QJ 2831-1996 半导体集成电路.HCMOS与门和非门详细规范.pdf
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1、Q.J 中国航天工业总公司航天工业行业标准FL 5962 QJ 2831-96 半导体集成电路HCMOS与门和与非门详细规范1996-04-19发布1996-12-01实施中国黠天工业总公司发布目次I范围.“(1)1. 1 主题内容.”.H(1)1. 2适用范围“”.(1) 1. 3分类.”“.(1)2 引用文件.“.(3) 3要求.(3)3. 1 详细要求.”. (3) 3. 2设计结构和外形尺寸.”.“(3)3. 3 弓l线材料和涂覆.(6) 3. 4 电辛辛性.“.H”. . ( 7) 3. 5 电测试要求.”.;. (10) 3. 6标志“.H .”. 3 、二QJ 2831 )岳3.
2、 2. 1逻辑符号、引出端排列和逻辑图逻辑符号按GB4728. 12规定逻辑符号、引出端排列和逻辑图应符合图11 1 3 的规定。引出端排列苍苍图按GB/T7092第4章麓定。a. JC54HCOG 1A & lY lA 1B 2Y ZA ZB 主一3Y 3A 3B 3B 4A 4Y 4A 4B 4B d.JC54日C豆。lA一& 、一)一一lYlA lC Z且1B lC 2B 2Y ID 2C 2A 3A 2B 3B 3Y 2C 3C 2D a JC54HCOO D、F、豆、Jll!flMHz,T . 25,VooOV 所有型号1口pF 传归输出由高电号LVoo4. 5V JC54日C号。2
3、1 输平主主j低电平CLSOpF JC54日C自337 廷TA二125JC54HC08 28 迟输出自低电t,rn 幸运试线路及输入、输出波于费医见JC54HC10 23 时平王军高电平图2JC54HC20 25 问JC54HC30 41 输出座高电it相nns 罄JC54丑C号。20 t斗凶子至3低宅平JC54HC03 22 转JC54丑C号820 换输出自低电h主EJC54日ClO20 目才子量j高电子JC54日C2020 间JC54日C3020 注1)完整的澳i斌条件;电表9。2)抬举泌试在Vnn4.SV、125下进行,筛运吉普试在Vw4.SV、25下进行,在美他V固和温度下约参数为保证
4、参数,不泌试s8 QJ 2831雪63)传输延迟时间和输出转换吉扣留在125、Vnn2V时,可按表到数值,乘以系数5。在125、Voo6V时,可按表?JJ数篷,乘以系数0.85,当V004.5V、TA=5525时,可按表列数值,乘以系数o.75. (a)测试纹路输入Vnn4 5V 绪已。Jil-J S 表混定D它TGND (的波君在Illt 输。vj tPHL : : :90%i- - F 一Fm ITLH 二二:弩梧输出反丰EV也因2开关时间测试线路和电压波形rn注z输入旅冲要求:脉冲幅度VM=Von士10%1占空比q=SO%事重复频率f=lMHz1 QJ 2831雪6上升时;写下烽lt.f
5、n写在不大于加s,9负载电容CL50pF士10%(包括探头及夹具电容。9被试苦苦停DUT,被翠i输入主肯接输入脉i中,非被主运输入主富接GND豆豆V四(按袤规定);被到输出端接Cu$被视l输出揭开路,分别幸运量每个草草也端。3.5 电测试要求各级器件的电测试要求应为表8规定的有关分毯。各分短的电测试要求按表9规定迸行。表8电测试要求3级器件B级器件Bl级器俘项自分主E变化量分组变阵化量民主| 分组变化量(巳表9)极骂王(见表白(见表9)毅限中1可(老化建宅淑试Al Al Al 中i可静态老化IAl :, 老化后静态老化EAt IY Al 车?宅楼试动态老化Al I 6 Al I 6 最主要电到
6、试I、A3.A7、lI A2, A3, A7、A2、A3.A7、!A9 A9 A主主检验电视;试I Al. A2. A3. Al. A2. A3, Al. A2. A3. , A4、A7.A8、A4、A7、A8、A4、A7、A8、A9、AlO、AllA9、Ale、AllA9 E组检验电测试I Al、A2.A3I 6 Al Al C毯终点电流过ALA2.A3 i二Al.A2.A3 I 6幻D主呈终J震、电测试Al.A2.A3 Al.A2、A3A1,A2、A3注:1)该分组要求PDA计算(见第4.2条儿2)老化和寿命试验要求变化量卒)被j试,其辍限值应符合表16的娩定。3. 6 标志苦苦件标志应符
7、合GJB597第二条的双定。3. 7微电路短的划分本规范所涉及的器件应为GJB597附录E(补充件)规定的第36微电路组。10 QJ 2831-96 表9-1A组电漠i试条伶1呈范锺分组符号方法单位GB3834 若无其他规定,TA25它最小最大iAl V+ GB3439 GND竭开路,丰童出楼开菇,DD幸地,1. 5 2.1 被现输入端JlmA,非被据1输入撬开路。v v,气GB3439 GND端接地,输出撬开路,Voo开路;1. 5 2. 1 被剥输入端J,.lmA,非被浏善意入端开路。JDD 2 15 V即6V,输出楼开盖在0 2 .严A 所有输入端接Vrn6V或VcovVoH) 2. 7
8、 被视i输出端v.o. 3V, vDD二2V1. 95 Io20A 其他输出端开路Vc0.9V,Vno生5飞4.45 v,1.2V,Vnn在V5. 95 被测输出端Io4mA其VcO. 9V ,Foo4. 5V 3. 98 fiil输出生撞开路被割草告出端Io5. 2mA ,l. 2V,Yun6V 5. 48 !其他输出端开路!飞r号OL)2.在;被测输出端Io20A其继Vcl. 5V,Fno2V 0. 05 输出主赛开路Vi二3.15V,Fno4. SV 0.05 V,4. 2V,Fnn6V 0. 05 i 被理t输出端Io4mA其悠y,3.15,Yuo4. 5V o. 26 i 输出革革开
9、路被割t输出主在Ios.2mA冥Vi二年2V.Yno6V0. 26 i 他输出楼开路I田2. 9 V即6V,被测草草入端接V四6V,其他辘入竭接ViLov.幸告出主意开路,分呈交祖母每个输入绩。J,L 2. 10 FDD6V,被浏输入端接V泣ov,其引运输入端接V旧6V,-0. l 较出端开路,分裂祖每个输入祷。I OS) GB3439 Foo4V,所有输入端接V曰4V,输出楼接泡。120 10 mA 2. 21 A2 r,.12sc,除V+YK不测外,所有参委主、条件同Al分毯。规范徨主主表6-1,A3 TA 55,除V、V化动态老试验条佯D不要求试验条件D或i化12军C;l92hEl25气
10、;160h 中间(老ft叫时表II Al分组和表16Al分组和表16中(6)极限与中(乌)极限中(6)极限后宅测试允许不合格5%, (其字功能4号5%,Al分理。10% ,Al分毯。8) 品率CPDAl失效应不超过:若来Ji乏,但不若来递过,但不计算3%),Al分毯。合格品率未起合格品率未超若未通过,但不过10%量才可重过20%时可重合格品率未超新老化后主是交霎新老化后提交,过10%1lt可重但只允许一次,但只允许一次,!If老化后提交E旦PDA加严为旦PDA损严为只允许一次,3%, ?抖。且PDA法严为3%. 最终宅渎试AL A2. A3. Al AZ、A3.Al. AZ. A3. 9) A
11、7、A9分组A7、A9分经A7、A9分组密封1014 1014 1014 (a)细检漏试验条件Al试验条伶Al试验条件也或AZ或A2或A2(粗检苦苦试验条件Cl试验条件Cl试验条件Cl或C2主主C2或C214 筛选项目X射线照相鉴定或费量一致性检革主样品的摇取外部过检方法!2012 5005 2009 5级器件条件和要求两个被11)3. 5条3. l条QJ 2831 96 续表10方法条件和要求也JB54别B级器俘Bl级器件方法条件和要求方法条件和要求不要求不要求5005 3.5条3. 5条2009 3. I条2日093. 1条注,1)抬举i渎主盘.B级,LTPD5,Bl,LTPD二7(均对键
12、合委主而言至少3个器件。2)用方法!Oll试验条伶A(l5次错环)替代。3)可在密封策选后送行线革开落、外壳破裂、封羞段落为失效。4)可在温度键环之后,中l泻老化后)电那试之前前任何工序遂行eu应在中到(老化前电测试之前在每个器件主编号e的主EAl分经测试,剔除不合格器件,并记录合格器件的jDD筐,7)Bl级器件,可按本规范003刽线路,在静态或动态中任边一种老化。说弱10) 8)用老化失效(包括超过Al分程规范值和A极泼的器件数,除l!1该老化批所提交器俘的总数,主E为该批的不合格品率,若不超过规定的PDA,;Jltl该校应接收。9)本Z要筛选后,若引线涂覆玫变或返工,应再进行Al分组或A2
13、,A7分主D测试。10)可在发货前按批进行。4.3鉴定检验鉴定检验应按GJB597的规定。所进行的检验应符合GJB548方法5005和本模范A、B、C、D和E组检捡(见4.4. 1 4. 4. 5条)的规定。4.4质量一致性检验质量一致性检验应按GJB597的规定。所进行的检验应符合GJB548方法5005和本规范A、8、C、D和E组检验(觅4.4. 1 4. 4. 5条的奴定。4. 4. 1 A组检验A主E检验应符合表11的规定。筛选及B、C、D、E组检验所要求的A组电测试,按表8的规定,各分组的具体电参数浏试按表9的规定。A组检验各分组的数Ii式可用同一样本进行。当要求的祥本大小超过批的大
14、小时,允许百分之百检验e各分组的测试可按任意顺序进行。合格判定数(c)最大为2。15 a.JC54HCOO 动态者化b JC54HC03 动态老化o. JC54HC08 动态老化d. JC54HCIO 动态者化16 Voo Von RI IA IY R2 Voo Voo QJ 2831 96 Von/2 静态老化Voo 静态老化Von 2 RI IA 静态老化Voo Vnn/2 2飞止Jlr is ,生Rl 2B Voo/2 静态老化Voo 2, RI IA11 s LRl 1B也主二H晶晶 Voo/2 IY R2 二2Y R2 一一一3Y R2 一-L二4Y R2 !Y R二Von/2 n
15、IY R2 2Y R2 3Y R2 一一一-c二R2 Voo/2 I, 1Y R2 2Y R2 一一-L二3Y R2 e. JCo4HC2D 动态老化Ven R2 R2 QJ 283196 静态老化Vnn/2 2 is 静态者化f. JC54HC3D 动态老化Vnn Vnn/2 2 is R2 图3老化和寿命试验线路图注:Vnn二6V;Rl4.7k口,RZlkil,动态老化脉冲发生器特性要求Vnn Vnn Vn.OO. 5V;Vm4. 5 6V ;fZ5kHz!MHz;占空比q50%;转换时间小于0.5s。静态老化a.静态老化I所有输入端通过电阻器Rl接地(开关s置“lb静态老化E2所有输入端
16、通过电阻器Rl接VnnC开关s置“2,位置)。Vnn/2 R2 RZ Vnn/2 R2 17 QJ 2831 96 表11A组检验(对所有等级)分组测试LTPD Al 25下静态2 A2 125下静态3 A3 55下静态5 A4 25下动态(Crl2 A7 25下功能2 AS 125和55下功能5 A9 25下开关(不测Crl2 Alo 125下开关(不测Cr)3 All 55下开关(不测Cr)5 注,)仅在初始鉴定或工艺、设t十改进时才进行该分组测试。4.4.2 B组检验B组检验应符合表12的规定。若无其他规定,表中采用的方法系指GJB548的试验方法。不要求终点电测试的分组可采用同一检验批
17、中电性能不合格的器件作为样本。表121 S级器件B组检验方法条件和要求(GJB548) 样本大小接收数试验或说明方法条件和要求LTPD Bl分组内部水汽含量试验仅适物理尺寸2016 按规定2 (0) 用于陶瓷熔封外壳的器内部水汽含量1018 在100时最大水汽3(0)或5(1)件。先试验3个器件,若含量为5000ppm一个失效,再追加2个器件,不允许失效。B2分组B2分组的样品必须经过抗溶性2015 按规定4(0) B6分组的温度循环和恒内部目检和机2013 按规定或由订货合2(0) 定加速度试验。械检查或同规定合格判据2014 键合强度g2011 3 LTPD系对键合数而言,超声焊试验条件C
18、或D至少4个器件。芯片抗剪强度2019 按芯片尺寸确定合3(0) 格判据。18 QJ 2831-96 续表12一l方法条件和要求(GJB548) 样本大小接收数试验或说明方法条件和要求LTPD B3分组15 可焊性2003 焊接温度3LTPD系对引线数而言,或245士5至少3个器件。2022 B4分组2 (0) 引线牢固性2004 试验条件B2密封1014 (a)细检漏试验条件Al或AZ(b)粗检漏试验条件Cl或C2B5分组5 电测试AL A2, A3分组读可采用A组检验的数据,数并作记录。不另行测试。采用图3或稳态寿命1005 试验条件C其等效的试验线路。温度,125时间,lOOOh 电测试
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