SJ Z 9010.15-1987 电子管电性能的测试 第15部分:寄生和不需要电极电流测试方法.pdf
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1、中华人民共和国电子工业推荐性部标准S J /Z 9 0 1 O. 1 5 8 1 IEC 151 15(196 1) 1 5部分z寄生和不需要电摄电方法试Measurements of the eJectrieaJ ,properties of e J ec t roni e t ubes a n d va J v e s Par15,Method. of measurement of spurious and unw矗nted el ect rode cur rent s 国本文件是以质的推荐文件,因为生和不需要电极电流的以这些原理为基行实践为基础.它并不作为标准性结果必须在喂定的公差以内比
2、坡,对测试方法剧本文件并不加详细的说明用于充气自2 基本在工作的电子营中,可能发现寄生的和,并可能引起某种效应而与正常的阴撮发射的电施是由下列一种或多种原因引起盹事 ) b) 阴极以外的无某一电极的二次发射. c ) 有电位差的元件之间漏电OIL。d) 剩余气体的电电摄电流流过,通常为小的敬!起的效应不同.这种寄生e) 各种外部辐射引起的发射倒韧s光电发射)0 由于这些效应受各个元件的温度影响很大,必须注意在!哥保证电子管保持在所要求的工作条件.5 一量定义3. 1 正栅流一一一一-一._-_, 一甲华人民共和自电子工业部198709 14 * 1 骨8J/Z9010.15 87 当电子从栅极
3、端头流向外部电3. 2 负栅流当电子从外部电路流向3. 3 一次发射电流由表面强度、表面3. 4 热电子发射电流只由发射表面温度而引起的电子发射电流。3. 5 二次发射电由电子或离子轰击表面直接引起的电子发射电流。实际上这个术语是包括从表面反射的一次电子和从它上茧离开的二次电子,3. 6 漏电流工EV07 27 75) (或绝缘电撞在两个或两个以上电极之间以任何途径流经电极之间过的传导电流。3. 7 离子电流由剩余气体的分子产生3. 8 热丝和阴极之间的电流当热丝和阴板之间有一个电位是时,在它们之电流和从热丝及阴极上电子发射引起的任何电流。3. 9 二极管中的反向发生。阳极产生的热电子发射.极
4、电流定立为正的。极电流定义为负的。接引起的电子发射电流。表面加上电场而时,极端头时, 外电子所引起的电流。空间的正收一个电。这个术语包流过的电负4 的电流有关。在图1中示出了改变,阴极一热镜电EkFi+ ;il-ir -ii-6141011ili-1J 一年十一一?寸-十一-r介:4. 1 原理需生电流的特殊情况与电子管第一栅或控极i缸饨时,典型的控制栅电流曲线的形状。+铠缘也流!上一I E * 2 告告图l一一典唱的423:51!栩电溃的主13主SJ/Z90 10. 15 87 这个曲线表示了几种效应z在A-B区域,负电流以同样的趋向随所加电位而变化,而且一般是由流过绝件表面的漏电所引起,也
5、由栅极上热电子发射或光电发射所引起。在B-C区域,栅极电流主要是由电子管中剩余气体电离所引起,而且它的单接随阴极电流而变。当栅极电位负值变得更小时,控制栅负电流则随之增加,这是因为当控制栅电位负值太小时,邻近这个电极缓慢飞行的电子被收集,就有一个附加电流在反向流过。当控电位负值变成较小和随后变成正值时,上述皱应加,并且表示在C-E区明注一一由图1看出,在某一流起动电压或确流截止电压.的电位D.电.开始变成E约,这个电位通常在某些尝型约电子营中,需雪喜测远这个电位,而为着实用的贸利,采用的电位使用小的控制j王电流流过奇才子接收誓,通常在O.1A罪o0.8J.之阂).应当注意,当其它电饭已经加上电
6、位对,将l电i嚼起动电压可能稍有差别,因此,测试条件应该加以现定.4. 2 测试方法4. 2. , 直读法电子营的连接如图2所示给出一个五例子): Vg1 R -图2一一拥j革负栅流的电路z直读法M,一一测量栅流的微安M2一一测量栅压的伏特表v a Vg2 R一一保护电阻,这个电阻的数值和测量仪表的电阻加起来必须不太高,因均电流流过它就会显著地改变所加的栅压。否则必须估计所引起的电压阵。可以用一个真空啻伏特表来代替微安表来测量电阻R上的电压阵。* 3捺SJ/Z90 10. 15 87 4. 2. 2 补偿法根据给定电阻上的电压降嘀定栅摄电施。电子臂的连接如图8所示。s v a Vg10 -飞V
7、,)., R 图S一一测量负栅流的电路z补比一-测量栅臣的伏特囊,M1一一测量阳极电拢的安培矶,R-已知的高值典型值为10 S-短路电咀R用的开关.在开关闭合时,将电路调到满足既要求的阻接到跚极电路,通过把栅跟电压降到更负的的阳摄电流增加。栅般电梳能够确定为z6Vgl R 电阻,条件.然后打开开关,将栅跟电VglO)来校正由此而引起1 gl = 式中s6Vg1为栅臣的变化.对于更精确的测试,可以用一个相反的方法用更灵敏的指示仪器.在这种情况下,使用两个确的调节和测试。电流值,这个方法允许使压电源串联是方便的,它允许更4. 3 负栅流的分析已在4.1小条中叙述的所有栅极电流成分都没分析时,需要作
8、某些简化的假定。在附录中给出一种列假定为基晒2确的让析方法。当试图这快速的分析万法,而以下、.,、,、,aLUC 的放射成分与栅压无关有一个饱和状态)0 电流性质符合欧Vgl变化的影响与Va( 。Vg,)变化的影响相比可以忽略不计.骨4* S.J / Z 90 10. 1 5 87 注-一光电发射电流可能掩盖低电流的测量.当可见光从外部光源投射jtJ啻子,上时,由电流变化就能检缝这种发射.如果电流不发生变化,可以假定光电发射忽略不计.5.栅极热电子发射5. 1 在工作期间,当栅极电位为正时,控制栅受到辐射和电子轰击的加热o.从而,ilul i支可达到一个使栅极开始热电子发射的水平.因此,当栅极
9、相对于这些电极为负itJ,电子就可以从栅极流到其它电惧。.:(f T.作中,多栅管的帘栅极可能变得非常热以致发射电子,而测量这个发射与帘栅JE散的功率的关系者时是者用的.5. 2 测试方法5. 2. 1 控制测试栅极热电子发射与栅极辑散的关系司以利用菌4a所示的电路来完成。在这个it置中,被测电子臂的控制栅受到交流电源的加热,在每个交流半周,通过流器1和仪表AI0在相反的学周,与整梳器Dz串联的仪表Aa指出栅极热电子发射租漏电流,如果存在的话).伏特表V和安培表AI可以用一个瓦特表代来自接读出控制栅的耗散见图4b ) 0 。-管D. 。国4a长5长SJ / Z 9 0 1 O. 1 5 87
10、。被测管R 。-D. D. 图4b一一测试跚极热电子发射的另一电路如果需要,槽极发射能够在阳极加热到它的正常工作温度下测量。这种拥硅用的合适电路示于图5中。阳极变压1 5 -一国5一一其它电极阳极在正常工作温度下,试栅极热电子发射的电在这个电路中,机械的戎电的开关装置S接人栅缸电路中。S在位置1,栅极在一个半周加热,而阳极在另一个半周加热,当各电极已经达到工作温度时,然后将开关i度到位置2,这时,栅极通过仪表(A1 )接到足够负的电压使阳极电流止。于是就可在仪表Al上读出。栅极热电子发射包括漏电流,如果存在的话。* 6 oi号SJ/Z9010. 15 87 一一一5. 2. 2 帘栅极测量帘栅
11、极热电子发射与功率提散的关系吁以利用图6中所示的电路来完成。利用合适的整流器和交流电源,在正半周期间使帘栅极加热,而在负半周期一次发射。将适当的直流阳极电压和控制栅电压加到被测的管子上,通过调节变压器的电压和读出仪表A1立的电流及伏特表V上的电压来使帘栅耗散调到所需要的电平。D1是一个整流器,它的阻抗比较帘栅版电路的阻抗是很低的。仪表A2的电流读数是帘栅摄次发射电流通常为几微安。伏特表V和安培表AI可以由一个瓦特表来1、宵。在某些情况下,这个电路的简化形式不用直流电阴极)会得到布用的数据。被测管D, 。 而将阳极和控制-一-一-一-一6 试帘栅极热电子发射电流的电路6. 二次发射6. 1 接到
12、由于电子轰击结果从栅极表面产生的二次发射是当栅极上加蕃足够正的电位时发生的一种现象。当一次电子流到栅极时,二次电子则从栅极流到其它更正的电极。在栅极外部电路中,轰击电流和二次发射电流在相反的方向流,而在仪表七只能观察它们的差值。对于某些应用,相当大的栅摄二次发射由于减小了栅损,激励功率,叮能增加输出和效率。但是二次发射也可能由于妨碍纯性放大的实现成引起寄生振渴而干扰电子管工作。当栅极工次发射数值使栅极特性产生一个负的动态、邸,阻区域时参它就司能造成有害的效果。这个现象由工g/Vg曲线的iEi斜卒证明,或者还由栅南倒句来证明。栅ijLF二次fL射71栅E皮特性曲线的影响示于酬7中,因中言自8条L
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