SJ 20075-1992 半导体集成电路Jμ8309A型可编程中断控制器详细规范.pdf
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1、S.J 中华人民共和国电子行业军用标准SJ 20075-92 半导体集成电路J8259A型可编程中断控制器详细规范19921119发布1992-05一01实施中华人民共和国机械电子工业部发布目次l 范闸1. 1 主题内容.,.,.,.1 1.2 适用范闸.1.3 分类2 引川文fI:. 2 3 要求. 2 3.1 详细要求.23.2 设计、结构和外形尺寸.1.2 3.3 引线材料和涂覆.4 3.4 山仲性.4 3.5 山试验要求.4 3.6 1),卒.,.4 3.7 微山路细的划分44 质量保证规定.11 4.1 抽样和l检验.114.2筛j是.114.3 接定检验.124.4 质量一致性检验
2、.134.5 检验方法.1,75 交货准备.18 5.1 包装要求.186 说明事项四6.1 关于测试欠量的一般规定.186.2 订货资料.186.3 功能说明、符号和定义.18 6.4 替代性.111.196.5 操作.11 .,.20 中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路J8259A型可编程中断控制器详细规范SJ 20075 92 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了半导体集成电路J8259A型可编程中断控制器(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用?在罔本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规范对微电路按器件型号、器件等级、封装形式、额定值和推存工作条件来分类。1
3、. 3. 1 器件编号器件编号应按GJB597 IR6 。56 23 IR5 D4 咱IR5 。47 22 IR4 。3IR4 D3 8 21 IR3 自2革IR3 D2 9 20 IR2 IR2 Dl 10 19 IRl IRl DO 11 IRO CASO 12 INT 55353EE CASl 13 16 SP/EN V 14 15 CAS2 片式载体封装引出端排列双列挝装引出端排列因l引出端排列3.2.2 功能框图功能杠因应符合阁2的规定。INTA INT 制逻辑RD CS 甲阶月民?于饥冗仪IWV需求IRO ,总寄存器分解器于守1号E器IRl 叫可槐眩级钱CISR) (JRR) IR
4、2 CASl 冲器/比IR3 CAS2 较器IR4 IR5 SPI巳Nr-1R6 IR7 中断屏蔽寄存器(lMR) 怪12功能概因句、dSJ 26075-92 3. 2. 3 功能说明、符号和定义功能说明、符号和定义,应符合本规范6.3条的规定。3.2.4 封装形式封装形式应符合本规范1.3.l.3条的规定。3. 3 引线材料和涂穰引线材料和涂覆,应按GJB597第3.5.6条的规定。3. 4 也特性也特性所符合表l的规定,若无其它规定,适合于全工作泪皮范围。3. 5 l试验要求各级器件的电试验要求,应为表2所规定的有关分组,各分细的电测试技表3的规3. 6 标志标J占应按GJB597第3.6
5、条的规定。3. 7 微电路细的划分本规范所渺及的器件为第107微电路姐(见GJB597附录E)。表l电特性序.1) 特性符号条件2)规j也值单位时序;在小最大因输入低电平电EF.y肌0.5 0.8 V 2 输入商电子I也EF.VlH 2.0 VDD+0.5 V 3 输tHf民也平电压VOL IOL 2.2 mA 0.45 V 4 输出高电平也应VOH IOH:= -400A 2.4 V 5 中断输出商也平IOH扭叫IOOIlA3.5 VOH(INT) V t也lliIOH=四400llA2.4 6 输入负载电流11 V1 =OV-VDD 一1010 IlA 7 输IH向阳态时商IOZL VO=
6、0 .45 V-VDD 10 10 IlA rt!平电流8 输出高阳和时低IOZH VO= VDD 10 mA 电平电流9 rt!源电流IDD 85 IlA 10 输入电容C1 Tc口250C,VDD口。V,10 pF 1=1 MHz 11 输入/输出屯在CIIO Tc=25吧,VDD=O V, 20 pF 非测试端接Vss12 AWCS建立时间tsu(AH-RL) 。ns 8 到RDANEA)13 而/丽亚后AOth(RHAX) 。ns 8 CS 保持时间14 RD脉宽tw(RLl 235 ns 8 4 序号l)特性符号15 AWCS建i时间tsu(AH叩WL)(到WR)16 WR JD A
7、O!CS th(WH叩AX)保持时间17 W只脉宽tW(WL) 18 数据1主:时间tsu(DV-WH) (到百k)19 WR后数据保th(WH-DX) 持时间20 中断请求脉宽tW(lRL) (低r平)21 第一次成第二次tsu(CASV-INTAL) INTA前CAS边把时间(1又从n) 22 RD材iW:到下一tW(RH) 个命令开始的持续时间23 WR结束到下一tW(WH) 个命令开始持楼时间24 数据有效时间td(RL-DV) (从议。!INTA 开始)25 RW INTA后数th(RH吨。且)据悬当习时间26 中断输出延边时td(IRH-INTH) |可27 CAS有效时间td(I
8、NTAL-CASV) (从第一次币丑开始)28 允许有效时间td(RL-ENL) (从RD民JNTA开始)SJ 07592 续表l条件2)数据总统电容C为:最大测试电容100pF 最小测试电容15pF 规范值段小最大。290 一240 。100 55 300 370 一200 10 100 350 565 125 单位被形罔ns 7 ns 7 ns 7 ns 7 ns 7 ns 10 ns 10 ns 9 ns 9 ns 8 ns 8 ns 10 ns 10 ns 8 5 序IJ1) 特性29 允许无放时间(从RD成币7天开始)30 数据有放时间(从自放地址开始)31 CAS有效到数据总钱有效
9、时间符号td(RH耐ENH)th(AH-OV) th (CASV户。V)SJ 2.0075 92 续表l条件2)数据总销I包容C为:最大测试电容100pF 最小测试电容15pF 注:1)本表中参数的序号与时序图中参数的编号是一致的。2)若无其它规定,TC=-55- 125 oC , Voo础知O.5V,Vss埠。V,表2电试验要求规范值单位被形最小最大国150 ns 200 ns 8 300 ns 10 试验要求分组(见表3)B级器件Bl级器件中间(老化前)电测试Al , A7 AJ.人7(方法5004)最终ll!,测试。Al. A2 , A3 , A7 , A8 , A9 , AI0 , A
10、1. A2 , A3 , A7 , A9 (方法5004)AIl A组试验要求2)A1 , A2 , A3 , A4 , A7 , A8 , A9 , A1 , A2 , A3 , A4 , A7 , A9 (方法5005)AIO, All 日组VZAP试验见本规?也4.5.3条见本规;范4.5.3条C组终点!也测试A2 , A3 , A8 A2 , A8 (仅1250C)(方法5005)C组枪验增加l的分组不要求AI0 , All 。组搀点11!.测试A2 , A8 (仅1250C)A2 , A8 (仅1250C)(方rt:5005) 注:1) A1、A7分组l要求PDA计算(见本规部4.2
11、条)。2) A4分组(C1、CI/O)仅用于鉴定(见本规市4.4.1条)。6 分组A1 A2 A3 A4 A7 A8 A9 符号V1L V1H VOL VOH VOH(lNT) h IOZL IOZH IOD 波形回SJ却075-92表3A组电测试条件IOL且2.2mAIOH=四400AIOH坦白100AIOH =-400A V1=0 VVDD VO =0.45 V VDD VO= VDD 除T俨1250C外,参数、*件、规?在值均同Al分组。除TC=由550C外,参数、条件、规范值均阿Al分姐。q VDD=O V,产1MHz CIIO VDD出OV,未测试端接Vss规施值最小最大0.5 0.
12、8 2.3 VDD+O.5 0.45 2.4 3.5 2.4 -10 10 -10 10 10 一85 10 20 按6.2条的规定,Tc=250C,在VDD=4.5V和Voo=5.5V下分别进行功能测试。除TC550C和1250C外,均同A7分姐。su(A曰-RLl8 。一fh(RH-AXl 8 。一tW(RLl 8 235 fsu(AH-WLl 7 。th(WH叫AXl7 。fW(WLl 7 290 fsurDV-WHl 7 240 th(WH-OXl 7 。fW(lRLl 10 100 tsu(CASV也INTAL】10 55 一fW(RHl 9 300 一lW(WHl 9 370 一l
13、d(RL血。Vl8 数据总统电容C为: 200 lh(RH-DZl 8 最大测试电容100pF 10 100 td(lRH-INTHl 10 最小测试电容15pF 350 fd(INTAL-CASVl 10 565 f!l(RL-ENLl 8 125 ld(RH-ENHl 8 150 lhiAH-OVl 8 200 thiCASV-DVl 10 300 单位V V V V V V A A A mA pF pF ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 一?一SJ 26075-92 表3A组电测试分割守机J ilJ(形
14、条因件规范值最小最大A10 除T(=1250C外,参数、条件、规划值均同人9分组。All 除T(=-550C外,参数、条件、规范值均间A9分组。|I m! E二3一一刊).。一-c二3一一一的珩C1接被测器件in 1f:Rl取合适的限*电阻; C1=IOO pF:t20%: 几AP=400 V,在器件输入端上测得:脉冲转换时间(tTLH)运50ns (lO%90%)。因3高电压(VZAP)试验电路一8一单位SJ 2.0075-92 5V 卡川卡500nsG 注:老化过程中观黯12、13、15、17端的输出信号,老化前必须进行下列预置1引出端AO WR RD 。l02 03 04 05 06 0
15、7 。条件。因4老化和寿命试验线路图一9叫SJ 28075 92 2.4 :测叫:0.45 因5交流测试输入/输出波形图型于一主L=lUUP站:1) CL包括央具电容。因6交流测试负载电路t 罚瞅则峰楠、 能尊图7写周期波形图tIJI11mI 四阁8读/INTA时序因一10町SJ 0075-92 即棚贺 自隙因9其它时序凶IR 4画L汇)-I附1m -咽-幽幽幽幽幢呻回幽H:作少在第一个INTA主边沿前中断输出必须保持高|扫干。1) 8086、8088系统中的第一周期,数据总线处于7G放状态。因10INTA时序图4 质最保证规定4. 1 抽样平11检验若无其它规定,抽样和检验程序应按GJB59
16、7和IGJB 548方法5005的规定。4. 2 筛选在鉴定和质量一致性检验之前,全部器件按GJB548方法5004和!表5的规定进行筛选。4A A SJ M075-92 农5筛选程序若无其它规定,表中采用的方法系指GJB548的试验方法。项目方法和条件8级器件Bl级器件内部目检方法2010,试验条件B方法2010,试验条件B稳定性烘焰f(不方法1008,试验条件方法1008,试验条件要求终点测盘)C: 24 h, 1500C C: 24 h, 1500C 温度循环方法1010,试验条件C方法1010,试验条件C恬定加j禀度方法2001,试验条件方法2001,试验条件E,仅Yl方向D,仅YI方
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- SJ 20075 1992 半导体 集成电路 8309 可编程 中断 控制器 详细 规范
