JB T 5629-1991 半导体器件烧结炉 能耗分等.pdf

《JB T 5629-1991 半导体器件烧结炉 能耗分等.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《JB T 5629-1991 半导体器件烧结炉 能耗分等.pdf（3页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、中华人民共和国机械行业标准JBjT 5629-91 半导体器件烧结炉能耗分等1 主题内容与适用范围本标准规定了半导体器件烧结炉能耗分等。本标准适用于电子工业企业半导体器件容量大于或等于20kW的烧结炉以下简称烧结炉)，单台或炉群。2 烧结炉能耗按可比单耗分一等、二等、三等三个等级。达不到三等指标的属等外。S 烧结炉能耗分等见表1。一等表1可比单耗指标kW , h/万只二等等一一一190 190-300 300-450 4 可比单耗按统计期内每万只合格半导件器件折合产量计算的平均单耗，称为可比单耗。按式( 1 )计算zbK =艺(1 ) 式中，bK-一可比单耗，kW.hj万只Fw-统计期内该炉台

2、、群总耗电量，kW.hJ Gz一一统计期内该炉台、群合格产品总折合产量，万只。4.1 统计期内总耗电量应包括炉子的升温、工件加热、保温、待料及炉子本体辅助设备等耗电。S 折合产量考虑产品工艺及外形尺寸不同的影响，经折算的合格产品产量，称为折合产量。其总折合产量按式(2 )计算sGz = GiKliK2j. (2) 式中，Gj-一统计期内某种合格产品产量，万只sKli-该种产品的工艺系数见表2)J 表2二极管及可控硅霉件;争:夺、片二极管项目铁封玻璃| 大中小功率! 陶窑5.玻璃超高频错管硅管KI 1 1 , 20 1 , 50 0 , 75 3 ,00 0 , 75 0 ,93 机械电子工业部

3、1991-09-13批准164 1992-07-01实施J8/T 5629-91 KZ1-一该产品的外形尺寸系数见表3)。表3参考尺寸外形尺寸代号Kal 01一02AO2一03AO2一05A1 .90. 2.80 Oa一05BO2一l1A02-11B 0.02 E.一olAE，一olBE.一03A一4一一一一一-一一斗-一一-一一一O2一03BO2一03CO2一05C3.00.4.10 Oa一07A01-10A Es一olA0.05 E.一02AE.-06A Oa-50 01一08AD2-09A E.一04AE.-05A AS-OIA A3-01B A3-01C A3-010 5.00-6.6

4、8 A3一03AAs一03BAs一04A0.15 AS-04B A3一04CA.-OIA A.一olBA.-OIC A,-010 A8一olAO2一06AA3一02AAs一02B4 8.00 12 .70 A3一02CA.一02AA.一02B0 .42 A.一02CAa一02A4 12.82-13.00 C1-01A C2一olACs一olA0.90 C3一02AC.一02Ac.一02B-一一-一一-一4 15.30-16.50 A3一05AA3一06AB2一05ABz一06AC1一olBC1一olB1 UI15.30-16.50 C1一01CC1一010C1一02AC1一02BC2-01C

5、C2一01018.5028.00 C3一olBC3一01CC1一02A2.80 UI18.5028.00 Cz一02BC3-02B CS-02C B2一09AB1一09BB1一loA一)一啊一一【一一-一一二一一一-一-一一一B2一01AB1一olBC1-02C 4 31.0039.00 C1一020B1一02BB2一01AUI31.0039.00 B1-01B C2一02CC2一02D5.00 C2一03AC3 一02DC3 一03A一一一一一一一一-一二制0.00-47.00B2-01C C1一02ECs一03B6.00 U 140.00-47.00 4 48.0058.00 C1.一02FC且一02GCs一03CU 148.00-58.00 CS-030 B1-01D Ba-02B 8.00 注g表中未列入外形尺寸代号的产品，可按其实际外形只寸对照参考尺寸确定Kal值.165 附景A半导体器件烧结妒能耗等级计算囊参考件问自由年统计男J.199 白4gNls等级计算值kW. hj万只标准值等级| 期日名恒生二= bK=WjGz 附加说明z本标准由机械电子工业部生产司提出。本标准由机械电子工业部机械标准化研究所归口e本标准由无锡微电子联合公司负责起草。本标准起草人王兴趣、肖凤英。