SJ 20067-1992 半导体分立器件.2CZ30型硅整流二极管详细规范.pdf

《SJ 20067-1992 半导体分立器件.2CZ30型硅整流二极管详细规范.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《SJ 20067-1992 半导体分立器件.2CZ30型硅整流二极管详细规范.pdf（8页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、，、 FL 5961 SJ20067. 92 I 、Semiconductor discrete device Detail specification for type 2cZ30 silicon rectifier diode 1992-11-19发布中国电子工业总公司批准1993-05-01实施 中华人民共子行业军用半导体分立器件2CZ30型硅整流二极管详1. 1 主题内容本1.2外形尺寸 Semlconductor dlscrele deylce Detail speclficatlon ror type slllcon recurler dle E 了2CZ30型硅二极管以的规定，保

2、证三范SJ 20067 92 的详细要求.该种GJB 33 (GP、GT和GCT级).外形符合GB7581(半导体分立器件外形尺寸的D2-10A型及如下规定，见圄1.L G L : 84i 1 2 Lz. mm : 代号D2-10A 符号mm max 注，乌为引线弯 的最小辅向长度.图1外形图中国电子公司1992-11-19发布1993-05-01 SJ 20067 92 叫一.-.一一一一一, .3最大额定值L Vm t v._ 101) I目MTop T啕低气压飞10=1.5A型号TA=80C TA=40C t.坦1伽ns(V) (V) (A) (A) (C) (C) (Pa) 2CZ3比

3、150 100 2CZ30D 300 200 2CZ30E 450 300 2CZ30F 600 400 2CZ3低3750 500 1. 5 30 -55-+150 一55-+1751065 , 5 2CZ30H 900 600 2CZ30J 1050 700 汉:;Z30K1200 800 一注I1) T ,80C 按21mA/C8 B3 作寿命最后测试BB6 非工作状态最后测试，C1 外形尺寸C2 热冲号!拉力外观及最后测试sC5 低气压试反向电C6 试s-6一飞J方1056 , 1027 SJ 20067 92 2 B 见我41和2TAZ5士3Cv.帽v._I。冒1.5Af=50Hz

4、4 1、2和31032 I TA=175C 见表4.1、2和3表3C组GJB 128 方法条件2066 . I Jl!.图11056 2036 1021 2071 1001 1026 试B 试A w盟1500，t=15土38E 见表41和2D t皿60sTA=25士3CV.=V._ lo-1.5A f-50Hz正弦1、2和3 件LTPDI符号15 10 15 1.1 A=101 最 LTPD 10 5 7 单位3 I A SJ 20067 92 表A、B和C组GB 4023 方法条1.正向电压I N -. 2. 3条lru=4.5A t，=l伽ns占空因2.反向I N -. 4.1条V.=V.WM 3.反向电I N-1.4.1条V.=V.WM 注，1)A 的应接收.5吏5.1 包装要求，包装要求按GJB33的5.2贮存要求g贮存要求按GJB33的5.3 运输要求，运输要求按GJB33的 6说6.1 对引出6.2 如需典型特性z 求时，应在合同线，可在合同或订货单中件% 范由中国电子工业总公司科技质量局提出.本规范由中国电子技术标准化研究所归口.电测试符号I Vrul I I 1.1 I (:J Rlll 中规定 本规范由国蕾八七三厂和中国电子技术标准化研究所负人g刘东才、金贵永.计划项目代号IB01003.单位0.6 1.6 I V 3 !A 的100%0.3.A. 一7一