SJ 20068-1992 半导体分立器件.2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范.pdf
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1、中FL 5961 SJ 20068 92 rhhd Semiconductor discrete device Detail specification for lower noise for silion voltage reference diode for type 2DW14 18 1992-11-19发布中国电子工业总公司批准1993主05-01实施中华人民共和国电子行业体分立器件2DW14 J18型低噪声硅电压1. 1 主题内容范Semieondudor diserete device Detail specirication for lower noise for silicon
2、 voltage reference diode for type 2DW14 ;18 -一SJ 20068 92 , 本规范规定了2DW14n18种器件接GJB33(半导体分立GCT). 电压基准二极管以下筒称器件的总规范的规定,提供产品保证的三个(GP、GT1.2外形尺寸外形尺寸应按GB7581( 立器件外形尺寸中的A3:02B型,1 . 中国电子1992-11-19 1993-05-01 1 / 0.35 #品t气、加、图1外形尺寸SJ 20068 92 O.30 、舟、气符号A 如 仇D L J K L L1 mm A3-02B 寸寸最小公称最大6.10 6.60 5.08 1. 01
3、 0.407 0.508 8.64 9.39 8.01 8.50 0.712 0.787 0.863 + 0.740 1.14 12.5 25.0 1. 27 1.3 值型号几MH(mW) 2DW14-18 200 注11)TA25C.按1.6mW/C1.4 主要电特性详见表的Vz 号lz=l仇nA(V) 2DW14-18 6.3士5%2 引用文件SJ 20068 92 12M Top (mA) CC) 30 一55-+150 rz 1. lz=l臼nAV.=3.6V 、(0) A)10 500h)基准电压的相对变化国-3.2.2 噪声电压(V.)noise Voltage 在规定的测试条件下
4、,电压基准二极3.3 设计、结构和外形尺寸间产生的器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的-甩.3.3.1 引出端材料和涂层引出端材料应是可伐、杜美.引出层可在合同或订货单中规定见6.1条).3.3.2 器件内部结构芯片与支架采用,芯片与内引线末工艺.3.4 志件标志应按GJB33及本规范的规定.3.4. 1 极性电T啕(C) -55-+175 V. r f=10Hz-10kHz lz=l臼nAA) 5范 .选用的材料和涂-3一SJ 20068 92 4 4. 1 4.2 4.3 的负用白色色点表示.样和检验GJB 33和本的定GJB 33的仅对GT和GCT级 4 1.内部目2.
5、高温寿命3. 4. 5.密封a. b. 7.中8.电老化9. Vz rz 1. v. 10.P . GJB汩的表2和本规范的的器件应剔出.(GJB 128) 2073 1032 1051 II 2006 1071 1038 1038 -4一 ,下4的规定进行,超过条件150土2C、96h|试条件s低为-55C |环10次外,件F.高低之转换时间不大于lmin, 高3伽Mn I Y1方向19600伽n/sl20st60s a. H .5mPa. cm/s b. C V.=3.6V B.t=96h 必须在去撑老化条件之后96h内完成全部参数测试.接表4步见3.2.1条要求100, 100, 1%
6、1% 1% 100, 100% 100% .不超过4规定的选11.外观检查4.4 质量一致性检验SJ 20068 92 CGJB 128) 2071 续表条件打标志之后进行,用10倍双目立体显微镜或放大镜检查器件外观质量,剔除管亮和管腿生、变形、开裂及有其它缺陷的件检验应符合GJB33及本规范表1、2和3的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验要求100% B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行.后测试和变化量()的要求应符合本规范表4有关步骤的规定.4.4.3 C组C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行,最后测试和变化量的要求
7、应符合本规范表4有关步骤的规定。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应符合相应的表和下述规定g4.5. 1 电压-温度稳定性每个型号器件的基准电压在各个规定的温度下测量,测量时应记录。对于每个器件从出的最高电压减去测出的最低电压,获得VZ值,该VZ值应在本规范规定的极限内。其测度不能超过规定的极限温度-55.-100C的范围。4.5.2 基准电压(VZ)试时应加试验电流达到平衡(至少15时,然后读出基准电压值.对于试验器件的安装,应将其引线置于夹座的内侧,夹具距管体10mm,夹具的温度应维持在25:rc。4. 5. 3 电压温度系数先在T1=25士lC下,施加恒定测试电流lz,测得热稳定后的基
8、准电压VZ1(有效位数等于或大于5位);再在T2-75士lC下,施加同一测试电流,测得热稳定后的基准电压VZ2(有效位数等于或大于5位);并按下述公且川鼻:要求恒流电摞的电流变4.5.4 长期稳定性VZ2 VZ1 QVZ = VZ1 l T2 T1 I lz IO.005mA. .(1) 在规定的测试电流lzo及恒温槽温度T-55C下,分别测出时间t1-Oh的基准电压值VZ1、t2=168h的VZ2、乌=336h的VZ3山=504h的zpts=672h的V缸,t6840h的VZ6和t7=1000h的VZ7并按下述公:p.I异:一5一SJ 20068 92 、tv = Y_,一V=mz础. .
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