QJ 2658-1994 半导体集成电路TTL-兆赫主频率振荡器MF05详细规范.pdf
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1、! 中国航天工业总公司航天工业行业标准QJ 2658-94 半导体集成电路TTL一兆赫主频率振荡器MF05详细规范1994-04-25发布1994-11”实施中国航天工业总公司发布自次I Iii:!明. ( I ) !. I 主题内容 . . . e川、. (I) 1. 2 适用范圈. . . ( I ) 1 3 分类 . 自6 . ( I ) l. 4封装形式川. . . ( I ) 1. 5 绝对最大额定值. a . (I) l. 6 4桂将工作条件 .、. ( 2) 2 引用文件。. . . . ( 2 ) 3 姿求. 国 . ( 3 ) 3 1 详细哥哥求. .、A . ( 3 ) 3
2、. 2 设计络构和外形尺寸。. , ( 3 ) 3. 3 引线材料和涂覆。. ( 4) 3. 4 咆特性。, 司 . ( 4 ) 3. 5 咆测试要求., 与“川,(5)3 6 标志 ” . . (8) 3. 7 微咆路生目的划分. . .川.(8) 4 质ii:保iiE规定,川.e . ( 8 ) 4. I 抽样和检验. . . . . . . . ( 8 ) 4 2 筛逃 . 白. ( 9 ) 4 3 接定检驰. . ,.!”. 、. . ( 9) 4. 4 质量一致做检验 . e ” . ( 9 ) 4 5 枪验方法. .自. . (18) 5 交货准备,川1, 守. . .川剧. .
3、(1川5. I 包装要求。. . (19) 6 说明驳驳川.白白白白A ( 19) 6 I 订货资料。, 川。 (19) 6. 2 缩写i司、符号和定义。( 19) 6. 3 替代性。. . t (20) 6 4操作句、. . .,. (20) 附录A测试方法(补充件)吁(21) I 范围中阂航天工业总公词航天工业行业标准半导体集成电路TTL兆赫主频率振荡器MFOS详细规范I. I :tllli内容QJ 2658 94 本规I!.规定了磁单片L赫主频率振荡器MF05(以下简称器俐的详细要求和质量保证规定I. 2 i嚣附l1i!团本规范i重附于器件的研制飞生产和采购。I. 3 分类炮111台阶的
4、彬f牛梭糕件理型号峪告f牛号事级分类I. 3. I 器件编号器件编号应符合GJB597第3.6.2条和本规范的规定,1.3.1.1 器件lili略器件骂型号虫ni丧l所示,表1a件则号1.3.1.2 器件等级精f牛号事i!&E空为GJB597 自3.4;,所规定的5级和日级,以及本规范舰定的Bi级。趴在政产品保证要喜欢的如:1草、县在lE手pIi货;重E史性检验的某些朋阁制要要求不网于日在盟组I. 4 封装形式主I装形式liL符合GB7092第5章的规定s具体形式如表2所以2我2封辈辈形式 量t辈辈形式件很代号T ( 12寻绒金胸圆形纣辍)Tl2D4 1” 5 貌对龄大瓢泼值中凶航天工业总公E
5、ij19940425批准19941101实施QJ 2658 94 绝对最火领xEiff庇符合农3的规定嗣表3绝对最大概xE值事虫项目符号最小电汹电压v “ l. 0 贮存站道理T叫65 哥战耐僻撞温度(10)T, 结也T, I. 6 推荐工作条件微草学工作条件脱符俞狡4的规;:g.我4推移工作条件费生项曰符号最小电i酣电压v 4. 5 输ii.商咆.f咆流1, 输出低电平电就I 工作顿都f 0. 8 工作环境淑庶TA 町552 51周文件2 GB 3431.l 半导体集成电路文字符号咆参数文字符号GB 3431.2 半导体然成咆跻文字符号习IIll端功能符月GB 3439 半导体集成电路TIL
6、电路测试方法的基本原理。B4590 半导体集成电路机械和气倏试验方法GB 4728 咆气网用网形符号GB 7092 半导体集成电路扑形尺寸值单位般大7. 0 v 150 3阳它175 6草单伎描火5. 5 v 150 A 5 mA I. 5 MHz 125 QJ 2658 94 GJB 548 微附于根件试验方法和秘序GJB 597 微电路总规范GJB 1649 电子产品防静电放电控制大纲3 要求3. 1 详细要求各项勇军求应符合GJB597利本规蔽的规定3. 2 设计、结构和外形尺寸设计、结构应符合GJB597和本规范的规定扑形尺寸应符合GB7092的规定。3. 2. 1 逻辑符号和引出端排
7、列逻辑符号和引出端排列应符合图l的规定号附带材价列为俯视图。i!统符号ex 0 J咱厂L(II) Q G,(5) , ex 号出精排,i图lilE辅符号和号,I:端排列3. 2. 2 功能器件外接晶体后即振荡输出方波脉冲,脉冲频率由晶体颇事决定外接晶体的连接方法如图2所if;,G, (3) G MF05 ( 11) Q 自自2外接晶体i主主是自副3 QJ 2658 94 3. 2. 3 咆路网承制厂有鉴定之前应将将件的电路国提交给鉴定杭构“承制厂的电路网0/.E甘鉴定机构存梢备盗,苦苦牛咆路灿自制3所示) 5 ( (再V囚(8) ) 1 1 ( (l) 因3咆Jill图i主R,为1.5kQ;R
8、,均760Q;R, j句5.5kQ; R,如1.5kQ;飞到到白,R,;去g3kQ; R,均J.8k白,R,J.J lkQ; R,为3kQ.3. 2. 4 到装形式封装形式应符合本规范第1.4条的规定s3. 3 I纷材料和涂覆引线材料和渝覆应符合GJB597第3.5.6杂的规定“3. 4 电特性者自牛的时主特性应符合我5的规定a若是5略特性;, 件组事E值特性f守号(蒜无其它规定!单攸T, I叩55- + 125) 瞌lj、嫌k输t!l商电机电!kv, Vcc4.5V, I, 150A 2.9 v 输出低电子电!kv v,立足足4.5V,loc lmA 0.3 输出截止搁电流 V优5.5V,V
9、5.0V 30 A 静态唱巨v, vc, 5.0V 0.95 v 4 特A问:符号动态电棚电流lcco 工作黝串俯移llf 上升时间下降时间t, 输出脉冲.II!:皮two 无分颇电源电v E五泡F间QJ 2658 94 续我5费量件(若无其官规定,T, 55 + 125 t ) 几c“5.5V,3相5峭zr町接!MHz晶体,R,soo口,c, 15pl v届5,0V,R,苗苗800日,C,岳阳pf,3 臼F崎立间拢!MHz晶体v ITs.ov, R, soon, C,15pF,3相5端主间接!MHz 晶体V IT ”5 ov, R, soo日,c,黑白pf,3阳5喃之间接!MHz晶体v四5.
10、0V,且,且目。,c, 15pl, 3和5峭立间接!MHz晶体R, soonC, 15pF, 3和5端立问搜!MHz晶体媲范蓝最小最大8 0,1 l创里)0,47 if 。”if3 6 注l)究整测试矗仲见在7,电睿器和电阻榕的允许说盖甘且lj沟土10%利土5%,3. 5 叶在捆l.ll:ll QJ 2658 94 表9A组检验LTPD 试始日和B饭B,缆Al分组25下静态测试2 2 A2分规125下静态测试3 3 A3分组5 5 -55下静态测试A9分直且2 2 25t f开提测试AIO什蚓3 125下卉斐测试All分组5 55下卉先测试4. 4. 2 B组险验日纫中最输胶符合我10的规定不
11、要求终点电测试的分组可采用问一检验批中电性能不合格的器件作为样本卧我I0 - I S级器件H组检验方法、条伸租J束(GJB548) 试验样品敬(接收数)I 明方法* f牛或LTPD Bl分组尺寸2016 2 (0) B2分组日2什组的样晶必Z扰i冉2015 4 (0) B6分虫目的根庶制环相似内部自检和机2013或由订货合问规定合格2(0) 定加速度试验械愉班2014 判t时对键击报庶试验,LTPD键告强度2011 试验条件C或D3 革措键合敬而言II声焊芯片剪切损度)19 I相应;、片尺才l ( 0) 13 QJ 2658-94 续表IOI 方法、条件和盟军控(GJB548) 试验样品般(接
12、收数)说明方法品悴或LTPD B3分组15 LTPD :;对引线敬而古,可姆愤2003 解拨诩庶被试I仲费lZ不少于3个245士5日4分组l2(0) 号线窜阴性2004 试验条件B2电饿盟置好精封1014 细检漏试验1fo;仲Alli!A2 租检漏试骏条件ClE在C2B5分组5 电测试Al. A2和A3什姐静态薄命前的电费敬可读出井记最A9叼AIO直接采用A细检验敬据,ifll All卅姐:不再细行测试作栋记静态寿命试验果用固6静恋寿命1005 试验鼎仲PJll;E 的试施娥路温度125 时闷l侧h电测试Al. A2和A3分组。i提出排记最A9峪AlO和All卦组作标记B6分组15 电测试Al
13、. A2和A3什组议峻前的电费敬可直接丽度循环JOJO 读出并记录试验是件果用AIH检验戴帽,不C,生少恼部IC附ll:砾岛们测试trr!Elm速度2001 试蛤ll件E,Y,方向F骨封1014 细检漏试验矗件Al或A2拟怆瀚试验条件Cl或C2电测试Al. A2和A3分组i嚣ill井记敢日7分组15 ( 0) 电测试Al分组除非另有规定,试验主静电眈电,。JB少!i1叫树次搞成相盟新瞌皮1649 设计的产品逃行电测试Al什组14 QJ 2658-94 表10-2B和B,级器件B细检验方法条件和要求(GIB548) 试捡B银器件B,级器件Ir法晶件1i法品件BI分生旺尺寸2016 2CI6 B2
14、什主且抗jjJ性2015 2015 BJ分组可t弹性2仅1焊接壤段2削1t且Ill咀!lf:245土5245土5B4什组内邵阳愉平日2(114 2014 机械挫章日5分织键告强度2011 试验条件C立lll 试验条件C制阳烨卫ED JI( D 日8付革且电测试AI7f倒耳之要束静电版电丑GIB 做ll11649 电测试Al分组4. 4. 3 c组始验B级和B,统器件的C纵检验应符合适!11的规定团$级指f牛不主要求淤行C纫怆驰s4. 4. 4 D细检验D主且怡验应符合瓷12的规定也样晶敏(钱收敬)或LTPD 2(0) 4(0) 15 3 ( 0) 7 15 ( 0) 说明LTPD显啊!生是数附
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