GB T 5838.1-2015 荧光粉 第1部分 术语.pdf

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1、ICS 3 1.030 L 90 B 中华人民共和国国家标准GB/T 5838.1-2015 代替GB/T5838-1986 L唱.荧光粉第1部分:术语Phosphors-Part 1 : Terminology 2015-05-15发布2016-01-01实施JFT!其中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局也t吟吟中国国家标准化管理委员会。叩., GB/T 5838.1-2015 目次前言. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .m 1 范围. 2 基本概念.3 荧光粉材料.10 4 测试技术.19 警5 器件及应用.3

2、0 索引. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37 I 唱，GB/T 5838.1-2015 前言GB/T 5838(荧光粉系列国家标准包括以下部分:一一第1部分z术语F一一第2部分z牌号;第3部分E性能试验方法p一-第4-1部分z黑白显示管用荧光粉;一一第4-2部分z指示管用荧光粉;第4-3部分z示波管和显示管用荧光粉;二一第4-4部分:彩色显像管用荧光粉;一一第4-5部分z彩色显示管用荧光粉。本部分是GB/T5838的第1部分。本部分按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本部分代替GB/T5838-1986(荧光粉名词术语。本部分与GB/

3、T5838-1986相比主要变化如下z一一将半宽度和谱线宽度两条术语合并成一条术语，且都用优先术语表示(见2.68，1986年版的1.67和1.66); 增加了激发波长、发射主峰和相对亮度的术语和定义(见2.60、2.64、2.74); 一一增加了冷阴极荧光灯(CCFL)用荧光粉、等离子显示器CPDP)用荧光输、发光二极管(LED)用荧光粉、场发射显示器(FED)用荧光勒、真空荧光显示器CVFD)用荧光粉、温度特性的术语和定义(见3.7-3.9、3.22、3.27、3.71); 一一增加了粒度分布离散度、比表面积、pH值、电导率、流动性、光谱反射率的术语和定义(见4.52、4.53、4.56-

4、4.58、4.63); -一一增加了冷阴极荧光灯(CCFL)、等离子体显示器CPDP)、发光二极管(LED)、场发射显示器(FED)、真空荧光显示器(VFD)的术语和定义(见5.505.54); 一一修改了三基色灯用荧光粉，并增加了铝酸顿镜铺锺荧光精(见表1，1986年版的表1);一一修改了影色灯用荧光精(见表2，1986年版的表2); 二一修改了黑光灯用荧光褂(见表3，1986年版的表3); -一删除了电致发光测试盒、电介质、介电常数、介质损耗、二次电子发射、二次电子发射系数、电子穿透深度的术语的定义(见1986年版的3.101-3.107); 按GB/T20001.1-2001的要求，将定

5、义中出现的许用术语、优先术语和符号调整到术语的位置，定义中的举例和说明用示例和注表示，且删除了一些无关的叙述;一-一删除了所有荧光粉名称中的冒号。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。本部分由全国半导体设备和材料标准化技术委员会CSAC/TC203)归口。本部分起草单位z彩虹集团公司、中国电子技术标准化研究院。本部分主要起草人:黄宁歌、张东宏、裴会川、庄卫东。本部分所代替标准的历次版本发布情况为z一一-GB/T5838-1986 0 皿 、荧光粉第1部分:术语1 范围GB/T 5838的本部分规定了荧光粉材料常用

6、的名词术语和定义。本部分适用于荧光粉常用名词术语的理解和使用。2 基本概念2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 发光radio luminescence 冷光cold luminescence 物体热辐射之外的一种辐射。注z这种辐射的持续时间要超过光的振动周期荧光f1uorescence 激发停止后，持续时间小于10-8S的发光。示例g蒸汽、气体或液体在室温下的发光是典型的荧光。注z有时不以发光的持续时间作为荧光的定义，而是把分子的自发发射称为荧光。磷光ph崎phorescence激发停止后，持续时间大于10-8S的发光。示例z重金属激活的碱土金属发光物质的发光是典型的磷光.注z有时把晶体的

7、复合发光称为磷光。但现在对荧光和磷光已不作严格区别。光致发光photoluminescence 用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光。示例:日光灯的发光。电致发光electrolnminescence 在电场或电流作用下引起固体的发光。GB/T 5838.1-2015 注2目前常见的电致发光材料有三种形态z结型、薄膜和粉末，其中粉末电致发光又有直流和交流之分。2.6 交流电致发光A. C.electrolumin回cence由交流电场引起的发光。注z它靠交变电场激发，即使通过的传导电流很小，仍可得到发光。1 GB/T 5838.1-2015 2.7 2.8 2.9 直流电致发光D.

8、C. electroluminescence 由直流电场和电流作用引起的发光。注z它和交流电致发光不同，要求有电流流过发光体颗粒，否则不论电场有多强也不能得到发光。阴极射线致发光cathodoluminescence 固体受高速电子束轰击所引起的发光。示例E各种示波管、显像管、雷达指示管是典型的阴极射线致发光器件。X射线致发光X-ray luminescence 由X射线激发发光物康产生的发光。2.10 披射线致发光radioactive ray lumin臼cence由放射性物质的射线激发发光物质产生的发光。示例z夜光表上的发光就是由锺(Pm111)卢射线激发硫化铸铜产生的发光。2.11 闪

9、烁scintiIlation 电离粒子(、P或Y射线)激发荧光体所引起的瞬时约10-55以下)闪光。2.12 热辑发光thermoluminscence 发光体的温度升高后贮存的能量以光的形式释放出来的现象。注，:热释隶光又可称为加热发光。注2:其发光强度与温度的关系叫热释发光曲线。热释发光反映了固体中电子陷阱的深度和分布，可以测量物体所受辐射计量.做成计量计，可以鉴别文物的真伪和化石的年代。2.13 原子的状态和能级state and energy level of atom 由原子核和围绕核运动的电子组成的原子(或离子)，它们的总能量在一定范围内只能取一系列不连续的确定的分立值，这些分立的

10、能量值对应于不同的能量状态.2.14 能级圄nergy level diagram 按微观粒子系统容许具有的能量大小，由低到高按次序用一些线段表示出来的图形。注2能级的数目是元限的，通常只画出和所研究问题有关的能级。2.15 能级的筒并d唔eneracyof energy level 在某些情况下，对应于某一能量E，微观系统可以有n个不同状态的情况。注2同一能级的不同状态数g，称为该能级的简并度。2.16 能级的分裂split of energy level 微观系统在电场、磁场等的作用下，原来简并的能级分裂成几个能级的现象。2.17 基态ground state 原子或分子以及由它们组成的系

11、统所具有的许多特定的、各不相同的能量状态中最低的能量状态。2 2.18 2.19 2.20 GB/T 5838.1-2015 激发态excitation state 微观系统的能量高于基态的一切状态的统称。注2系统由较低能态过渡到较高能态叫做激发。在激发过程中，系统需要从外界吸收能量，如施加电场、光照或加热等.处于激发态的微观粒子均存在跃迁回基态的可能性。跃迁transition 系统由一个能量状态过渡到另一个能量状态。跃迁几率transition probability 设某一能级上原有的粒子数为N.平均每单位时间内跃迁到另一能级的粒子数为tlN，则tlN/N称为粒子由该能级到另一能级的跃迁

12、几率。2.21 允许跃迁allow transition 满足选择定则的跃迁过程。注2粒子在它的两个定态之间发生跃迁需要满足一定的条件，这些条件通常用两个定态之间的两组量子数之差值来表示，称为选择定则。允许跃迁和禁戒跃迁只有相对的意义，即只有跃迁几率的大小之别。2.22 禁戒跃迁forbidden transition 不满足选择定则的跃迁过程。2.23 辐射跃迁radiation transition 粒子系统从较高的能量状态跃迁到较低的能量状态时，以光的形式把能量发射出去的现象。2.24 元辐射跃迁nonradiative transition 粒子系统从较高的能量状态跃迁到较低的能量状态

13、时，能量不是以光的形式释放的现象。2.25 弛豫时间relaxation time 物质系统由非平衡状态自发地趋于平衡状态的过程称为弛豫。在发光中弛豫是指一个系统从较高的能量状态向较低能量状态的转变，如激发电子与晶格相互作用而回到基态，激发电子向低能态的跃迁等。弛豫时间系指电子在较高能态的平均寿命。2.26 能级寿命Iife time of energy level 电子停留在某个能态上的平均时间，用r=l/A表示.A为自发发射的跃迁几率。2.27 能带energy band 描述晶体中电子能量状态的一个物理概念。数量级极大(1015以上).密集程度很高且可以看成是连续的能级。注z晶体是由大量

14、原子规则排列组成的，在晶体中原子的外层电子运动已不再局限在该原子附近，而是可以在整个晶体中运动。这种情况称为电子运动的共有化。其结果是:N个孤立原子有N个相同的能级，在晶体中变成N个能量略有差别的不同等级。因N的数量级极大(105以上)，所以这些密集程度很高的能级，基本上可以看成是连续的。电子可以具有能带内的任何能量值。3 GB/T 5838. 1-2015 2.28 价带valence band 最高的满带。注:晶体的能带图中，最下面的几个能带，基本上都是被电子所填满，故称为满带。2.29 导带conduction band 金属的价带之上的最低能带有大量电子(但没有占满所有的能带)，这些电

15、子在电场作用下，可以在晶体中运动，引起电流的现象。注3半导体价带之上的最低能带有少量电子，绝缘晶体的价带之上的能带基本上是空的，这些能带也称为导带.2.30 2.31 禁带Corbidden band 晶体中能带和能带之间的间隔，这个问隔中的能量一般是电子不能具有的。注2禁带往往表示价带和最低导带之间的能量间隔。禁带宽度band gap 能隐ener宵gap用价带顶到导带底之间的能量差来表示。它反映了使电子从价带激发到导带所需要的能量。2.32 杂质能级impurity energy level 固体中由杂质原子所形成的能级。注g因为杂质原子和周围品格中的原子不同，杂质能级中的电子或空穴只能局

16、限在杂质原子附近，不能转移到其他原子上去，杂质能级一般处在禁带中.2.33 激发excitation 处于较低能态或束缚态中的粒子吸收能量后跃迁到较高能量状态的过程。2.34 离化ionization 将原子或分子轨道上的电子分离，使原子或分子形成带电的粒子的过程。注1:加热、光辐照、施加电磁场、带电离子轰击等都可以使原子或分子离化.注2:发光中心的离化一般理解为处于束缚态的电子空穴被激发到导带(价带)脱离发光中心的束缚成为自由载流子。2.35 发光中心luminescent center 在适当的激发条件下，固体中发射光的原子(离子)或原子团。按发光中心的性质可以分为分立中心和复合中心。2.

17、36 分立发光中心discrete lumin四centcenter 如果发光过程从吸收开始到发射光子为止，可以完全局限在一个中心内部进行，这些中心彼此间是独立的，各自起作用，互不干扰(不排除它们相互间的共振能量传递)的。注1:分立中心在晶格中比较独立，一般是受基质晶场微扰的激活剂离子本身。注2:分立中心发光是非光电导型发光，一般发生在离子性较强的晶体中.2.37 复合发光中心recombination luminescent center 发光中心在激发时被离化，当电子和被离化了的中心重新复合时发生的发光称为复合发光，该中心4 GB/T 5838.1-2015 即为复合发光中心。注=复合发光

18、中心包括激活剂及其周围的晶格，激发和发射过程都有基质品格参与，发光光谱受晶格的能带结构影响很大。复合发光伴随着光电导的产生，一般为共价性强的半导体的发光。2.38 色，c，color center 使透明晶体产生非该晶体所特有的，新的吸收带的晶体的某些结构缺陷。注2如碱卤晶体中的F色心就是一个负离子空位束缚一个电子。产生色心的原因很多，如化学成分偏离、杂质的存在以及紫外或X射线的辐照等。2.39 陷阱trap 晶体中的杂质或缺陷所形成的能级。注2晶体中有些杂质原子或缺陷能够俘获电子或空穴，它们与复合中心不同，不能先后俘获两种不同的载流子，因而不起复合中心的作用。它俘获的电子或空穴可因热激励而释

19、放出来，再经过其他复合中心与空穴或电子复合。2.40 缺陷defect 晶体中对完整周期性点阵或结构的任何偏离。按缺陷的几何结构可分为za) 点缺陷z晶格空位、杂质原子、填隙原子等;b) 线缺陷z位错等zc) 面缺陷:晶粒间界、孪晶间界、层错、表面等zd) 体缺陷z空洞、第二相夹杂物等。2.41 激活activation 在发光材料的基质中加入某种杂质或使基质材料出现偏离化学剂量比的部分(即生成结构缺陷), 使原来不发光或发光很弱的材料产生发光的作用。2.42 共激活co-activation 与激活剂共同加入基质中可与激活剂协同起到增强激活的作用。2.43 自激活self-activatio

20、n 在不加激活剂的情况下，因基质晶体中的结构缺陷(空位或填隙)而形成的发光中心称为自激活发光中心，这种激活作用称为自激活。2.44 电荷补偿charge compensation 激活剂掺入基质时，如果发生不等价置换，就会在晶体中形成带电中心，因而需在晶体中再形成一个带相反电荷的中心，以保持晶体的电中性，这种作用就是电荷补偿。2.45 2.46 斯托克斯定律Stok田slaw 发光物质的发光波长一般总是大于激发光波长。注:激发能量与发射能量之差称为斯托克斯位移。反斯托克斯发光anti-Stokes luminescence 物质的发光波长小于激发波长的反常现象。示例2上转换发光，5 GB/T

21、5838. 1-2015 2.47 敏化sensitization 某些杂质中心能有效地吸收外界的激发能并传递给发光中心，从而提高发光效率的过程。2.48 合作敏化co-operation sensitization 合作敏化是几个离子的一种共同敏化作用。如图1.敏化剂离子SI和S2.由激发态跃迁至基态时，将所释放的能量同时传给激活剂离子A.使它跃迁到激发态的敏化过程。S S2 A 圄1合作敏化发光示意圄2.49 猝灭quenching 由于某些原因使发光材料发生非辐射跃迁，从而降低了发光效率的现象。注2猝灭的原因可以各不相同，常见的有温度猝灭、浓度猝灭和杂质猝灭等。2.50 2.51 温度猝

22、灭temperature quenching 由温度升高引起的发光效率下降的现象。注z这主要是由于温度升高使发光中心的激发能量以更多的晶格振动的形式消耗了，从而造成了发光效率的下降.浓度猝灭concentration quenching 由于激活剂浓度过大造成的发光效率下降的现象。注=这主要是由于激活剂浓度达到一定值以后，它们之间的相互作用增强了，增大元辐射跃迁几率，从而使发光效率下降。2.52 2.53 杂质猝灭impurity quenching 由于某些杂质离子的作用便发光效率下降的现象。猝灭荆quencher 导致发光效率下降的杂质离子。注z铁、钻、保是硫化铸型荧光粉的强猝灭剂。这种猝

23、灭作用一般认为是由于猝灭剂的能级间距很容易转化为声子。2.54 6 能量传递energy transfer 某一激发中心将激发能的全部或部分转交给另一中心。注:能量传递的方式主要有z辐射能量传递、无辐射能量传递。GB/T 5838.1-2015 2.55 能量输运energy migration 借助于载流子、激子等的运动，把能量从晶体的一部分带到另一部分。2.56 电荷迁移态charge transfer state; CTS 在激发过程中，电子从一个离子转移到另一个离子上，即从周围阴离子被激发到发光中心的阳离子上，中心离子此时所处的能态。注:CTS不能直接产生光发射，只有当电子从CTS返回

24、周围阴离子时，将激发能交给发光中心，发光中心被激发，这时才能产生发光跃迁。2.57 位形坐标configuration coordinate 描述发光离子和它周围的晶格离子所形成的系统的能量(包括电子能量、离子势能以及电子和离子间的相互作用能)和周围晶格离子位置之间的关系的图形。纵坐标代表系统的能量，横坐标代表周围离子的位置，称为位形。这是个笼统的位置概念，因为离子不止一个，一般不能用一个坐标来描述。如图2所示，曲线A代表系统基态能量，B代表系统激发态的能量，曲线上的水平横线表示晶格振动能级。B A 系统能量ro 位形说明21一一-激发s2一一品格弛豫z3一一发射;4 晶格弛豫zTO-一周围晶

25、格离子在基态的平衡位置。圄2位形坐标圄2.58 光谱项sp配tralterm 光谱学中用来表示原子(或离子所处能量状态的符号，通常表示为25+1L。其中:5为总自旋量子数;L为总轨道量子数zJ为总角动量量子数。7 GB/T 5838.1-2015 对应L为0，1，2，3，4，5等值，用S，P，D，F，G，H.表示。示例:三价错离子Pr3+，两个f电子自旋平行，则z& 一-1-2 + 1-2 一S 设L=5，J的取值范围在IL-SI和IL+SI之间，=4、5、6，则Pr抖的基态光谱项为3H. , 2.59 激发光谱excitation sp四trum发光的某一谱线或谱带的强度或发光效率随激发光波

26、长或频率)的变化。2.60 激发波长excitation wavelength 激发荧光粉发光的某一谱线或谱带的强度或发光效率的激发光波长，单位为纳米(nm)。2.61 吸收光谱absorption spectrum 物质的吸收系数单位为cm-l)随人射光的被提或频率变化的曲线。2.62 漫反射光谱diffuse reflection spectrum 漫反射率随人射波长或组率面变化的谱图。注z光线投射到粗糙表面时，它向四面八方散射和反射，称漫反射。通常用馒反射率表示反射能力的大小。2.63 发射光谱emission sp四trum发光的能量按波长或频率的分布。2.64 发射主峰main em

27、ission peak 荧光粉发射光谱中强度最大的波长，单位为纳米(nm)。2.65 荧光光谱f1uorescelce sp民trum荧光能量按波长或频率的分布。2.66 带谱band spectrum 有一较宽波长范围的连续不断的光谱。2.67 线状光谱line spectrum 线谱由一条条线状发射组成的光谱。注:其中的每条发射线称为光谱线，每条谱线的波长范围都是极窄的。科学的描述应该指出谱线的位置和宽度。2.68 谱线宽度spectrum width 半宽度half width; full width at half maximum; FWHM 光谱曲线最大强度的一半处所对应两个波长之差

28、。如图3所示，AB连线的宽度，即峰值的一半处的总宽度。8 重100 nu za n任意单位v400 500 滋长Inm600 图3谱线宽度2.69 洛伦撞钱型lorentzian lineshape 光谱线相对强度按频率分布满足洛伦兹分布的线型。用公式表示如下zg(尝X1 式中zVo一一-谱线的中心频率。2.70 高斯雏型gaussian lineshape 光谱线相对强度按频率分布满足高斯分布的线型。用公式表示如下zr I .、2g(v) =二:_(二_.;,.,. 1 e-mcz (v - vo) 2/2kTvZ 。o2kTJ 式中zVo一一谱线的中心频率。2.71 能量效率energy

29、efficiency 发射的荧光能量与所吸收的激发能量之比。注2又可称为功率效率.2.72 量子效率qnantum efficiency 发射的荧光光子数与所吸收的激发光子数之比。2.73 流明效率luminous efficiency 发光的流明数与激发能量之比。它和能量效率的关系如下:守1=吼叫P川/fpd式中z7J l 一一流明效率，单位为流明每瓦(lm/W); h 一一能量效率F683一一常数，光功率的最大流明当量;G/T 5838.1-2015 9 GB/T 5838.1-2015 2.74 p ().)一一光谱功率分布，单位为流明每瓦(lm/W); V().)一一一光谱光视效率。相

30、对亮度relative brightness 在规定的激发条件下，荧光粉试样与同牌号标准荧光粉样品的亮度之比。注2荧光粉停止激发后，在规定时间内试样与同一牌号标样的亮度之比，称为余辉相对亮度。2.75 发光增长build-up of lumin皑白nce荧光粉的相对能量输出与激发时间的关系。它表明在稳定激发下荧光粉的能量输出从激发开始到稳定状态的增长情况。2.76 荧光寿命fluorescence 1ife time 处在发射荧光的高能级的粒子，向低能级跃迁而发射荧光的时间的平均值这段时间是随机的)。它表现为激发停止后，荧光衰减到起始发光强度的l/e所经历的时间。2.77 衰减decay 激发

31、停止后，发光强度随时间而降低的现象。最简单、最基本的包括数式衰减和双曲线衰减。分别用以下公式表示z2.78 指数式衰减:I=Ioe-;-双曲线衰减EI= 一二(1 -bt) 2 式中EIo -激发停止时的发光强度，单位为坎德拉(cd);t一一从激发停止时算起的时间，单位为秒(s); I一-t时刻的发光强度，单位为坎德拉Ccd);r一一荧光寿命，单位为秒(5); b 常数。余辉时间after glow titpersistence time 对阴极射线致发光材料来说，激发停止后，亮度衰减到初始亮度10.%的时间。注2激发停止后的发光称为余辉。余辉时间小于1阳的称为超短余辉，1:lO阳间的称为短余

32、辉，10s1ms 间的称为中短余辉，1ms100 ms阔的称为中余辉，100ms1 5阔的称为长余辉，大于1s的称为极长余辉.2.79 晶型crystal system 组成晶体的三个矢量的大小和它们之间的夹角不同，所形成的不同对称性的晶体。注2晶体可分为七个晶型，即三斜、单斜、正交、正方、四方、六方和立方(等轴)七个晶型。其中三斜、单斜和正交三类对称性最低，是低级晶族;立方品系对称性最高，为高级晶族z其余属中级晶族.3 荧光粉材料3. 1 荧光粉phosphor 在一定的激发条件下能发光的元机粉末材料。注z有时也叫发光粉、晶态磷光体或磷光体.按激发方式的不同，可分为光致发光荧光粉、电致发光荧

33、光粉、阴极射线致发光荧光粉和放射线致发光荧光粉等。10 3.2 3.3 3.4 3.5 光致发光荧光粉photoluminescent phosphor 在光激发下能发光的元机粉末材料。注:激发光可以在紫外、可见、近红外波段。荧光高压束灯用荧光粉phosphor for high pressure mercury f1uorescent lamp 涂在荧光高压隶灯内的一种光致发光荧光粉。示例g锦激活的饥酸纪或饥磷酸缸。荧光低压录灯用荧光粉phphor for low pressure mercury f1 uorescent lamp GB/T 5838.1-2015 涂在荧光低压录灯内的一种

34、光致发光荧光粉。能够在254nm录线的激发下，产生有效的光辐射。示例2日光灯用荧光粉。日光灯用荧光粉ph创phorfor daylight f1uorescent lamp 目前制造日光灯所常用的卤磷酸钙荧光粉。其基质是3Ca3(P04)2.Ca (F，Cl)p称为氟氯磷灰石。掺入少量激活剂锦(Sb)和锺(Mn)，蜡烧以后制成一种光致发光荧光粉。示倒33C句(PO.)2 Ca(F ,CI)2 I Sb ,Mn 3.6 三基色灯用荧光栅phphor for three-primary color f1uorescent lamp 制备三基色灯所用的光致发光荧光粉。由具有红、绿、蓝发光色的三种荧光

35、粉，按一定比例混合而成，制成粉浆后涂在低压录荧光灯管的内壁上。示例z常用的三基色灯用荧光粉如表1所示.表1三基色灯用荧光栅序号名称化学组成主峰波长发光颜色nm 1 氧化铠铺Y203 I Eu 611 红色2 铝酸续销锹CeMgA11l 019 : Tb 545 绿色3 硅酸铸锺Zn2SiO. I Mn 525 绿色4 磷酸饲销饿CeLaPO. : Tb 545 绿色5 铝酸银镜铺BaMgAho 0 17 Eu2+ 450 蓝色6 铝酸锁告美锦锺BaMgA1100口，(Eu2+ Mn) 450，515(次峰)蓝色7 卤磷酸银错SrlO (PO.) 6 C12 : Eu2+ 445 蓝色3.7 冷

36、阴极荧光灯(CCFL)用荧光栅phosphor for cold cathode f1uor四centlamp(CCFL) 涂在冷阴极荧光灯玻璃管内壁上的，在气体放电释放的辐射能的激发下，产生发光效应的光致发光材料。11 GB/T 5838.1-2015 示例:常用的有氧化纪铺、磷酸锵饰饿、铝酸银钱错等。3.8 等离子显示器(PDP)用荧光粉ph倔phorfor pl囚madisplay panel(PDP) 能被等离子显示器件内部气体放电产生的真空紫外147nm、172nm短波长有效激发而发出可见光的无机粉末材料。3.9 示例g常用的有哪酸牵Z锐铺、硅酸铸锺、跚酸铠锐饿、铝酸银钱销等。发光二

37、极管(LED)用荧光粉phosphor for Iight emitting diode(LED) 在半导体发光二极管(LED)发出的光激发下能发光的无机粉末材料。示例g常用的有销激活的纪铝石榴石、错激活的碱土金属正硅酸盐等。3.10 彩色灯用荧光珊phphor for color f1uor四centlamp 用来制作影色荧光灯和霓红灯的一些光致发光荧光粉。它们在紫外光的激发下产生不同颜色的发光。示例2常用的彩色灯用荧光粉如表2所示。表2彩色灯用荧光盼序号名称化学组成主峰波长发光颜色nm 1 鸽酸钙鸽CaWO. I W 415 深蓝2 鸽酸钙铅CaWO. : Pb 440 浅蓝3 正硅酸钵锺

38、ZnSi03 : Mn 525 绿4 棚酸锚锺Cd2Bt 05 : Mn 620 橙红5 硝酸侯锺MgO. AS205 : Mn 660 红6 氟错酸镜锺3.5MgO 0.5MgF2 GeOz : Mn 660 红7 磷酸铸银锡(Zn,Sr)3(PO.)Z : Sn 630 橙红3.11 医疗灯用荧光粉phphor for medical lamp 用于制作医疗灯的一些光致发光荧光糙。它们在254nm紫外光的激发下，能产生310nm330 nm 辐射。示例s常用的如磷酸钙铠。3.12 黑光灯用荧光粉phosphor for black Iight lamp 用来制作黑光灯的一些光致发光荧光糙。

39、它们在254nm紫外光的激发下，能产生360nm左右的紫外辐射。示例:常用的黑光灯用荧光粉如表3所示。GB/T 5838.1-2015 表3黑光灯用荧光栅序号名称3.13 1 磷酸钙铠2 磷酸钙销3 重硅酸银铅4 硝酸银铅5 氟跚酸银错复印灯用荧光粉phphor for copying 用于复印荧光灯上的荧光粉。示例z化学组成Ca3(PO.)2 I Tl Ca3 (PO.)2 : Ce BaSi205 : Pb SrBs OI0 : Pb SrFBz 0 3.5 Eu 主峰波长nm 330 360 350 360-365 370 重氮复印荧光灯主要用焦磷酸智、销(二价)、焦磷酸银侯错(二价h静

40、电复印荧光灯主要用硅酸钵锺、综酸筷锺等荧光粉。注z这些荧光粉的发射光谱要与感光体的光敏曲线匹配。3.14 上转换荧光栅up-conversion phosphor 发射光子能量大于激发光子能量的荧光粉。注2根据其基质组分的不同可分成三类z稀土氟化物、稀土卤氧化物、稀土氧化物或复合氧化物。3.15 紫外荧光粉ultraviolet emission phphor 用短波紫外线激发而产生长波紫外辐射的荧光粉。示例2保健灯用的磷酸铐镜钱或重硅酸顿铅等.3.16 电致发光荧光珊electroluminescent phosphor 在交流或直流电场作用下，依靠电场或电流的激发能产生发光的无机粉末材料。

41、注2用于制造各种电致发光显示器件.3.17 交流电致发光荧光粉A. C.electrolumin四centphphor 在交流电场作用下，主要依靠电场的激发发光的元机粉末材料。示例z硫化铸铜(绿色) 3.18 直流电致发光荧光栅D. C. electroluminescent phphor 在直流或交流电场作用下，主要依靠电流的激发发光的无机精末材料。示例:硫化铸锺铜(橙黄。3.19 阴极射线致发光荧光盼cathodolumin臼centphosphor 在阴极射线(电子束)激发下，能发光的元机粉末材料。注:广泛用来制作各种类型的电子束显示、显像器件的荧光屏。13 GB/T 5838.1-20

42、15 3.20 黑白电视用荧光粉phosphor for black-white television 用来制作黑白电视显像管的阴极射线致发光荧光粉。示倒z目前所用的是由两种硫化物荧光粉混合制成的。一种是发蓝光的硫化铸银;另一种是发黄光的硫化铸锅银或硫化钵铺铜铝.3.21 彩色电视用荧光栅phosphor for color television 用来制作彩色电视显像管的阴极射线致发光荧光粉，是由红、绿、蓝三种不同发光色的材料组成。示例z常用的红色荧光粉是硫氧化镑销或氧化纪锦s绿色荧光粉是硫化铸铜铝或硫化钵金铜铝;蓝色荧光粉是硫化铸银。3.22 场发射显示器(FED)用荧光粉phosphor

43、for field emission display(FED) 涂敷在场发射显示器屏上的，通过场发射阴极阵列上的大量微阴极发射的电子束直接轰击而产生发光效应的发光材料。示例g3.23 常用的有氧化铠铺、硫化铸铜铝、硫代嫁酸镇、硫化绊银铝等。投影电视用荧光粉phosphor for proj田tivetelevision 用来制作投影式电视显像管的阴极射线致发光荧光粉。示例2黑白投影电视用荧光粉z硫氧化缸缄z彩色投影电视用荧光秘2红色为氧化铠铺、蓝色为硫化铸银、绿色为硅酸铸锺或一些钱激活的稀土化合物。3.24 飞点扫描管用荧光粉phosphor for flying spot scanning

44、tube 用来制作飞点扫描管的超短余辉荧光粉。示倒g常用的有铝酸缸饰、硅酸纪销、嫁铝醺缸销和硅酸钙筷销等。3.25 示法管用荧光粉phosphor for侃ciIlograph用来制作各种示波管的阴极射线致发光荧光粉。示例z常用的有硅酸铮锺、硫化铮铜、氟化铸缓健、硫化铸铺银、氟化镜健、硫化铸铅，铜以及硫化铸银和硫化铮锅铜的组合等。3.26 显示管用荧光栅phosphor for image display 用来制作各种显示管的阴极射线致发光荧光粉。示例2常用的有硫化铸锯银、硅酸钙铅健、硅酸铸锺碑、硫化铸锯铜以及硫化铸银和硫化铸铺铜的组合。3.27 真空荧光显示器(VFD)用荧光粉ph田phor

45、for vacuum fluorescent display(VFD) 涂敷在真空荧光显示器阳极上的，经过栅极和阳极所加正电压加速的阴极发射电子激发而发光的无机粉末材料。示例g常用的有飞OzS:Eu(红)、(Cd，Zn)S:Ag(红光、Y20zSI Tb(白)、ZnOI Zn(绿)、ZnS:Zn，Pb(蓝、ZnSAg(蓝光)和Sn02: Eu(橙红)。14 GB/T 5838.1-2015 3.28 电压穿透型荧光粉voltage penetration phosphor 发光颜色或余辉时间随电子束加速电压改变而变化的荧光粉。示例z常用的有混合型、洋葱皮型和单一颗粒型三类。3.29 电流敏感型

46、荧光粉current sensitive phosphor 发光颜色随激发电子束束流密度的改变而变化的荧光粉。常用一种电流亮度呈超线性和一种电流一亮度呈亚线性的材料混合而成。3.30 低能电子荧光粉low energy electron phosphor 在能量低于几百电子伏的电子束激发下，能产生满足一定亮度和光谱分布要求的发光荧光糙。示倒g低压荧光数码管中的氧化铮铮。3.31 极长余辉荧光栅ve叮longpersistence phhor 余辉时间(10%)大于1s的阴极射线致发光荧光粉。示例z用于雷达显示的氟化铐链。3.32 长余辉荧光盼long persistence phosphor

47、余辉时间(10%)为100msl s的阴极射线致发光荧光粉。示例:用于雷达显示的氟化镶链和氟化饵缓锺等.3.33 中余辉荧光黯medium persistence phosphor 余辉时间(10%)为1ms100 ms的阴极射线致发光荧光糙。示倒2用于示波显示的硅酸铸链和硫化铸铜等。3.34 申短余辉荧光栅medium short persistence ph倒phor余辉时间(10%)为10slms的阴极射线致发光荧光粉。示例z用于彩色显像管的硫化铸银氯蓝色荧光粉等。3.35 短余辉荧光盼short persistence ph倒phor余辉时间(10%)为1s10阳的阴极射线致发光荧光粉。示例z用于摄像记录和示波显示的硫化铸银镰等。3.36 超短余辉荧光粉very short persistence phosphor 余辉时间(10%)小于1间的阴极射线致发光荧光粉。示例z用于飞点扫描管的硅酸钙筷销等。15 G/T 5838.1-2015 3.37 放射线致发光荧光粉radioluminescent phosphor 在X射线、放射线(J和Y射线)以及中子射线激发下能发光的元机粉末材料。示例:用于X射线观察的硫化铸