SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范.pdf

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1、中，、FL 5961 -SJ 20063 92 , 1-P 、E晶Semiconductor discrete device Detail specification for silicon NPN ultra ltigh frequ(!ncy low noise dual. difference match transistor of type 3DG213 1992-11-19发布1993-05-01实施中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DG213型NPN硅起高频低噪声双差分对晶体详细规范1.1 主题内Semiconductol discrete devi

2、ce .Detail specification for siIicon NPN ultra bigb frequency low noise dual diffcrene matcb transistor of type 3DG213 SJ 20063 92 本规范规定了3DG213型NPN硅越高频低噪声双差分对晶体管以下简称器件的要求.该种器件按GJB33(半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级CGP，GT和GCT级).中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01 -1一SJ 20063 92 .2 外形尺寸外形尺寸应符合GB.7092(体集成电路外形尺寸中的

3、T12B4型及如下规定，见图1.引出端极性g1.发射极17.友射极32.基极l8.基极3K 、，3.集电极1电极39. J 6.发射极212.发射极45.基极211.基极44.集电极210.集电极4注z晶体管管芯l和4为一对.2和3为另一对 mm 外形代号尺T12B4 寸数符最公称最大角度()号:江A 4.20 4.69 + 5.84 /1hz 0.407 0.508 1b. 0.53 ;D 8.64 9.39 ;D1 8.01 8.50 帽?F 2.03 h 0.13 1.00 0.712 0.787 0.863 J K 0.74 1.14 L 12.70 Ll 1.27 Lz 6.35 .

4、 30 如D r. 协zN4 H4、叫、H叫件b. 图1外形尺寸.3 最大额定值P.l) P,2) Vc回VCEO VE回Ic T啕和11号1A=25C 1A嚣25C(mW) (mW) (V) (V) (V) (mA) (C) 3DG213 200 600 15 12 4 20 -65-+200 d白注:1)为单管功耗，当1A25C时，单管按1.14mW/C的速率线性 2) 为双对管四单元功耗.备管均匀分担Po，/4负荷，当TA25C时.双对管按3.34mW/C的 一2一SJ 20063 92 .4 主要电特性(TA25C) hnr fT F C.ho Gp VcE=10V VcE=10V V

5、cE=10V VcB=10V VcE=10V 型E - Ic=3mA Ic=3mA Ic=1mA 1.;. =0 Ic=1mA f ,;= 400MHz f嚣100MHzf嚣lMHzf=100MHz (MHz) (dB) (J:iF且(dB) 号级最大值I:摄最大值|最最大值I:很3DG213B 30 300 800 一3 3DG213C .5 主要电配对特性(TA_:_25C)极 E hF四-1/hFEI11 IV8El-VBErllZ) l(V回EI-V盹町A113) V=10V VcE=10V VcE=10V 限Ic=3mA Ic=1mA lc=lmA TA=25C和-55C(mV) (

6、mV) 号最最最最小值3DG213B 0.95 1.0 一5 一0.8 3DG213C 0.95 1.0 2 注:1) 较大的数为分母.每对管应量和计算.2) 测量方法见4.5.2条.每对管应分别进行测量和计算.3) 测量方法和计算方法见4.5.2条与4.5. 3条.2 引用文件3 GB 4587 84 GB 7092 86 GJB 33 85 GJB 128 86 求双极型晶体管测试方法半导体集成电路外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法3. 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定.3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定.3.2.

7、 , 引出端材料和涂层 16 一3 16 IMV酶1-VBErhTA12的VcE=10V Ic=1mA 1=25C和125C(mV) 最最大值1.0 一3一SJ 20063 92 引出端材料应为可伐.引出端表面涂层应为镀金、镀锡或搜锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定见第6章。3.3 标志的标志应按GJB33的规定.4 保证规定4.1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定.4.2 鉴定栓鉴定栓验应按GJB33的规定-4.3 筛选仅对GT和GCT级选应按GJB33表2和本规范的规定.下列测试应按本规范表l进行，超过规定极的器件不应接收.试或试见GJB

8、33表2)试一测一数一化参-老同一率中一功 白。Ic盹、hYE2和hFE2-tI hnz-z 见4.3.1条9. 最后测试按本规范表1的A2分组sAlc回AZ初始值的100%或5nA，取其较大者st:.hYEZ=初始值的士15% SJ 20063 92 4.5 检验和检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定:4. 5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1条的规定.4.5.2 基极发射极电压差测试 将两个单管的发射极连接在一起，对每个单管采用规定的试验条件并符合GB4587的2.4条方法，在两个单管基极之间直接测得基极帽发射极的电压差IVnElVnE21.两个单管的选择见

9、1.5条和图1的注.4.5.3 基极发射极电压差随温度变化的测试按4.5. 2条规定的方法，在两个规定的温度下测试基极，发射极电压差的数值，并按如下公z ILHVnE1 VnE2) .TA I = I (VnE1 VnEzh1一(VnEl V nE2h21 表1A组检验GB 4587 I I I 极限A1 外观和机械A2分组方法128 2071 条牛电极基级击穿电压I 2. 9. 2. 1 I发射极，基极开路1c盟10A电极-发射极击穿电压本规范发射极响基极开路附录A1c=5mA脉冲法(见4.5. 1条发射极，基极击穿电压集电极-基极开路1E=10A 集电极基极止电2. 1 |发射极蛐基极开路

10、Vc=10V 发射极基极止电流2.2 电极-基极开路VEB=3V 正向电流比2.8 VCE= 10V ,lc=O. 3mA 正向电比2.8 Vc缸里10V.1c=3mA正向电流比2.8 VCE= 10V .lc= 10mA 电极2.3 11c=10mA 1B=lmA 基极-射极饱和压降2.4 lc=10mA 1B=lmA 正向电流传比增益比)12.8 IV俨1肌Ic=3mAI(见1.5条LTPol符号最小值|最大值5 5 1 V (8RCI!O 1 15 IV 1 V (8RCEO 1 12 IV 1 V(阳，E回|4 IV 1c回I|队05IA h l!O I O. 05 .1A h,El

11、25 I h,E2 30 I 300 I h,E3 20 1 VCE(川I 0.3 I V 1 V BE( . 。I o. 9 I V I hn:z-11 I 0.95 I 1.0 I hFE2-2 一5一或A3 A5、A6和A7分不适用一6一方法2.1 比2.8 SJ 20063 92 GB 4587 LTPD 条件5 Ti.盟+150CVcB=10V I TA= 一55CI VCE=10V.lc=3mA 符号位最最大lc阁，60 |A hFEt 15 8J 20063 92 表2B组检验GJB 128 条件方法B1 性久性分帕封即密a. b.粗z 2026 1022 1051 1071 部

12、分组作寿命最g B4分栓度B5分组B6分组不工最后测试g1027 Vca=10V.TA=25士3-CP.=15OmW(单管P.=600mW(囚管允许器件加散热器或强2075 目检标准捞鉴定时的设计 2037 1032 TA=200C 见表4.2.3.5.6和7LTPD , 15 10 5 件.0失效 20(C=0) 一7一SJ 20063 92 3 C组GJB 128 单检LTPD 符号|方法最小值|最大值位条件C1分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 冲击玻璃应力1056 试l件A引出端强度2036 牛E密封1071 a. b. 1021 外2071 最g 见表4.步1、3和4C3

13、分组10 冲击2016 变2056 恒度2006 最后测试，见表4.步1、3和4C4分组15 盐气适用时1041 C5分组C6分组=10 稳态工作寿命1026 TA=25士3C VCB罩10V.p阳.=150mW(单管P.o.=600mW(囚管)不允许加散热器或强迫风冷最后测试a见表4.步骤2.3. 5. 6和7-8一SJ 20063 92 表4B组和C组的最后测试步GB 4587 或符号方法条件1 集电极基极止电流2.1 发射极基极开路h剧lVca=10V 2 集电极基极截止电流2. 1 发射极-基极开路Icoo1 Vcs=10V 3 基极.射极电压绝对美值2.5 VCE= 10V 1 V

14、B:l一V8Ezll非饱和Ic=lmA (见4.5.2条.3DG213B 3DG213C 4 正向电流传比(增益比)2.8 Vc:=10V hn:2-1 / hE2-2 Ic=3mA (见1.5条)5 正向电流传比(增益比)2.8 VcE=10V hEZ-l/hE2-2 Ic=3mA 见1.5条6 基极-发射极电温度变化2. 5 VCE= 10V .Ic= 1mA I I:!. (V H:l-V HEZ)A飞11的绝对差值非饱和TA=25C和一55C见4.5. 3条) I I:!. (V REl - VBE2)ATA 12 7 基极-发射极电温度变化2.5 VcE=10V.lc=lmA 的绝对

15、差值非饱和TA=25C和125C(见4.5.3条5 交货准备包装要求应按GJB33的规定。6说明事项合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层见3.2. 1条。工厂用型号为2FC3.极限值单最小最大位0.05 A O. 1 A 5 mV 2 mV 0.95 1.0 O. 9 1.0 0.96 mV 1.2 mV -9一A1 目的SJ 20063 92 附录A电极发射极击穿电压(补充件试方法本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限A2 测试测试电路见图A1.S Rj a VCE 电压V -;-I Ic 因A1集电极，发射极击穿电压顶试电路A3步限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极，基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流.如果在规定的测试电流下所加的电压大于民BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格.附刷lO)C.明E 本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出.本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七一厂负责起平. 本规范主要起草人z玉民福、陈自娘、黄世杰、李红。计划项目代号IB01006.-10一