QJ 2837-1996 半导体集成电路HCT移位寄存器.详细规范.pdf
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1、Q.J 中国航天工业总公司航天工业行业标准QJ 2837-96 半导体集成电路HCT移位寄存器详细规范1996一0419发布1996-11 01实拖中国蓝天工业总公司发布E次1范围. ,. . ,. . (1) 1. 1 主题内容.,.H Cl) 1. 2适用范围.H.(1) 1. 3分类.,. ,. . (1) 1. 4 绝对最大额定值. (2) 1. 5 推荐工作条件.“.(2) 2 引用文件.,. .H.“仅3要求.,. ,.“3.1 详缀要求.(4) 3.2 设计、结构和外骂骂尺寸.(4) 3 3 弓i线材料和涂覆,. soo ” , . (15) 3.4 电特性H“. .山”.川.”
2、川(15)3. 5 电测试要求“.(17) 3. 6 标志.23)3. 7 微电路组的划分.,. (23) 4 质量保证规定u . .(23) 4. 1 抽样和检验.(23)4. 2 筛选.”. . (23) 4. 3 鉴定检验“.9 .H H . (30) 4. 4 质量一次性检验.H.6. 1 定货资料.,. . (38 s 2 缩写词、符号和定义.山.“.(39 6. 3替代性.,. .“. . . . . . . (39) 6.4操作“.非.“.“.(39) 中国航天工业总公司航天工业行业标准申导体集成电路HCT移位寄存器详细规范QJ 2837-96 1 范围1. 1 :题内睿本规有5
3、规定了磁.片微电路TTL兼容的HCMOS移位寄存器(以下简称器件的详细要求。1.2适用范囤本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范给出的器件按器件骂型号、器件等级、封袋形式分类。1. 3. 1 器件编号糯件编号应符合GJB597微墩路总规范)第3.6. 2条的本规范的规定。1. 3. 1. 1 器件型号器件型号如农1所示。袋1器件型号器件型号JC54日CT164JC54日CT165JC54日CT166JC54HCT194 JC54日CT1951. 3. 1. 2 器件等级器件名称8位移位寄存苦苦Oil入并出8位移位寄存帮(并入.出8位移位寄存苦苦(并入申出、带消零4优双向通用移
4、位寄存器4位并行存取移位唱吁释器器件等级成为GJB597第3.4条所规定的S级和B极以及本规范规定的日l级。日1级夜产品保证要求的筛选、鉴定和质最一致性检验的某些项目和要求上不同于日级。1. 3. 1. 3 到装形式封装形式应符合GB7092半导体集成电路外形尺寸第5澈的规定。具体形式如农2所示。中国航天工业总公司1996-04-19批准1996 11 01实施1 QJ 2837 96 表2封辈辈形式封装形式I 外形代号D(多层商瓷双列封装I m.is, 0(多层掏瓷双列主才装I Dl6S, 1. 4绝对最大额定值绝对最大额定值应符合表3的短定表3绝对最大额定值数值1重目符号单位最小最大电摞宅
5、压1 Yoo -0.5 1.0 DC输入电压Vi -0.5 1. 0+0.5 v DC输出电压Vo 0.5 i 1. 0十0.5 E皿土20铐位二极管电流E恤主20输出电流Io 土25mA loo 50 电普雷电流foND 50 贮存温度T咀-65 150 C 允许功耗PM 300 mW 引线耐焊接温度(lOs)T, 300 c 结温T; 175 1. 5推荐工作条件推荐工作条件应符合表4的统定。表4推荐工作条件数值项目符号单位最小最大电源电压Yoo 4. 5 5.击输出电压Vo 1. 0 v 输入商电子电压V田2.咀辘入低电子电压v . 0.8 工作环境温度TA -55 125 。C2 QJ
6、 2837 II岳续表4数傻项吕符号单位最小最大输入除神上升慰问t. 500 输入脉冲下择对闵, 5号。对告中(CLIO27 JC54HCT164 33 脉:中清零(CLR)JC54HCT166 42 意,宽度JCS岳王CT19427 JC54江CT195装载(LOAD)JC54豆CT16527 工作模式(SO/Sl) I JC54HCT194 5号JC54豆CT165! 33 tsu 移位装载JC54HCT166 5自(SH/LD) 建立JC54HCT195 33 串行数据ns 对!写JCM日CT19542 方式时串、并行数据方式时S凯J33 时铮禁止JC54日CT16533 (CLK E技
7、H)JC54日CT166JC54HCT164 9 JC54HCT165 12 保持对何JC54豆CT166tH 17 j JC54HCT山9 JC54HCT195 时铃允许对i写意JC54日CT16617 E才钟禁止对同,挡. JC54HCT165 12 移位装载(SH/LD)复位对i胃 JC54HCT166 JC54HCT164 33 清零(CL丑JC54HCT166 27 ,辑幅时钟(CLK)a才饲JC54HCT194 33 JC54HCT195 3 QJ 2837 9岳2 51Jfi文件GB 3431. 1半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB 3431. 2半导体集成电路文字符号引出
8、端功能符号GB 3439 半导体集成电路TTL电路浏试方法的基本原理GB 3834 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理GB 4590 半导体集成电路机械和气候试验方法GB 4728 电气图用图形符号GB 7092半导体集成电路外形尺寸GB 9178 集成电路术语GJB 548微电子器件试验方法和程序GJB 597微电路总规范3要求3. 1 详细要求各项要求应符合GJB597和本规范的规定3.2设计、结构和外形尺寸设计、结梅应符合GJB597和本规范的规定e外形尺寸应符合GB7092的规定。3. 2.1逻辑符号、逻辑臣和引出端排列逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图I的规定。其中引出端
9、排列给出的是俯视图。4 JC54日CT164引出端捍7JJC54HCT164逻辑医QJ 2837 9岳JC54HCT164逻辑符号CLR E口王A B Qc QD (3 ,_中i可老化反偏老Al Al 后电化豆A71 1革试动态Al Al到老化A7 最终电泌试A2,A3,A9,A10,All A2,A3,A7,A9 A2,A3,A7,A9 A组测试要求Al ,A2 ,A3 ,A7 Al,A2,A3董A7,Al,A2,A3,A7, A8,A9,A10,All A8,A9 B组测试要求Al纱,A2,A3 ,A7, 不适用不适用(BS分毯A8,A9,A10,All C经终点电测试!不适用Al A2
10、Al纷A2n A3町A3 C组检验不远思AlO,All D经终点电测试Al,A2,A3 Al,A2,A3 Al.A2,A3 注,1)该分组要求进行PDA僚计算见第4.2条2) 老化和寿命试主主要求变化量(6)测试,其极限值应符合表15的规定。17 QJ 2837 96 表SA组吉思试测试方法规范值分组符号(GB 3834 条f佯器件单位条款号若无其它规定,T.=25最小最大Voo=4.5V J=-20p.A, 全部器件4. 40 Vo贸2.1 Vw=5. 5V Ioa= 4.如nA全部器件3. 98 v Vnn=4. 5V Io2011A 全部器件0.1 VOL 2. 8 ! o. 26 Vo
11、o=5. SV lOL=4. OmA 全部器件I国2. 9 V由5.5VV,=V国全部器件0.1 ln. 2. 10 Vw=5. 5V V1=GND 全部器件-0. l 严AAl I四2.15 Voo=5. 5V V1=Vw或m喝D全部器件1. 0 Vo=GND V田4.0V全部器件一101-120GB 3439 V1=GND mA I面2. 21 或1=V酶VIK+ GB 3439 v =GND li=lmA 全部器件1. 5 v Vi反2.1 V国塌开路,,=-1国A全部器件-1.5 Vw=4.5V I佣2白严A全部器件4. 4 VOH 2. 7 、Voo=5.5V loH=-4.0mA
12、全部吉普件: 3. 7 v Vnn=4. 5V f Io.=20件全部吉普件0. 1 OL 2. 8 A2 VDD=5.5V lOH=4. OmA, 全部器件0. 4 TA= Im 2. 9 125 Vw=5. 5V V,=Voo 全部器件0.1 In. 2.10 Voo=5. 5V V,=GND 全部器件1一-o.1j 11A Inn 2.15 Vnn=5. 5V V1=Voo或GND全部器件IO Z酷GB 3439 VoGND v,GND oo4. OV 全部器件10 120 mA 2. 21 lit v,。A3 除T.=-55外,测试参数、条件、辈辈俘和统范锺均同AZ分经只普普VOH、V
13、oi.A7 功能测试V00=4. 5V ,Vm=2. OV ,V,L母.8V按各器件的功能表(窗纱进行。A8 除TA=-55和TA=l25外,浪试条件向A7分蕴c, 3. 1 全部器件10 A9 草草量频率为lMf也pF Cc 3.1 全部善事件15 18 QJ 2喜379岳续表8E曾试方法规范值分组符号GB 3834 器件单位条款号若无其它规定,TA25最小最大V四4.5VJC54HCT164 51 CL=50pF JC54HCT165 55 、tr豆6ns负载线路图2,被形见图JC54HCT165 51 4. JC54HCT194i一51 JC54HCT195 51 3.1号JC54HCT
14、164 60 CLR 3. 9 JC54HCT194 44 Q(并出JC54HCT195 46 ns D并入JC54日:CT16552 Q A9 HILDQ I JC 54HCTI 55 59 CLR Q JC54HCT166 一Is1 3.15 V四4.SV CL=50pF IT指L自由t,巾运在血全部器件25 负载线路见图3,被形觅图3.16 i 4. f 3,在Voo=4. SV CL= 50pF 皿JC54日CT164JC54日CT16517 JCS岳王CT166MHz JC54HCT194 21 JC54豆CT19519 QJ 2837-96 续表8测试方法规范筐条件分组符号(GB
15、3834 若无其它定,TA=25)器件单位条款号最小最大CLK Q 3.1白Voo=4. 5V JC54HCT164 51 CL=50pF JC54HCT165 55 3. 9 6ns负载线路见图2,被形觅00JC54日CT16651 3. JC54HCT194 51 JC54日CT19551 1HLJC54HCT164 60 l CLR JC54HCT194 44 f?Ui Q(并出? JC54HCT195 4u ns D(并入)JC54日CT16552 AlO Q TA= 125 SH/LD q JC54日CT16559 CLR Q JC54日CT16651 tT皿俞国Vro=4. 5V
16、CL=50pF 3.15 .,.6ns 负载线路见图2,波形见图;全部器件25 3.16 3. f盹3. 8 Vw=4. SV CL =50pF t,.e,;6ns JC54HCT164 JC54日CT16517 JC54日c1号6MHz JC54HCT194 元54HCT195121 All 涂TA=-55外,辈革试参数、条件、器件和统范值均属Alo分重量。注,1)负载电容CL容许误差为主10%,CL包含探头和布线电容20 被翻试输出翰QJ 2837-96 罪i试点工F町图3负载线路m注,1)负载电容CL部容许误差为主10%,CL包含探头和有线电容-30V CLK Yott Q (a) 串行
17、移位模式(全部器件和并行装载模式。C54HCT166,JC54HC194,JC54日CT195)21 22 QJ 2837 9岳SH/LD -30万Q CLR Q Q !. 3V 10% -VOL 也并行装载模式。C54HCT165)7V 3. ov -GND 1. s -VOL (c) 并行装载模式。C54HCT165)3.)V -G刻DVoH 才一vOL 付清零模式。C54HCT164,JC54日CT16毡,JC54HCT194,JC54HCT195) 图4波形mQJ 2837-96 3.6标志标志应符合臼B597第3.6条的规定。3.7微电路短的划分本规范所规定的器件应为第40楼电路纽(
18、觅GJB597附录在补充伶4质量保证窥定4.1抽样和检验除本规范另有规定外,抽祥和检挫程序应符合GJB597、GJB548方法5005的规定。4.2筛选在鉴定检验和质量一致性检验之前,全部器件均应按GJB548方法5004和本规范表9的规定进行筛选。JC54HCT164 这ICP2 H DD CPI Vnn 2 23 CPI Rl $ Rl 4 Rl 6 Rl CP2 Rl Rl R1 Rl Cfi - 24 QJ 2837-96 JCS往fCT165:¥, 14 u 12且E 三ol.-iRl R2 JC54HCT166 16 15 Rl R2 4 13 Rl 12 Rl 11 R1 7 R
19、l Vw CP2 Vnn 2 Vnn Vnn 2 QJ 2837一%JC5江CT194Rl 16 CP2 R 刽Rl JC54HCT195 去i. 去2R! Rl . KZ CPZ 图5动态老化和寿命试验线路m注g丘,470047k0主20%,R,=lKO士5%1( VDD=5. 5工o.sv, Voo VD CPl Voo Voo 2 CPI CPl,频率为100.泣如土20%,方波,占空比50士15%,V田4.5VV血,Vn.=O士o.sv品,t,运5岳阳剖CP2,频率为CPl的一半,其余参数与CPl裙闵25 注z 26 DD GND 或CP JN R QJ 2837-96 E主DUT R
20、 GND 图6反偏老化和寿命试验线路图OUT Voo2. 开路就第一种反偏老化而言,段有输入端接GND,输出端开路或接Voo/2,R=680fl47k.O就第二种反偏老化商言,所有输入端必须通过电阻接V田,输出端开路或接V00/2,R=6喜悦347ldh V皿5.5土o.sv. OMN曲hw叶l咱也筛选穗序方法、条件利婴求(GJB548) 筛选项目$级稽仲B级音器件Bl级普普件说明方法条件要求方法条仲要求方法条件要求品片批验收5007 按规定所有批非破坏性键2023 按规定100% 抽丰非抽样舍拉力试验进行进行内部因检2010 试S盘条件A100% 2010 试验条件H100% 2010 试骏
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