GB T 14119-1993 半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范.pdf

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1、中华人民共和家标半导体集成电路双极熔丝式可程只读存储器空白详细规范Blank detail specification for smiconductor integrated circuit fusible-Iink programmable bipolar read-only memories (可供认证用)GB/T 1 4 11 9 93 本规范规定T编制半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器(以下简称器件详细规范的基本原则。本规范是半导体集成电路一系列空白详细规范中的一个，它应与GB4589. 13J GB 12750(半导体集成电路分规范不包括混合电路) 器件型号、名称详细规范订货资

2、料:见本规范1.2条机械说明4J 5J 7J 说明6J 外形依据:GB7092电源电流1)Vcc最大输入籍位电压Vcc最小，/IK按规定输出高电平电压引V最小，/OHA出低电平电压5)Vcc最小，/OLA+ 入高电平电流V最大，V1H 入高电平电流Vcc最大，VIH (适用时)输入低电平电流Vcc最大，V1LA 输入低电平电流V最大，VII输出高电平电流5V最小，VOHIl 输出低电平电5) Vcc最大，VOLA输出晶电平电流盯V最大，VOHA输出低电平电流2)V最大，VOLB=工1，且5，己出时出高电电流Vcc最大，VOHIl (适用时)符号最川、值最单位Icc mA V1K V VOH V

3、 VOI V IIH(!) A IIH (2) A 111 (1) A IIL( 2) A IOH A IOI. mA IOHX A IOLX A 10HZ A 特性三态输出时输出低电平漏电(适用时)出短路电流3)注zl)适用时g条件UVcc最大，VOLA V最大，VO=OGB/T 14119 93 续表符号loLz los 2) loHX和loLx仅适用于有集电极开路输出的电路。这种情况下且可替代loH和101.I 3)应规定持续时间F的这些条件应加以规定，以保证在最坏情况下进行有关电特性的测量$5)测量这些特性，可要求器件编程。在适用时，还应当规定下述内容:在某些端既可作输入也可用作输出时

4、，则应给出这两种条件下的电特性。6.2 动态特性 电特性条件)符号最大值地址存取时t.(A) 片允许存取时间t. (S) 片禁止tdi.(S) 注:1)必须规定测试条件和负载电路。6.3 时序图单位A mA 单位ns ns ns 应当给出能表示该电路每一种操作方式的全套信号时序图。为保证存储器正确操作而需要让用户的任何时间间隔都应予以规定，例如维持条件和脱离维持条件的操作周期。并且，时序图上应给出第6.2条中的全部参数。6.4 电容特性条f牛符号输入电容C且输出电容(如适用)C。7 本章应给出下述内容:J7. 1 所采用的编程方法(系统编程organigmm等h7.2 说明编程顺序的时序图。7

5、.3 编程步骤。7.4 输出负载(适用时)。7.5 满足最低编程率时的编程特性表。适用时，应给出下表中的内容。最，j、值最大值单位 pF pF GB/T 14119 93 特性条件符号最小值最大值单位程电电压I(p) V(p) V + 检查电电压V(V) V 检查值电压VTH(V) V 电电流V刷I刷 mA 入高电平电压V1H V 入低电平电压V1L v 入高电平电流V1H lIH A 入低电平电流V1L IIL A 强出电压h(PF) VO(PF) v 强制出电流VO(PF) Io(PF) mA CE 入高电平电压V1H(E) V CE 入低电平电压V1L(E) V 输出脉冲上升时间t ,

6、s CE 程脉冲宽度lw(p) s 脉冲序列延迟td s CE检查脉冲宽度tw(El s 地期t ,(PV A) s 存程期t,(PVMl 口lS实低程率，每役的试验FL 次数最率py % L_一适用时，还应选择下表中的以规定。特性条件符号|最小值|最单位入上升时间入下程脉冲允许信号脉冲或脉冲允许信号结t, 一-一一一 j( ns tI ns 时间号的建立时间l.u(A) ns t.u(PR) ns 的允许信号的建立时间许信号结束后的地址保持时间冲或编程允许信号的保持时l.u(Ens I h Al ns t hPR) ns 脉冲或编程允许信号结束后的允许信号保持单元的总编程时间t hEl ns

7、 ltot ns GB/T 1 411 9 93 8 方法见GB12750第12.2条。9 附加可任选下述附加资料作为起码的，这检验的。a. 热阻;f可用该数据来确定最高工作温度，这个温度是根据推荐的最坏使用条件，在规定的耗散条件下，器件表面基准点上所允许产生的最高温度。b. 曝声容限输入，电源电压等); c. 电源电压;适用时，应提供电源电流(或电源电压)在规定的控制信号频率(包括适用时的脉冲电源)范围内的型变化曲线。d. 负轼现足;应提供输出负载能力的资料。e. 商号町田牺入或输出电路的电原理图。10 (适用时见GB12750第8章。老化条件应作如下规定:Ja. 环境温度:若无其他规定应为

8、最高工作温度hb. 电源电压:若无其他规定应为标称电压J;c. d. 线路图和条件e11 定下述两个程序均可采用。11. 1 鉴定批准程序见GB4589. 1第3章和GB12750第5.1条。11. 2 能力批准程序在考虑中。12 结构相似见GB12750第6平。C当详细规范采用结构相似性规则时，应指明所采用的结构相似性规则和每种试验所采用的有关结构相似器件。13 试验条件13. 1 抽样要求和检验批构成13. 1. 1 抽样要求见GB4589.1第3.7条和GB12750第9平。13. 1. 2 A组检验采用AQL抽样方案。GB/T 1 4 11 9 93 13. 1. 3 检验批构成见GB

9、12750第5.1. 1条。如果采用结构相似器件，则按GB12750第6章。13. 2 检验表表1A组检验(逐批)分组检验试验试验条件要求极限A1 外部目检见GB4589. 1第4.2. 1. 1条A2 25 C下功验证本范第3号中的常规功能操按详细规范规定作A2a (不适用于I类)同A2分组同A2分组最高工作下功能证口Tamb =Tamb max A2b (不适用于I类)A2分组同A2分组最低工作下功能证1)Tamb = T a1b min A3 25 C下静态特性见本规范第6.1条按本规范6. 1条A3a A3分组可与A3分组不同最高工作下静态特性1)Tamb = T iJ mb max

10、A3b 同A3分组可与A3分组不 最低工作温度下静态待性1)Tamb = Tallb min A4 250C下的动态特性见本规范第6.2条按本规范第6.2条入信号和出波形的电压、时序及其组态按规定的控制时序图。还应规定基本的定时条件的相应值和输出负A4a (不适用于I类)同A4分组可与A4分组不 最高工作下动态特性1) T 8mb = Tamb rr.a x: A4b 最低工作下动态特性1)同A4分组可与A4分组不同T出=Tambmin 注:1)如果制造厂能定期证明两个极限温度下的试验结果与25C下的试验结果相关，则制造厂可以使用250C下的试验结果。在选择该方法时，应采用250C下有关试验分

11、组的抽样方案。分组检验或试验时|尺寸时|可焊性85 快速变化a)空封器件表2B组检验(逐批)( 1类器件见GB45R9. 1第2.6条)引用标准GB 4589. 1第4.2. 2条附录B 条件检验要求极按本规范第2页的表浸润良好分组G/T 1 4 11 9 93 检验或试验温度快速变化，接着.电测试(从A2、A3中选择).细检.粗检b)非空封和环氧封的空封器件续表2引用标准GB 4590第3.1条GB 4590第3.12条GB 4590第3.13条条件10次循环同A2，A3分组按规定按规定度快速变化，接着I GB 4590第M条I 10次循环.外部目检1 GB 4589. 1第4.2. 1.

12、1条.稳态湿热1 GB 4590条3.7条|严格度1.24h.电测试I I同A2、A3分组(从A2，A3中选择)B8a I可编程性见本规范第14章见本规范第14章器件应按规定的图形编程。至少应选择两种图形即采用拓扑图形互补的棋盘校验板，使每个单元电测试B8b I电耐久性GB 12750第12.3条电测试一次同A2、A3分组168h.条件按GB12750 第12.3条和适用时的第12.4条同A2、A3、A5分组CRRL I ;就B4、町、B8a、B8b提供计数检查资料分组C1 I尺寸C2a I环境温度下的电特性C3 1;11线强度C4 I耐焊接热C5 化a)空封器件温度快速变化，接着.电测试(从

13、A2，A3中选择)表3C组检验(周期)引用标准GB 4589. 1第4.2. 2条，附录B本规范第6.4条GB 4590第2.1条、第2.2条GB 4590第2.6条GB 4590第3.1条.细检漏1 GB 4590第3.12条.粗检漏1 GB 4590第3.13条b)非空封和环氧封的空封器件温度快速变化，接着1 GB 4590第3.2条.外部目检1 GB 4589. 1第4.2. 1. 1条条件按规定按规定按规定10次循环按A2，A3分组按规定按规定500次循环检验要求极限同A3分组同A2、A3分组同A2、A3分组同A2、A3、A5分组检验要求极限值按无损伤同A2，A3分组GB/T 1 4

14、11 9 93 续表3分组或试验引用标准条件检验要求极值.稳态湿热GB 4590第3.7条严格度1，24h.电试按A2、A3分组同A2、A3分组从A2、A3中选择)C6 加按规定GB 4590 2. 10条(空封器件)C7 热a)空封器件GB 4590第3.6条严格度gE、E件为56dI类器件21db)非空封及环氧封的空封器件GB 4590第3.7条严格度:A偏置:按详细范定时间zE、E类件为1000 h; 1 为500h电测试(同A2、A3分组)A2，A3分组同A2，A3分组C8 电耐久性GB 12750第12.3条时间:1OOOh 同分规范12.3 条条件按分范12.3 条或(适用时)12

15、. 4 条C9 高温贮存GB 4590 3. 3条在Tstg最大值下1000h C11 标志耐久性GB 4590条4.3条方法lC12 入电容本规范6.4条本规范6.4条C13 出电容(适用时)本规范6.4条本规范6.4条CRRL 就C3、C4，C5、C6，C7、C8、C9和Cll分组提供计数检查资料表4D组分组或试引用标准条件要求极限值D8 电耐久性1)GB 12750第12.3条I类z不适用按分规范第12.3条E类:2 OOOh E类:3 OOOh 条件:按分规范第12. 3条和(适用时)12.4条注:l)D组试验应在鉴定批准之后立即进行，此后每年进行一次。GB/T 14119 93 13

16、.3 延期交货若无其他规定，见GB4589.1第3.6.7条。14 见GB4589. 1第4.3. 1. 1条。14.1 PROM存储器的特殊试验一一可编程性这个试验在B8a分组中按下述条件进行z14. 1. 1 编程功能的评定采用先调整电耐久性试验样品，即根据所希望的PDA值增加样品量。编程率试验的条件应由制造厂规定，并且应在编程方式里规定的每一种变化所允许的值的范围里选择。编程之后，写在存储器内部的真值表应改变状态。存储器至少有50%的二进制单元改变状态，应当注意内部地址译码电路均匀地程元件分布在整个芯片表面。14. 1. 2 编程的样品量设:SE电耐久性试验样品量此处取合格判定数coJ PR PDA(比值)详细规范应规定PDASp可编程的可数样品则zSp=-2(1 PR) 数则取整，设该为S。14.1.3 合格判定数程后的最大失效数PRXS(接收数如果不是整数，则减小该接收数，取整后作为拒收数。14.1.4 如果一个单元不附剧院响Z本标准由中华人民共和国机械电子工业部提出。本标准由集成电路标准化分技术委员会起于。本标准主要起草人吴佑华、王鸿抖。，则判件失效。