见4.5.1)/c=150mA /B=15m

13、A 脉冲法(见4.5.1) /c=50伽nA/=5臼nA脉冲法见4.5. 1) /c=150mA /B=15mA (见4.5.1)/c=500mA iB =50mA 脉冲法(见4.5.1)符号hFE1 hnz hFE3 hFE hFE5 I Vc阳HI V CE(.)Z 最小值|最单位20 1 35 30 50 25 150 I 50 325 I 35 150 I 75 35 75 40 E 100 I 40 120 I 100 300 I 20 30 0.4 I V 0.3 I V 1.6 I V 1.0 I V IV田恤t)lI I o. 6 I 1. 3 I V I o. 6 I 1.

14、2 I V IV阻阳t)ZI 2.6 I V I 2.0 I V SJ 20174 92 续表1A组检验GB 4587 方法条件，TPO符号极限值单位最A3 作aTA=+150C 电极基极2.1 发射极基极开路I lc剧i10 |A 3DK2221、VCB=50V 3DK2222 3DK2221A、VcB=60V 3DK2222A 作zTA=一55C正向电比2.8 hFE6 3DK2221、3DK2222AVcE=10V 15 3DK2222、3DK2222AIc=10mA 35 A4 5 正向电流传比(费要时3DK2221 3DK2222 3DK2221A 3DK2222A 特征频率2.7.

15、2 VcE=10V lc嚣1mAf=lkHz h,. 附录BA4 VcE=20V.lc=20mA f=100MHz VcB=10V.h=0 f=lMHz V四=0.5Vf=lMHz Ic=O(见4.5. 2) Ic=100mA IB=10mA fT 500om 25352 2. ll. 2 MHz 出电容2. ll. 3 C血8 IpF 入电容出开路开启时间3DK2221、3DK22223DK2221A、3DK2222A 饱和关闭时间3DK2221、3DK22223DK2221A、3DK2222A CiIoo 25 IpF t 40 I ns 35 I ns A4 Ic=100mA IBI=I

16、Bz=lOmA t. 250|: A5、A6和A7分组不适用一一8 一-B1分组可焊性标志的耐久性B2分组热冲击(温度循环密封a.细b. z B3分组稳态工作寿命最后测试sB4分组开帽内部目俭设计验证键合B5分组不适用B6分组最后测试g9 方法2026 1022 1051 1071 1027 SJ 20174-92 表2B组检验GJB 128 条件Vcs=10V Po,=500mW TA=25士3.C不允许器件加散见表4.步骤2和52075 I 目检标准按鉴定时的设计2037 1032 TA白200.C见表4.步骤2和5LTPD 15 10 5 每批一个器件.0失效20(C=0) 7 、SJ

17、20174 92 表3C组检验GJB 128 LTPD 符号单位值值一批限T牛一值极-M最方法条件C1分组外形尺寸15 2066 见图1C2分组热冲击(玻璃应力引出端强度密封10 1056 2036 1071 试验条件A条件Ea.细b.粗.一外观及机械检验最后测试z1021 2071 见表4.1、3和4C3分组10 冲击2056 I 恒定加速度最试g且表4.1、3和4C4分组15 盐气适用时1041 C5分组不适用C6分组I =10 作寿命TA=25士3CVcB=lOV Ptot=500mW 不允许器件加散热器或强迫风冷最后试2见表4.2和5C7分组5 高温工作gTA=+150C 集电极饱和压

18、2.3 Ic=150mA 扣CE(.t】IB=15mA 3DK2221、3DK2222脉冲法(见4.5. 1) 0.5 V 3DK2221A、0.45 V 3DK2222A 低作gTA=一55C基极发射极饱和压降I 2. 4 I Ic=150mA IV BE(.t) 3DK2221、3DK2222Ia =15mA 1 1. 51v 3DK2221A、3DK2222A脉冲法(见4.5. 1) 1. 4 I V 一一10一一SJ 20174 92 表4B组和C组的电测试GB 4587 极步符号单位方法条件最l 截止电流2.1 发射极基极开I lc皿110 nA 3DK2221、3DK2222Vc=

19、50V 3DK2221A、3DK2222AVc=60V 2 2.1 l发射极基极开路IICBDl 20 . I nA 3DK2221、3DK2222Vc=50V 3DK2221A、3DK2222AVc=60V 3 . I 电极发射极饱和压降2.3 Ic=15OmA VCE(.ll I=15mA 3DK2221、3DK2222脉见4.5. 1) I 0.4 v 3DK2221A、3DK2222A0.3 v 4 l正向电流传比2.8 VCE嚣10VhFE 3DK2221、3DK2221AIc=150mA 40 120 3DK2222、3DK2222A脉冲法见4.5.1)100 300 5 l正向电

20、流比2.8 VcE=10V Ic=150mA AhFE.ll 脉冲法见4.5.1)|初的士25%注:1)对，超过A组的器件不应接收.5 交货包装要求应按GJB33的规定.6说明合同或定要求的引出端材料和涂层(见3.2. 1) 0 一一11-Al 目的SJ 2074 92 附录A集电极一发射极击穿电压测试方法补充件试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限.A2 测试电路测试电路见图Al.S R. 电i五激v 1 Vc缸_J 图Al集电极一发射极击穿电压测试电路A3步电阻器Rl为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表.在发射极一基极开路的条件下，增如

21、电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限，则晶体管为合格。B1 目的景B输入电容输出端开路或短路测试方法(补充件本测试的目的是为了在规定的条件下，测试晶体管输入端的并联电容.B2 测试电路试电路见图Bl.一12一 SJ 20174 92 电桥YBE 电A l/c -电压+ 注z对于其他电路组态，可修改电路以能证明晶体管与详细规范的最低要求一致.图Bl输入电容输出端开路或短路测试电路B3步电桥输入端之间的直流电阻应小，并能传输所要求的发射极电流而不影响测试要求的精度.将规定的电压及电流加到引出端上，并将交流小信号加到输入端上.将开关S断开或闭合取决于输出端在交流短路或开路状态.然后测试输入电容。电容读数仪应与连接的电路无关，从而消除寄生电容和电路布线所引起川民品。附加说明g本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口.本规范由中国电子技术标准化研究所和国营七四六厂共同负责本规范主要起草人g王长福、徐锦仙、王承琳、钟泰富.项目代号:B91002.13 -